深度报告-20230120-华安证券-微导纳米-688147.SH-专注ALD技术_光伏和半导体双向高成长_36页_1mb.pdf

敬请参阅末页重要声明及评级说明 证券研究报告 专注 ALD 技术，光伏和半导体双向高成长 微导纳米（688147）公司研究/公司深度 主要观点：ALD 技术领军企业，聚焦光伏与半导体 公司专注于 ALD 技术，引领国内 ALD 技术的发展应用。公司为国内首家将 ALD 技术规模化应用于光伏领域，也是国内首家成功将量产型High-k 原子层沉积设备应用于 28nm 节点集成电路制造前道生产线的设备公司，并不断在泛半导体领域拓展产品应用外延。2021 年度和 2022 年前三季度公司营收分别为 4.28 亿元、3.85 亿元，归母净利润分别为 4,611.37 万元、-325.47 万元，截至 2022 年 9 月末，公司已取得在手订单 19.75 亿元。公司前期研发投入高，新产品开拓初期的毛利率有一定影响，规模效应有望带来利润加速回升。光伏：立足 ALD，新型电池技术全面布局 PERC：公司量产设备镀膜速率突破 10,000 片/小时，打破制约 ALD技术应用于光伏领域的产能限制。2018 年、2019 年公司 PERC 电池背钝化设备装机容量市占率分别为 41.16%、48.41%。TOPCon：（1）ALD 设备在 TOPCon 电池正面氧化铝工艺中，可沉积超薄的、高深宽比的膜层，更适应正面镀钝化膜的复杂形貌，首先取得较高市占率。（2）公司开发的 PEALD 二合一平台，集成了PEALD 和 PECVD 两种工艺，分别用于制备隧穿层和多晶硅层，有望受益于 TOPCon 路线持续扩产。IBC：由于平台化技术特征，IBC 可以和 HJT、TOPCon 技术结合，电池制备工艺更为多变。其中，ALD 设备在钝化层的制备中具有重要地位，且需求量往往更高。HJT：公司 PECVD 技术可以应用于本征非晶硅层沉积，ALD 设备也储备用于 TCO 层沉积。钙钛矿：ALD 具有衬底温度较低、可精确控制膜厚、大面积生长、薄膜均匀性好、三维保形性好等特点，在 TCO 等功能层、缓冲层和封装中都具备广泛的应用条件。公司根据下游客户需求进行相应储备。半导体：ALD 技术中的国产替代先行者 随着我国半导体设备市场需求量增长及国产化率提升，国产 ALD 设备市场空间不打断开，带来领先 ALD 设备公司机会。我们预计2022/2023/2024 我国国产 ALD 设备规模分别为 5.21/6.26/9.59 亿元，yoy+37.42%/20.15%/53.38%。公司 ALD 技术在泛半导体的各细分领域深度拓展。在逻辑芯片领域，公司为国产首家突破 28nm 制程 High-k 材料沉积技术；在存储芯片领域，公司 ALD 技术可以用于 3D NAND、铁电存储（FeRAM）等先进存储技术 投资评级：增持（首次）报告日期：2023-1-20 收盘价（元）31.20 近 12 个月最高/最低（元）32.50/25.08 总股本（百万股）454.46 流通股本（百万股）37.59 流通股比例（%）8.27%总市值（亿元）141.79 流通市值（亿元）11.73 公司价格与沪深 300 指数走势比较 分析师：张帆 执业证书号：S0010522070003 邮箱：分析师：徒月婷 执业证书号：S0010522110003 邮箱：-20%-10%0%10%20%2022-12 2023-01 2023-01 2023-01微导纳米（前复权）沪深300 敬请参阅末页重要声明及评级说明 2/36 证券研究报告 微导纳米（688147）领域；在新型显示领域，公司的 ALD 设备布局 OLED/mini LED 等领域，不断拓宽应用外延。盈利预测、估值及投资评级 我们预测公司 2022-2024 年营业收入分别为 6.02/16.68/22.15 亿元，归母净利润分别为 0.31/1.26/2.59 亿元，2021-2024 年归母净利润 CAGR 为78%，以当前总股本 4.54 亿股计算的摊薄 EPS 为 0.07/0.28/0.57 元。公司当前股价对 2022-2024 年预测 EPS 的 PE 倍数分别为 463/113/55倍，我们选取光伏及半导体领域镀膜设备领军公司作为可比公司，考虑到公司在 ALD 领域具有领先优势，且在光伏及半导体领域拓展具备较大业绩弹性，首次覆盖给予“增持”评级。风险提示 1）光伏及半导体行业后续扩产不及预期的风险。2）技术迭代带来的创新风险。3）国内市场竞争加剧的风险。4）核心技术人员流失或不足的风险。5）测算市场空间的误差风险。6）研究依据的信息更新不及时，未能充分反映公司最新状况的风险。重要财务指标 单位:百万元主要财务指标 2021 2022E 2023E 2024E营业收入 428 602 1,668 2,215 收入同比(%)36.9%40.6%177.3%32.8%归属母公司净利润 46 31 126 259 净利润同比(%)-19.1%-33.6%310.4%106.6%毛利率(%)45.8%39.8%38.5%38.7%ROE(%)5.2%3.2%11.6%19.5%每股收益(元)0.10 0.07 0.28 0.57P/E 307.48 463.33 112.89 54.65P/B 16.05 14.78 13.07 10.64EV/EBITDA 10.65 14.33 3.92 1.93资料来源：wind，华安证券研究所 敬请参阅末页重要声明及评级说明 3/36 证券研究报告 微导纳米（688147）正文目录 1 ALD 技术领军企业，聚焦光伏与半导体.6 1.1 专注 ALD 技术，拓展应用领域.6 1.2 光伏与泛半导体领域已取得广泛应用.8 1.3 营收高速增长，规模效应有望带来利润加速提升.11 2 光伏：立足 ALD，新型电池技术全面布局.14 2.1 光伏装机量增长，设备空间广阔.14 2.2 大幅提效，首先将 ALD 技术应用于 PERC 电池生产.15 2.3 TOPCON 持续放量，立足 ALD 发展正背面镀膜.16 2.4 ALD 需求量增长，受益 IBC 路线扩产.19 2.5 HJT 持续降本增效，公司进行技术储备.21 2.6 布局钙钛矿电池，不断加强技术储备.23 3 半导体：ALD 技术中的国产替代先行者.25 3.1 需求与国产替代共振，国产 ALD 设备市场快速增长.25 3.2 逻辑芯片：国产首家突破 28NM 制程 HIGH-K 材料沉积技术.27 3.3 存储芯片：精细化镀膜适应先进存储技术需求.28 3.4 新型显示：MINI LED/OLED 等广泛布局.29 4 投资建议.32 4.1 基本假设与营业收入预测.32 4.2 估值和投资建议.32 风险提示.34 敬请参阅末页重要声明及评级说明 4/36 证券研究报告 微导纳米（688147）图表目录 图表 1 公司发展历程.6 图表 2 微导纳米股权结构图（截至 2022 年 12 月 22 日）.6 图表 3 公司主要管理人员简介.7 图表 4 原子层沉积技术原理图.8 图表 5 PVD/CVD 与 ALD 的工艺对比.8 图表 6 公司光伏领域主要设备.9 图表 7 公司半导体领域主要设备.10 图表 8 公司产品在其他领域的应用.10 图表 9 公司主营业务收入产品类别构成情况（%）.11 图表 10 光伏领域设备销售收入占比（%）.11 图表 11 公司专用设备产品销售具体情况.11 图表 12 2019-2022 前三季度的营业收入及同比增速.12 图表 13 2019-2022 前三季度的归母净利润及同比增速.12 图表 14 2019-2022 前三季度毛利率与净利率情况.12 图表 15 2019-2022 前三季度期间费用率情况.12 图表 16 公司分产品毛利率水平（%）.13 图表 17 全球光伏新增装机及预测（GW）.14 图表 18 我国光伏新增装机及预测（GW）.14 图表 19 光伏产业链.14 图表 20 行业内其他企业对比.15 图表 21 铝背场电池与 PERC 电池结构区别.15 图表 22 近年光伏 PERC 产能（GW）.15 图表 23 PERC 电池工艺流程及对应设备.16 图表 24 PERC 电池生产中相关企业常用的 AL2O3镀膜设备产能指标.16 图表 25 PERC 和 TOPCON 电池结构对比图.17 图表 26 晶科实验室 N 型单晶硅单结电池转换效率.17 图表 27 部分上市公司 TOPCON 扩产情况.17 图表 28 TOPCON 电池工艺流程及对应设备.18 图表 29 薄膜沉积设备在 TOPCON 投资中占比提升.18 图表 30 公司 TOPCON 镀膜设备应用.18 图表 31 TOPCON 背面膜其他制备方法存在的问题.19 图表 32 IBC 电池结构相较于其他路线更为特殊.19 图表 33 IBC 电池高低温环境下均有优秀性能表现.19 图表 34 头部电池片厂商 BC 电池量产转化效率及投产情况.20 图表 35 一种新型 IBC 太阳能电池的简易制备流程（通威太阳能）.20 图表 36 HJT 电池为对称双面结构.21 图表 37 头部电池片企业 HJT 转换效率近年已达 25%以上.21 图表 38 主要厂商 HJT 电池远期产能规划.21 图表 39 异质结电池量产主要工序.22 图表 40 公司 HJT 相关的研发项目.22 敬请参阅末页重要声明及评级说明 5/36 证券研究报告 微导纳米（688147）图表 41 IBC 电池结构相较于其他路线更为特殊.23 图表 42 IBC 电池高低温环境下均有优秀性能表现.23 图表 43 部分公司进行钙钛矿布局.23 图表 44 协鑫光电公布的钙钛矿工艺流程图.24 图表 45 ALD 缓冲层在钙钛矿电池结构中的位置.24 图表 46 钙钛矿结构示意图（ALD-AL2O3封装层）.24 图表 47 全球及中国大陆半导体设备市场规模（亿美元）.25 图表 48 2021 年中国半导体设备市场规模占比情况.25 图表 49 全球半导体薄膜沉积设备市场规模（亿美元）.25 图表 50 2019 年半导体薄膜沉积设备占比.26 图表 51 2020 年半导体薄膜沉积设备占比.26 图表 52 2019 年全球 ALD 市场竞争格局.26 图表 53 我国国产 ALD 设备市场空间测算.27 图表 54 英特尔首先在 45NM 制程中提出 HIGH-K 技术.27 图表 55 公司逻辑芯片领域应用产品和研发项目情况（截至 2022 年 11 月 2 日）.28 图表 56 全球及中国存储芯片市场规模（亿美元）.28 图表 57 全球 2021 年半导体存储器市场结构.28 图表 58 2D NAND 与 3D NAND 结构简图.29 图表 59 铁电存储器原理.29 图表 60 公司存储芯片领域应用产品和研发项目情况（截至 2022 年 11 月 2 日）.29 图表 61 中国 LED 芯片产值（亿元）.30 图表 62 中国 LED 芯片产能分布.30 图表 63 中国 MINI LED 市场规模（亿元）.30 图表 64 中国 MINI LED 市场份额.30 图表 65 公司新型显示方向产业化及研发情况.31 图表 66 公司营业收入预测.32 图表 67 可比公司估值.33 敬请参阅末页重要声明及评级说明 6/36 证券研究报告 微导纳米（688147）1 ALD 技术领军企业，聚焦光伏与半导体 1.1 专注 ALD 技术，拓展应用领域 微导纳米成立于 2015 年 12 月，2022 年 12 月在科创板上市。公司主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售，向下游客户提供先进薄膜沉积设备与相关改造服务及备品备件。公司以 ALD（原子层沉积）技术为核心，主要应用于光伏和泛半导体领域。公司成立后即开始原型机的研发，一代量产机型 KF4000 于 2017 年中开始试量产，全球首创将 ALD 技术规模化应用于光伏领域，PECVD 设备、PEALD 二合一平台设备自 2021 年开始实现销售。公司于 2018 年启动半导体及柔性电子领域 ALD 的设备研发，在半导体领域，公司是国内首家成功将量产型 High-k 原子层沉积设备应用于 28nm 节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司，正式进军逻辑芯片、先进存储、3D-IC 等镀膜制造领域。图表 1 公司发展历程 资料来源：公司招股说明书，华安证券研究所整理 股权结构稳定，实控人为王燕清家族。截至 2022 年 12 月，万海盈投资直接持有公司 23,258.1624 万股股份，占公司总股本的比例为 51.18%，为公司控股股东。王燕清、倪亚兰、王磊组成的家族通过万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资间接控制公司60.60%的股份，同时王燕清之子王磊担任公司董事长、王燕清之妻倪亚兰担任公司董事，王燕清家族为公司的实际控制人。截至 2022 年 6 月 30 日，公司不存在控股子公司及分公司，参股公司 1 家为芯链融创。图表 2 微导纳米股权结构图（截至 2022 年 12 月 22 日）敬请参阅末页重要声明及评级说明 7/36 证券研究报告 微导纳米（688147）资料来源：公司上市公告书，华安证券研究所整理 管理层从业经验丰富，技术团队对行业理解非常深刻。王燕清家族作为公司实际控制人，于 2002 年创立无锡先导智能装备股份有限公司。先导智能主要从事锂电池、光伏、3C 等智能装备的制造。公司董事、副董事长兼首席技术官黎微明自 1994 年开始ALD 技术工作，是全球第一批将 ALD 技术用于半导体领域的科学家之一。公司其他高管也都从业多年，专业能力强，技术与管理经验丰富。对行业独到深刻的理解有助于公司未来发展，为公司继续保持竞争优势和龙头地位奠定基础。图表 3 公司主要管理人员简介 姓名 公司职位 履历 王燕清 实际控制人 1966 年 4 月出生，中国国 籍，1986 年至 1999 年任无锡县无线电 二厂设 备助理 工程师。2002 年设立无锡先导 自 动化设备 有限公 司（后改名 为“无锡先 导智能 装备股 份有限公司”），任 董事长、总经理。2011 年 12 月至今任先导智 能董事 长、总 经理。王磊 董事长 1993 年 11 月出生，中国国 籍，毕业 于新泽 西州立 大学 计算机和 数学专 业。2017-2018 就职于恒云太。2019 年 12 月至今，担任 公司董 事长。倪亚兰 董事 1970 年 11 月出生，中国国 籍，2002-2011 担任无锡先 导自动化 设备有 限公司 总经 理办公室助 理。2011-2016 担 任无锡嘉 鼎投资 有限公 司（上海卓遨 前身）总经理。2019 年 12 月至今，担任公 司董事。黎微明(LI WEI MIN)副董事长、首席技术官 1967 年 12 月出生，芬兰国 籍，博士 研究生 学历，毕业 于芬兰赫 尔辛基 大学无 机化学专业。2000-2007 就职于芬兰 ASM，任高 级工艺 工 程师。2007-2010 就职于芬兰Silecs，任应用 经理。2010-2015 就职于芬兰 Picosun，任 应用总监。2016-2019 任微导有限首 席技术 官。2019 至今任公司 首席技 术官并 历任 公司董事、副董 事长。李翔(LI XIANG)董事、副总经理 1981 年 4 月出生，新加坡 国 籍，博士 研究生 学历，毕业 于新加坡 南洋理 工大学 电气与电子工 程专业。2010-2012 就职于新加坡 科学技 术研 究院微电 子研究 所，任 研发科学家。2012-2015 就职于 Picosun Asia Pte.Ltd.，任董 事总经理。2016-2019 任 微导有限应用 总监、ALD 事业部 副总经理、研发 部副总 经理、联席首 席技术 官。2019 年12 月至今，任公司 董事、副 总经理。周仁(ZHOU REN)总经理 1963 年 1 月出生，美国国 籍，硕士研 究生学 历，毕 业于 美国丹佛 大学计 算机科 学专业。曾供 职于美 国 AG Associates、Novellus System、CVC Inc 公司。1997-2006 担任美国 Lam 工程资深 总监并 历任资深 软件经 理，软 件总 监。2006-2010 担任中微半 导体设备（上海）股份有 限公 司执行总 监并历 任资深 总监。2014-2020 历任拓荆科技工程副总 经理、顾问。2021 年 7 月至今，担 任公司 总经 理。敬请参阅末页重要声明及评级说明 8/36 证券研究报告 微导纳米（688147）胡彬 副总经理 1983 年 1 月出生，中国国 籍，本科学 历，毕 业于东 南大 学机械设 计制造 及其自 动化专业。2011-2018 任先导智能副总经 理。2018-2019 就 职于微导 有限，任常务 副总 经理。2021 年 7 月至今，任公 司副总经 理、光 伏事业 部总 经理。资料来源：公司招股说明书，华安证券研究所整理 1.2 光伏与泛半导体领域已取得广泛应用 ALD 是一种特殊的真空薄膜沉积方法，技术壁垒较高，性能独特。薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等方面的特殊性能。ALD 技术通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基底上发生表面饱和化学反应形成薄膜。ALD 镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面，每镀膜一次/层为一个原子层，根据原子特性，镀膜 10 次/层约为 1nm。ALD 拥有多项独特的薄膜沉积特性，如三维共形性、大面积成膜的均匀性、致密无针孔、实现亚纳米级的薄膜厚度控制。图表 4 原子层沉积技术原理图 资料来源：公司招股说明书，华安证券研究所整理 薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为 PVD、CVD 和 ALD 设备。相比于 ALD技术，PVD 技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD技术的重复性和台阶覆盖性比 PVD 略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。图表 5 PVD/CVD 与 ALD 的工艺对比 项目 PVD CVD ALD 优势与劣势 1.沉积速率较快 2.薄膜厚度较厚，对于纳米级的膜厚精度控制差 3.镀膜具有单一方向性 4.厚度均匀性差 5.阶梯覆盖率差 1.沉积速率一般（微米/分钟）2.中等的薄膜厚度（依赖于反应循环次数）3.镀膜具有单一方向性 4.阶梯覆盖率一般 1.沉积速率较慢（纳米/分钟）2.原子层级的薄膜厚度 3.大面积薄膜厚度均匀性好 4.阶梯覆盖率最好 5.薄膜致密无针孔 敬请参阅末页重要声明及评级说明 9/36 证券研究报告 微导纳米（688147）主要应用领域 1.HJT 光伏电池透明电极 2.柔性电子金属化、触碰面板透明电极 3.半导体金属化 1.PERC 电池背面钝化层、PERC 电池减反层 2.TOPCon 电池接触钝化层、减反层 3.HJT 电池接触钝化层 4.柔性电子介质层、柔性电子封装层 5.半导体介质层（低介电常数、半导体封装层 1.PERC 电池背面钝化层 2.TOPCon 电池隧穿层、接触钝化层、减反层 3.柔性电子介质层、柔性电子封装层 4.半导体高 k 介质层、金属栅极、金属互联阻挡层、多重曝光技术 资料来源：公司公告、华安证券研究所整理 公司产品主要应用领域一：光伏领域。在光伏领域公司已覆盖包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。从PERC 进一步向 TOPCon 乃至 HJT/IBC 技术延伸。图表 6 公司光伏领域主要设备 产品系列 设备 类型 产品图示 镀膜工艺 目前应用领域 产品说明 产业化阶段 夸父（KF）系列原子层 沉积（ALD）系 统 TALD Al 2O 3 工艺 PERC 电 池背面钝化层、TOPCon 电池正面钝化 层 运用 ALD 技术，对晶硅太 阳能电 池表面 Al 2O 3 钝 化膜进行批量 制备 产业化应用 夸父（KF）管式 PECVD 系统 PECVD SiN X 工艺 PERC 电 池减反层 运用 PECVD 技术，对晶 硅太阳 能电池表面 SiN X 薄膜进行批 量制备 产业化应用 PECVD SiN X 工艺 TOPCon 电池背面减反 层 产业化应用 祝融（ZR）管式 PEALD 系统 PEALD和PECVD Al 2O 3 和 SiN X二合一工 艺 PERC 电 池背面钝化层、减反层 集成 PEALD 与PECVD 技 术，同一台设备 可完成 电池 Al 2O 3 膜和 SiN X膜，以及 TOPCon电池超薄 SiO X 隧穿层和掺 杂多晶 硅薄膜的制 备 产业化应用 PEALD和PECVD Al 2O 3 和 SiN X二合一工 艺 TOPCon 电池正面钝化层、减反 层 产业化应用 PEALD和PECVD 隧穿层和 掺杂多晶硅层 二合一工艺 TOPCon 电池隧穿层、掺杂多晶硅 层 产业化应用 羲和（XH）低压扩散炉 系统 炉管 设备 非晶硅晶 化及掺杂、扩 散 TOPCon 电池扩散、退 火 采用超高 温热场 控制技术，可实现 磷扩、硼扩、氧化 和退火工艺，为TOPCon 电池生产线设备 产业化应用 资料来源：招股说明书，华安证券研究所整理 注：产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行 公司产品主要应用领域二：半导体领域。公司 ALD 设备凭借原子级别的精确控制及沉积高覆盖率和薄膜的均匀性，制备的高 k 材料 HfO2 较好的满足了 28nm 逻辑器件制造过程的需要。除此之外，公司 ALD 设备沉积的 HfO2、ZrO2、La2O3 以及互相掺杂沉积工艺可用于新型存储器如铁电存储（FeRAM）芯片的电容介质层，沉积的 Al2O3、TiN、AlN 可用于化合物半导体、量子器件的超导材料导电层等，上述应用均已完成客户的试样测试并签署订单。敬请参阅末页重要声明及评级说明 10/36 证券研究报告 微导纳米（688147）图表 7 公司半导体领域主要设备 产品系列 设备 类型 产品图示 镀膜工艺 目前应用 领域 产品说明 产业化阶段 凤凰（P）系列原子 层沉积镀膜 系统 TALD HfO 2 工艺 逻辑芯片高 k 栅介质层 主要用于 单片型12 寸及 8 寸晶圆生产中氧 化物、氮化物及金 属镀膜 工艺 产业化应用 HfO 2 工艺 存储芯片高 k 栅电容介质层（单元 和多元掺杂介 质层）产业化验证 ZrO 2 工艺 La 2O 3 工艺 TiO 2 工艺 存储芯片高 k 栅介质覆盖层 产业化验证 凤凰（P-Lite）轻型原子层沉 积镀膜系统 TALD TiN 工艺 半导体量 子器件超导材料导 电层 主要用于 单片型 8 寸、6 寸及以 下的第三代化 合物半 导体、量子 器件等 氧化物、氮 化物及 金属镀膜工 艺 产业化验证 Al 2O 3 和AlN 工艺 第三代化 合物半 导体钝化层 和过渡 层 产业化验证 PEALD Al 2O 3 和AlN 工艺 第三代化 合物半 导体钝化层 和过渡 层 产业化验证 麒麟（QL）系列原子层 沉积镀膜系 统 TALD Al 2O 3 和TiO 2 工艺 硅基微型 显示芯 片阻水阻氧 保护层 用于批量 型 12 寸及 8 寸晶圆生产 中氧化物、氮化物 及金属镀膜 工艺，单腔体每批 次可容 纳最多 25 片 12 寸（兼容 25 片 8 寸晶圆镀膜）产业化验证 龙（Dragon）系列真空 传输系统 真空传输系统-半导体设 备晶圆 传输平台系统 用于半导 体先进 制程的晶圆 真空传 输系统，该 平台系 统可有效避 免晶圆 表面微尘，可实现 高产能下的 稳定性 产业化应用 资料来源：招股说明书，华安证券研究所整理 注：产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行 除了光伏和半导体领域外，公司还拓展了柔性电子等其他领域的应用。公司自主开发的 FlexGuard（FG）系列卷对卷原子层沉积镀膜系统主要在 OLED 等先进显示技术的柔性电子材料上进行真空镀膜，已实现产业化应用。图表 8 公司产品在其他领域的应用 产品系列 设备类型 产品图示 说明 产业化阶段 FlexGuard（FG）系列 卷对卷原子 层沉积 镀膜系 统 TALD 主要为 OLED 等各 类柔性电子 器件镀 膜实现阻水阻 氧保护 产业化应用 资料来源：公司招股说明书，华安证券研究所整理 注：产业化应用是指已实现销售 公司主营业务收入以专用设备为主，2022 年前三季度占比超 93%。另有一些设备改造业务，2021 年度设备改造业务增幅较大，其业务规模受光伏电池硅片大尺 敬请参阅末页重要声明及评级说明 11/36 证券研究报告 微导纳米（688147）寸化趋势、公司臭氧工艺的推广以及新工艺开发及应用情况等因素影响。公司专用设备以 ALD 设备为主。2019、2020 年公司专用设备收入均为 ALD设备，2021 年后，公司 PECVD 设备、PEALD 二合一平台设备等新产品占比增长迅速，且受向 N 型电池片的产能布局节奏影响，公司 ALD 设备的出货占比下降，随着 TOPCon 产能扩产，ALD 设备订单再次快速起量。截至 2022 年 9 月末，公司已取得在手订单 19.75 亿元，其中专用设备在手订单合计 18.56 亿元，专用设备在手订单中毛利率较高的 ALD 设备的占比为 85.66%。图表 9 公司主营业务收入产品类别构成情况（%）图表 10 光伏领域设备销售收入占比（%）资料来源：公司招股说明书，华安证券研究所 资料来源：公司招股说明书，华安证券研究所 图表 11 公司专用设备产品销售具体情况 应用领域 类型 项目 2019 2020 2021 2022H1 光伏领域设备 ALD 设备 销量（台）38 59 22 11 销售均价（万元/台）531.44 507.06 618.95 593.16 销售总额（万元）20,194.69 29,916.79 13,616.86 6,524.78 PECVD 设备 销量（台）-19 8 销售均价（万元/台）-374.9 373.89 销售总额（万元）-7,123.01 2,991.15 PEALD 二合一 平台设备 销量（台）-17 12 销售均价（万元/台）-399.27 398.23 销售总额（万元）-6,787.61 4,778.76 半导体领域设备 ALD 设备 销量（台）-1-销售均价（万元/台）-2,520.00-销售总额（万元）-2,520.00-真空传输系统 销量（台）-1 销售均价（万元/台）-475 销售总额（万元）-475 资料来源：公司招股说明书，华安证券研究所整理 1.3 营收高速增长，规模效应有望带来利润加速提升 公司近年来营收呈增长态势，但净利润水平有所波动。2021 年度和 2022 年前三季93.59%95.74%64.39%93.91%6.41%4.26%29.71%3.62%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2019 2020 2021 2022Q1-Q3专用设备（光伏）专用设备（半导体)配套产品及服务100.00%100.00%49.47%45.64%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2019 2020 2021 2022H1ALD设备 PECVD设备 PEALD二合一平台设备 敬请参阅末页重要声明及评级说明 12/36 证券研究报告 微导纳米（688147）度公司营收分别为 4.28 亿元、3.85 亿元，同比增长 36.91%、66.8%；归母净利润分别为4,611.37 万元、-325.47 万元，同比下降 19.12%、115.83%。2019-2021 年公司总营收 CAGR 为 40.81%。公司主营业务收入不断增长主要原因是：1）光伏行业总体需求不断增长。2）公司产品匹配电池生产技术发展方向，推出符合市场需求的高性能产品。公司解决了传统 ALD 技术速率慢的不足，提升单台设备产能和效率，并推出适用 TOPCon 等新型高效电池的产品。同时公司还提供尺寸改造、工艺改造等服务。3）除了光伏领域外，公司的 ALD 设备已在逻辑芯片 28nm 先进制程生产线中实现突破，并持续推进在半导体及其他细分领域的应用。公司 2020 年起营收增长，但因费用金额上升，净利润有所波动。2022 前三季度公司出现亏损，主要系上半年我国新冠肺炎疫情呈多点散发情形，尤其是 2022 年第二季度无锡及周边地区客户现场工作受到影响，导致营业收入较上年度同期略有下降。同时公司扩充了管理、销售、研发等人员，并提高了相关投入，期间费用较上年度同期大幅增长。图表 12 2019-2022 前三季度的营业收入及同比增速 图表 13 2019-2022 前三季度的归母净利润及同比增速 资料来源：WIND，华安证券研究所 资料来源：WIND，华安证券研究所 近年来公司毛利率与净利率略有下降，主要系期间费用率上升且专用设备毛利率有所下降。2021 年度和 2022 年前三季度，公司销售毛利率分别为 45.77%、37.11%；销售净利率分别为 10.78%、-0.85%。毛利率下降主要由于产品收入结构改变，2021 年公司推出了 PECVD 设备、PEALD 二合一设备，由于产品推出初期先在 PERC 技术路线上进行推广，与已存在成熟的方案竞争，两款产品 2021 年和 2022 年上半年毛利率均低于 20%。公司根据已有订单测算，在 TOPCon 技术路线上推出的 PECVD 设备与 PEALD 二合一设备的毛利率均在 35%以上，未来该产品毛利率预计将有提高。且 2022 年上半年 ALD设备运用于半导体领域毛利率高于 50%，半导体收入的增长也将带动毛利率回升。公司期间费用率高，研发费用率逐年上涨。2021 年度和 2022 年前三季度期间费用率分别为 37.06%、39.88%；研发费用分别为 9,704 万元、9,354.58 万元；研发费用率分别为 22.68%、24.29%。期间费用率上升主要是由于公司加大人才引入力度和产品应用领域拓展，导致投入增加、费用上升。随着公司业绩快速增长，规模效应不断显现，公司的期间费用率有望步入下行通道。图表 14 2019-2022 前三季度毛利率与净利率情况 图表 15 2019-2022 前三季度期间费用率情况 0%10%20%30%40%50%60%70%80%0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.52019 2020 2021 2022Q1-Q3营业收入（亿元）同比增速（%，右轴）-140%-120%-100%-80%-60%-40%-20%0%20%-1,00001,0002,0003,0004,0005,0006,0007,0002019 2020 2021 2022Q1-Q3归母净利润（万元）同比增速（%，右轴）敬请参阅末页重要声明及评级说明 13/36 证券研究报告 微导纳米（688147）资料来源：WIND，华安证券研究所 资料来源：WIND，华安证券研究所 图表 16 公司分产品毛利率水平（%）资料来源：公司招股说明书，华安证券研究所整理-10%0%10%20%30%40%50%60%2019 2020 2021 2022Q1-Q3毛利率（%）净利率（%）0%10%20%30%40%50%2019 2020 2021 2022Q1-Q3期间费用率（%）研发费用率（%）销售费用率（%）管理费用率（%）财务费用率（%）0%10%20%30%40%50%60%70%80%专用设备配套产品及服务专用设备光伏领域：ALD设备专用设备光伏领域：PECVD设备专用设备光伏领域：PEALD二合一平台设备专用设备半导体领域：ALD设备专用设备半导体领域：真空传输系统配套产品及服务：设备改造配套产品及服务：备品备件及其他2021 2022H1 敬请参阅末页重要声明及评级说明 14/36 证券研究报告 微导纳米（688147）2 光伏：立足 ALD，新型电池技术全面布局 2.1 光伏装机量增长，设备空间广阔 光伏装机量预测持续高增长。根据 CPIA 数据，2021 年全球光伏新增装机 170GW，创历史新高。在光伏发电成本持续下降推动下，全球光伏新增装机仍将快速增长，保守情况下预计 2030 年全球/我国新增装机量 315/105GW。2022 年上半年，中国光伏产业总体实现高速增长，产业链主要环节保持强劲发展势头，多晶硅、硅片、电池、组件产量同比增长均在 45%以上。上半年中国光伏发电新增装机 30.88GW，同比增长 137.4%。CPIA 乐观预计光伏市场或将开启加速模式，并将今年全球和我国的新增装机预测均调高 10GW。图表 17 全球光伏新增装机及预测（GW）图表 18 我国光伏新增装机及预测（GW）资料来源：CPIA，华安证券研究所 资料来源：CPIA，华安证券研究所 光伏产业链上下游环节较多。其上游为工业硅和晶体硅料的生产，单晶硅棒、多晶硅锭的加工制造；中游为硅片、电池片的生产加工和光伏电池组件的生产制作；下游为光伏系统的应用，包括电站项目的开发、电站系统的集成和运营等，并逐渐向光伏取暖、光伏交通等领域拓展。公司产品主要用于光伏产业链的中游环节，为太阳能电池片厂商提供镀膜设备，用于在电池片薄膜沉积，是光伏电池片生产环节的关键工艺设备。图表 19 光伏产业链 资料来源：捷佳伟创公司公告，华安证券研究所整理 17.530.2 3238.4435373102106120138170195220245270300315170240275300330360366050100150200250300350400201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202520272030保守装机量 乐观装机量205-250GW0.892.74.510.95 10.615.134.553.0644.2630.148.254.887580859010010554.889095100110122128020406080100120140201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202520272030保守装机量 乐观装机量85-100GW 敬请参阅末页重要声明及评级说明 15/36 证券研究报告 微导纳米（688147）国内光伏电池片企业选用的光伏设备已基本实现国产化，薄膜沉积设备多样化。理想晶延、捷佳伟创和红太阳等占据薄膜沉积设备的主要市场份额。无锡松煜、理想晶延和微导纳米主要采用 ALD 技术，捷佳伟创、北方华创、红太阳及 Centrotherm 主要采用PECVD 技术，拉普拉斯主要产品是 LPCVD。微导纳米连续两年 ALD 产品收入规模在国内同类企业中排名第一。在已经量产的高效电池技术领域，微导纳米在 ALD 设备领域市占率达到了 70%80%，在其同类产品中市场占有率稳居全球第一梯队。图表 20 行业内其他企业对比 名称 成立时间 企业简介 无锡松煜 2017 年 主要产品包括 ALD、管式 PECVD、LPCVD、三合一 PECVD 沉积系统等产品。理想晶延 2013 年 主要产品包括 ALD、PECVD 等系列。微导纳米 2015 年 国内主要从事光伏 ALD 设备的企业之一，产品类型以管式 ALD 设备为主，并拓展 PECVD、PEALD 二合一设备。捷佳伟创 2007 年 产品涵盖原生多晶硅料生产设备、硅片加工设备、晶体硅电池生产设备等。北方华创 2001 年 由七星电子与北方微电子完成并购重组而成，其 PECVD 产品已在光伏领域实现批量销售。红太阳 2009 年 中国电子科技集团控股子公司，主要产品包括 PECVD、LPC