2020存储芯片投资分析报告.pptx

,2020存储芯片投资分析报告,存储器行业投资地图,NOF Flash,NAND Flash,EEPROM,DRAM,SRAM,7.53亿美元,4.2亿美元,27.64亿美元,490亿美元,620亿美元,上市公司,非上市公司,长江存储,聚辰股份,合肥长鑫,北京君正,普冉半导体,普冉半导体 武汉新芯芯 天下,非大陆公司,旺宏华邦赛普拉斯,三星美光 西部数据SK海力士英特尔,三星SK海力士 美光,意法半导体安森美 微芯半导体,赛普拉斯,兆易创新北京君正,兆易创新 北京君正,北京君正 兆易创新,存储器行业投资地图,澜起科技,DRAM,是国内领先集成电路设计企业，世界内存接口芯片唯三产商之一，内存接口芯片市占 率将近50%，公司毛利率高达74%，两个指标皆居行业首位。其产品包括DDR系列接口 芯片（占总营收99%），高安全性的津逮服务器系列产品。公司预计在2020年内完成DDR5接口芯片、PCIe 4.0 Retimer量产版本研发，并将在近3年推出云端推理AI芯片。,聚辰股份,EEPROM,2018年公司为全球排名第三的EEPROM产品供应商，市场份额在国内EEPROM企业中排名 第一，公司在智能手机摄像头EEPROM芯片细分领域已奠定了领先的地位，已与行业主 流的手机摄像头模组厂商形成了长期稳定的合作关系。,兆易创新,NOFFlash/EEPROM,主营产品为NOF Flash、SLC NAND Flash、MCU和生物识别芯片，公司在NOF Flash市,场排名全球前三，仅次于华邦和旺宏，产品在消费电子、车载等领域得到广泛的应用。,除存储外，兆易创新还在MCU和生物识别芯片领域有良好的布局，是国内最大的通用MCU供应商，累计出货量超过3亿颗，客户超过2万个。,北京君正,DRAM/Flash,通过收购北京矽成布局进军存储行业，SRAM全球第二、DRAM全球第7，此外还拥有SLCNAND和NOF Flash产品，在车载存储领域颇有建树。此外还拥有全球领先的32位嵌入 式CPU技术和低功耗技术，主营业务为微处理器芯片、智能视频芯片等ASIC芯片产品 及整体解决方案。,普冉半导体,NOFFlash/EEPROM,普冉半导体的主要产品为SPI NOF Flash存储芯片和IIC EEPROM存储芯片,其推出的 130nmIIC EEPROM存储器芯片在业内处于领先地位。公司的EEPROM产品覆盖了2Kbit-1Mbit的容量需求，NOF Flash产品覆盖了2MB-128MB的容量需求，其产品广泛应用于 蓝牙、摄像头、手机屏幕、可穿戴设备和物联网等诸多领域。,核心观点,市场规模：半导体存储器件是半导体行业市场占比最高的分支，总计市场规模在1000亿美元以上，近几十年以来市场规模一直在波动中上行。DRAM和NAND Flash是最主流的半导体存储器，市场规模占比超过95%，价格受需求与供给的影响 呈现较为明显的周期性，2019年下半年价格下落至低点后企稳回升，目前在服务器等下游需求的刺激 下，价格正处于向上反弹的阶段，根据集邦咨询，此上升趋势有望在下半年趋稳。NOF Flash是除DRAM和NAND Flash之外最大规模的利基型存储，其市场曾随着功能手机的消亡而 逐步萎缩，目前凭借着其“芯片内执行”的特点在物联网、TWS耳机、5G、车载等领域广泛应用， 市场规模整逐步恢复，到2025年市场规模有望超过40亿美元。竞争格局：半导体存储器件的主要市场由海外巨头公司掌握，国产公司处于相对落后的位置，但已经在各个细分行业展开追赶，并已获得显著的进展。,DRAM市场由三星、美光、海力士垄断了95%的份额，目前国产厂商合肥长鑫已经开始量产并在官网 上架了相关产品，紫光集团也已建立DRAM事业部准备建厂。此外国内还有较多DRAM设计企业，包 括收购了ISSI的北京君正等，兆易创新也正在开展DRAM的研发工作；NAND Flash的市场由三星、西数、铠侠等6家企业垄断。目前NAND Flash的发展方向是3D堆叠，国外先进企业均已纷纷开发出100层以上堆叠的NAND Flash。国产厂商长江存储已宣布128层产品研发 成功，与国外先进企业的差距越来越小，已成为存储国产自主化的中坚力量。国内还有SLC NAND的 设计企业，包括北京君正、兆易创新等；NOF Flash市场上我国企业已不落人后，兆易创新的市占率已位居全球前三，仅次于华邦和旺宏。武汉新芯拥有自主的NOF Flash产能，此外，国内设计企业还包括普冉半导体、芯天下等。,4,投资建议,投资建议：关注存储领域的投资机会.兆易创新：公司的业务布局覆盖“存储、控制、传感”领域，主营产品为NOF Flash、SLC NAND Flash、MCU和生物 识别芯片，公司在NOF Flash市场排名全球前三。除存储外，兆易创新还在MCU和生物识别芯片领域有良好的布局，是 国内最大的通用MCU供应商，累计出货量超过3亿颗，客户超过2万个。澜起科技：是国内领先集成电路设计企业，世界内存接口芯片唯三产商之一，内存接口芯片市占率将近50%，公司毛利 率高达74%，两个指标皆居行业首位。其产品包括DDR系列接口芯片（占总营收99%），高安全性的津逮服务器系列产 品。公司预计在2020年内完成DDR5接口芯片、PCIe 4.0 Retimer量产版本研发，并将在近3年推出云端推理AI芯片。北京君正：通过收购北京矽成布局进军存储行业，SRAM全球第二、DRAM全球第7，此外还拥有SLC NAND和NOFFlash产品，在车载存储领域颇有建树。此外还拥有全球领先的32位嵌入式CPU技术和低功耗技术，主营业务为微处理 器芯片、智能视频芯片等ASIC芯片产品及整体解决方案。聚辰股份：全球排名第三的EEPROM产品供应商，市场份额在国内EEPROM企业中排名第一，公司在智能手机摄像头EEPROM芯片细分领域已奠定了领先的地位，与行业主流的手机摄像头模组厂商形成了长期稳定的合作关系。风险提示：（1）下游需求不及预期；（2）产品研发不及预期；（3）客户扩展不及预期；（4）设计类公司产能不稳定风险；表 ：重点公司盈利预测（百万元）,目录,一、产业历史沿革：技术发展与商业并购沙盘重演,二、存储芯片介绍：各类存储器一眼看尽三、行业竞争格局：海外巨头领先市场，国内企业发展迅速四、技术发展趋势：制程不是唯一标准，新技术竞相涌现五、市场供需分析：利基存储受需求影响，大宗存储周期明显 六、国产厂商现状：各类细分均已起步，部分领域不落人后,北京君正,聚辰股份,七、重点上市公司：兆易创新澜起科技八、投资建议与风险提示,1.1 半导体行业最大分支，坐拥千亿美元市场,图：2019年半导体行业规模（亿美元）,半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，集成电路又分为逻辑、模拟和存储等细分行业。在半导体行业中，最重要的方向莫过于存储器。其应用领域广泛，几乎所有常见的电子设备都需要使用存储器。根据WSTS 2019年11月估计数据，2019年全球半导体行业的整体规模在4000亿美元以上，存储器的市场规模超过1000亿，是半导体中规模最大的子行业，占比超过1/4。,图：半导体行业规模变化（亿美元）,1059.07,1046.17,656.74,541.51,410.56,239.6,136.23,Memory Logic Micro AnalogOptoelectronicsDiscrete Semiconductors Sensors,-40%,-20%,0%,20%,40%,60%,80%,5000450040003500300025002000150010005000,199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019E2020F,非存储器半导体非存储器半导体增速,存储器存储器增速,1.2 存储市场的风云变幻,0%,5%,10%,15%,20%,25%,30%,10005000,250020001500,400035003000,市场规模（单位：亿美元）,存储行业半导体行业存储行业占比,图：存储行业&半导体行业市场规模 1988年-2015年图：存储芯片市场规模1984年-2019年,0,200,400,600,800,1000,1200,市场规模（亿美元）,闪存 Flash MemoryDRAM,NOR flash,NAND Flash,EPROM+ EEPROM,+ NOF Flash,+ NAND Flash,1,存储行业市场规模稳健增长,存储行业兴起于1960s，是半导体行业重要的分支领域，其市场规模由开始的几十亿美元逐渐增长到 现在的近1000亿美元，约占整个半导体行业的25%。DRAM和闪存(Flash Memory)为存储芯片行业中占 比最高的两个分支，销售总额占据了整个存储芯片行业90%以上的市场份额。存储行业的发展历程大致可分为3个阶段。1990年以前，DRAM为存储芯片市场上主要的产品，且伴随 少量的EPROM和EEPROM。1990年至2000年，NOF Flash开始逐步占据一定比例的市场份额。2000年以后， NAND Flash开始爆发式增长，其市场规模直逼DRAM, 而NOF Flash的市场规模于2006年达到顶峰后开始逐渐下滑，但于近两年又开始有微小上升趋势。,1.2 存储市场的风云变幻,100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%,图：存储行业市场份额变化1980-2010（按地 区）USJapanKoreaRest of the World,2,存储行业玩家：美国日本韩国,存储行业的主要玩家伴随历史发展发生了显著的变化，霸主地位由一开始的美国企业（1969-1984年） 逐步转移到日本（1985-1996年），最后再转移到韩国企业（1996-现在）。目前存储行业的主要玩家包括韩国的三星、SK海力士；日本的东芝、铠侠、日立、NEC；美国的美光、 英特尔、西部数据等。,图：存储行业市场份额变化1990-2013（按企 业）,三星SK海力士美光东芝日立NEC其他100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%,1.2 存储市场的风云变幻,3,存储巨头收购获得新技术，迅速完成市场布局,表：存储行业50大收购案汇总 1996年-2018年（蓝色为规模前十）,1.3 闪存发展史：技术升级与容量变,江大原和施敏,博士共同发明 了浮栅 MOSFET，即所 有闪存，EEPROM和 EPROM的基础。,1967年1970年1981年1984年1986年1987年,1988年,1989年,1991年,1995年,1996年,2004年,2005年,2007年,2012年,2013年,2014年,2015年,2016年,2017年,2018年,Dove Frohman 发明了第一款 浮栅型器件EPROM，通过照射紫外线光擦除。,Eli Harari 发 明了世界上首 个电可编程和 可擦除存储 器EEPROM,Masuoka博士 在综合电子设 备大会上正式 介绍了闪存,英特尔推出了 闪存卡概念， 成立了专注于SSD的部门,Masuoka博士 发明了NAND闪 存即2D NAND,英特尔推出首 款商用闪存芯 片，成功取代EPROM产品， 主要用于存储 计算机软件,闪存营收破$220B(NAND营收$14.5B)。Apple推出了 配置4/8GB闪 存的iPhone,NAND总发售容 量超过DRAM,NAND的价格首 次基于同等密 度降至DRAM之 下,成本效应 将闪存代入计 算领域,东芝推出了SmartMedia存 储卡(固态软 盘卡)。三星 开始发售NAND 闪存,SunDisk推出 了34MB 串行 NOF Flash， 这是首款面向SSD应用的MLC 闪存芯片,SunDisk推出 首款基于闪存 的ATA SSD，容量为20MB,英特尔发售 NOF Flash 。 随后三星和东 芝各自推出 NAND Flash,三星创造了3DNAND，推出第 一代3D NAND闪 存芯片，32层 SLC V-NAND SSD850 PRO,三星推出24 层3D V-NAND，并在 美国闪存峰 会上展示了 1TB SSD,SK海力士发 售72层3DNAND;三星与东芝/西 部数据发售96层3DNAND,国家集成电路产业投 资基金一期对半导体 行业投资1387亿元;长 江存储量产32层3DNAND芯片，计划在2020年跳过96层3DNAND，直接进入128层,1,50年闪存发展史：EPROMNOR2DFLASH3DFLASH,1.3 闪存发展史：技术升级与容量变大,2,闪存容量飞速增长,0.0080.0640.1280.2560.512,1,2,4,16,32,6464,128,0,20,40,60,80,100,120,140,24层MLC32层TLC48层TLC,256GB128GB 128GB 128GB 64层TLC,512GB96层TLC,1TB1TB96层TLC128层TLC,2TB200层TLC/QLC,0,50,100,150,200,250,0,500,1000,1500,2000,2500,2013 2014 2015 2017 2018 2019 2020 2022E,容量(GB),层数,经过50年的闪存芯片发展，闪存容量增势迅猛。20世纪以前，主流的NOF Flash存储容量普遍在100MB 以下；到2004年，闪存存储容量进入GB时代，从2004年的1GB发展到2011年的128GB; 2013年3D NANDFlash技术的实践使闪存容量进一步提升，由128GB 发展到现在的1TB。图：闪存容量变化 1999年-2011年 （单位：GB）图：3D NAND Flash容量变化,1.3 闪存发展史：技术升级与容量变大,3,NAND竞争格局变迁:打破垄断格局,NAND Flash原厂颗粒的竞争格局可以大致分为三个阶段：在2013年Q4以前，三星、铠侠、美光、海力士和英特尔为5家最大NAND Flash原厂厂家，几乎占据了 全部NAND Flash颗粒市场。2013年Q4到2017年Q3之间，西部数据作为另一大NAND Flash原厂厂家加入了竞争并占据显著的市场份 额，铠侠的市占率由此下降了约10%，三星下降了约5%。2017年Q3以后，包括长江存储在内的其余厂商逐渐占据一定的市场份额，打破几乎被前6家大厂垄断的市场格局。,80%60%40%20%0%,10Q110Q311Q111Q312Q112Q313Q113Q314Q114Q315Q115Q316Q116Q317Q117Q318Q118Q319Q119Q320Q1,图：2010-2020Q1 NAND Flash 原厂颗粒市场格局其他SK海力士英特尔美光西部数据铠侠三星100%,表：不同阶段NAND Flash原厂市占率,1.4 DRAM竞争格局变迁：从百家齐放到寡头垄断,自美国Advanced Memory推出首款1K DRAM至今已超过50年，累积创造了超过1万亿美元的产值。DRAM市场 格局变化风起云涌，从1980年代的百家齐放，到2000年的战国纷争，再到现在的寡头垄断格局，全球 DRAM市场的玩家在不断变化。我们将DRAM的发展历史简单整理如下：,1969 年 美 国 公 司 Advanced Memory 正 式推出首款商业化 1K DRAM,1978 年 Mostek 的 4 名离职员工创建美 光，从1981年开始 投产64K DRAM,1970 年英特尔 和TI 是市场上 的主要玩家,从TI离职的工程师创 建了Mostek，在1970 年代后期，Mostek一 度占据全球DRAM市场85%的份额,日本挑起价格战，降价幅度 层高达90%，到1986年时， 日本厂商在世界DRAM市场市 占率高达80%。美国企业压 力巨大，因特尔1985年退出DRAM市场，TI在1998年将存 储业务卖给美光。,为攻美国技术壁垒，1976年日本 日立、三菱、富士通、东芝和NEC五大公司联合研究机构联合 研发DRAM ， 投资720 亿日元。1980年研发成功，DRAM量产良率 达到80%，远超美国的50%，奠定 了日本在DRAM市场的霸主地位,日本经济在1990年初到达巅峰后 开始衰落，1999年NEC和日立合 并了DRAM业务，成立了尔必达； 富士通退出了DRAM业务；2001年 东芝将DRAM业务卖给美光；2003 年尔必达吸收了三菱的DRAM业 务；2012年尔必达破产后被美光 收购,韩国存储企业的发展也采用了日本 的模式，1986年三星、LG、现代和 韩国的六所大学联合攻关DRAM核心 技术。1992年三星超越了日本的NEC，首次成为世界第一大DRAM内 存制造商，在其后至今的28年里一 直保持世界第一的位置,1999年韩国现代半导体 和LG半导体合并，2001 年更名为海力士，在金 融危机时海力士陷入破 产边缘，在SK的支持下 度过难关，并于2012年 更名为SK海力士。,西门子的DRAM技术来自于和美国 的IBM、摩托罗拉的合作，1999 年将其半导体部门分拆成立英飞 凌，2006年英飞凌将存储业务分 拆成立奇梦达（Qimonda），但 奇梦达未能成功渡过经济危机， 已于2009年破产。,美国：DRAM兴起,日本：由盛转衰,韩国&欧洲： 后来居上,1.4 DRAM竞争格局变迁：从百家齐放到寡头垄断,目前，DRAM芯片的市场格局是由三星、SK海力士和美光统治，三大巨头市场占有率合计已超过95%，而三 星一家公司市占率就已经逼近50%。寡头垄断的格局使得中国企业对DRAM芯片议价能力很低，也使得DRAM 芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一。图：DRAM主要市场玩家,目录,一、产业历史沿革：技术发展与商业并购沙盘重演,二、存储芯片介绍：各类存储器一眼看尽三、行业竞争格局：海外巨头领先市场，国内企业发展迅速四、技术发展趋势：制程不是唯一标准，新技术竞相涌现五、市场供需分析：利基存储受需求影响，大宗存储周期明显 六、国产厂商现状：各类细分均已起步，部分领域不落人后,北京君正,聚辰股份,七、重点上市公司：兆易创新澜起科技八、投资建议与风险提示,2.1 存储器类型众多，应用广泛,图：存储器的分类,半导体存储是存储领域的应用领域最广、市场规模最大的存储器件：按照停电后数据是否可继续保存在器件内，半导体存储器可分为掉电易失和掉电非易失器件；易失存储器在过去的几十年里没有特别大的变化，依然是以静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机 存取存储器（DRAM）为主；非易失存储器从早期的不可擦除PROM，到后来的光可擦除EPROM、电可擦除EEPROM，到现在的主流的Flash，技术在不断的更新、进步。现在RAM领域还出现了铁电存储器（FRAM）、相变存储器（PRAM）、磁存储器（MRAM）和阻变存储器（RRAM）等非易失静态存储器。,图：2019年全球半导体存储器市场分布,58%,40%,1% 1%,DRAMNAND Flash Nor Flash其他,2.1存储器类型众多，应用广泛,众多半导体存储器中，市场规模最大的是DRAM和NAND Flash，市场规模均在数百亿美元，其中DRAM2018年的市场规模已达到1000亿美元。除此之外，存储芯片市场空间较大的还有NOF Flash，其市场 规模曾一度随着功能手机的消亡而逐渐降低，但近年来随着新兴市场的崛起，NOF Flash的市场空间也已逐渐恢复。本报告讲主要针对以下几种类型存储器进行展开讨论。表 ：主要存储器类型介绍,存储芯片类型作用市场领先的参与者国内主要参与者市场规模市场特点,储光,亿美元,代码型闪存存储器，常 华邦、旺宏、兆易25亿-30 市场规模曾随智能手机消亡而逐渐 NOF Flash用于系统启动代码的存 创新、Cypress、美兆易创新,萎缩，但目前已随着新兴应用的崛 起而开始复苏,DRAM,用于和处理器直接通讯，,主要应用于手机、个人 计算机、服务器的内存,三星、SK海力士、 美光、南亚、华邦,合肥长鑫、福建晋华、 紫光集团、北京矽成（仅设计）,600亿-,元,1000亿美 市场规模最大的半导体存储器，市,场规模随价格波动而周期性波动,NAND Flash,主要存储器,三星、铠侠、西数、 美光、SK海力士、 英特尔,长江存储,400亿-600亿美 元,市场规模仅次于DRAM，市场规模随 价格波动而周期性波动,EEPROM,稳定耐用的数据存储， 意法半导体，微芯广泛应用于手机摄像头 科技、安森美、聚,模组、可穿戴设备等辰股份,聚辰股份、上海复旦,美元,8亿-9亿 市场规模较小，但随着智能手机摄,像头模组升级和物联网的发展，市 场规模不断增长,SRAM,用于CPU内部的一级缓 存以及内置的二级缓存,赛普拉斯，来扬， 瑞萨半导体,美元,3亿-5亿 多种原因影响，市场规模不断萎缩,2.1存储器类型众多，应用广泛,本地二级存储（本地磁盘，NAND Flash）,本地存储（NOF Flash,EEPROM）,主存储器（DRAM）,芯片外高速缓存（SRAM）,芯片内高速缓存（SRAM）,寄存器（SRAM）,L0：,L1：,L2：,L3：L4：,L5：,保存着取自本地存储的 缓存行,CPU可直接调取并执行,文件需调取到RAM才可执行,更小， 更快， 更贵的 存储设备,更大， 更慢， 更便宜的 存储设备,保存着从高速缓存器取 出的字,保存着从主存储器取出 的缓存行,保存着取自芯片外的缓 存行,不同的存储器在性能、价格、容量等各个方面大有不同，本报告将在后面详细进行介绍与阐述，下表 做个简要梳理。图：各存储器比较,2.2 EEPROM：低功耗，高擦写次数存储首选方案,EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，一般用在即插即用。在一些所需存储容量不大，并且需要频繁更新的场合，EEPROM相比较于Flash，由于其百万次的擦写次数和更快速的写入，成为更佳选择。近年来，EEPROM除了越来越多的集成到SOC芯片中，也可搭配AMOLED、指纹、触控、摄像头、蓝牙、无线等芯片形成模组。EEPROM以其通用性，稳定耐用的数据存储，各种小容量规格，能满足摄像头模组、可穿戴设备等对参数存储的要求。图：普冉半导体IIC EEPROM产品图：EEPROM应用领域,车用电子工业用电子通信用电子,手机用电子消费类电子物联网,2.3 NOFFlash：芯片内可执行，新兴领域应用广泛,图：NOF Flash的结构特点,NOF Flash应用领域极其广泛，几乎所有需要存储系统运行数据的电子设备都需要使用NOF Flash。 NOF Flash的广泛应用，主要得益于其可芯片内执行（XIP）的特点。如下图所示，Flash均使用浮栅 场效应管作为基本单元来存储数据。在控制栅极（Word Line与场效应管连接处）未施加电压时，源 极和漏极之间导通则数据为1，中断则为0。NOF Flash的连接方式为串联，读取数据不需对Word Line进行加压，直接测量对应的Bit Line和 Source Line之间的通断即可获取该存储单元的数据。不仅实现了位读取，还大大提高了数据读取的 速度。实现位读取，程序便可在NOF Flash上运行，即所谓的芯片内执行（XIP）。,图：美光NOF Flash产品,2.4 NAND Flash：大容量存储的最佳选择,图：NAND Flash的结构特点,NAND Flash的连接方式为串联，若要读取下图黄色Word Line（字线）的数据，需对其他所有WordLine进行增加电压，加压后漏极和源极处于导通状态。因此NAND Flash读取数据的最小单位是页（即Word Line上的所有数据），无法直接运行程序，所有数据必须先读取到RAM上后才可运行。从应用形态上看，NAND Flash的具体产品包括USB（U盘）、闪存卡、SSD（固态硬盘），以及嵌 入式存储（eMMC、eMCP、UFS）等。USB属于常见的移动存储设备，闪存卡则用于常见电子设备 的外设存储，如相机、行车记录仪、玩具等。,17%,12%,10%,8%,6%,36%,38%,36%,33%,33%,38%,40%,46%,49%,50%,9%10%8%10%11%,100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%,2017,2018,2019,2020E,2021E,图：NAND下游应用领域USB/闪存卡手机/平板SSDs其他,2.5 DRAM：计算机系统的运行内存,图：应用于服务器的RDIMM内存模组,DRAM是动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory）的缩写，主要的作用原理是利用 电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。DRAM的特征是运算速度快，但掉电 后数据会丢失，常应用于系统硬件的运行内存。DRAM用于计算机、手机的运行数据保存以及与CPU直接通讯。在计算机、服务器的应用领域，DRAM以内存模组的形式出现。内存模组由DRAM内存颗粒（即内存芯片）和内存接口芯片以及配套 的印制电路板组成。在手机等移动设备领域，DRAM直接以一颗芯片的形安装在主板上。,图：某手机主板使用的6GB内存芯片,2.5 DRAM：计算机系统的运行内存,图：DRAM下游应用占比,DRAM按照产品分类分为DDR/LPDDR/GDDR和传统型（Legacy/SDR）DRAM，相对于DDR的双倍 速率（在时钟上升沿和下降沿都可以读取数据），传统的DRAM只在时钟上升沿读取数据，速度相对 慢。应用领域相对较窄，是利基型的DRAM。DDR/LPDDR为DRAM的应用最广的类型，因此DRAM主要应用于计算机、服务器和移动设备上，根 据Yole数据统计，两者合计占DRAM应用比例约为90%。,100.00%90.00%80.00%70.00%60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%,2018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q3,legacy,DDR4,DDR5,LPDDR,GDDR,表 ：DDR、LPDDR、GDDR比较,LPDDR,比同代DDR内存更低的功耗和更小的体 积,主要应用于移动端电子产品,GDDR,与普通DDR相比，拥有更高的时钟频率 和更小的发热量,主要应用于图像处理领域,2.6 SRAM：微处理器内部高速缓存,SRAM即静态随机存取存储器，SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，DRAM每隔一段时间， 要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。SRAM的读写速度非常快，同时能够保证数据完整性，由 于SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，所以SRAM的电路结构非常复杂。由于SRAM更快，功耗低，但由于其容量小，成本更加昂贵，所以一般应用于带宽要求高，功耗要求低 的场景。目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存，比如作为微控制器的RAM或 者cache（32bytes到128kb）。图：SRAM六管结构图图：赛普拉斯nvSRAM系统框架,目录,一、产业历史沿革：技术发展与商业并购沙盘重演,二、存储芯片介绍：各类存储器一眼看尽三、行业竞争格局：海外巨头领先市场，国内企业发展迅速四、技术发展趋势：制程不是唯一标准，新技术竞相涌现五、市场供需分析：利基存储受需求影响，大宗存储周期明显 六、国产厂商现状：各类细分均已起步，部分领域不落人后,北京君正,聚辰股份,七、重点上市公司：兆易创新澜起科技八、投资建议与风险提示,3.1存储行业产业链概览,存储器行业投资地图,NOF Flash,NAND Flash,EEPROM,DRAM,SRAM,7.53亿美元,4.2亿美元,27.64亿美元,490亿美元,620亿美元,上市公司,非上市公司,兆易创新,长江存储,合肥长鑫,北京君正,北京君正 紫光国微,普冉半导体,普冉半导体 武汉新芯芯 天下,聚辰股份上海贝岭,非大陆公司,旺宏华邦赛普拉斯,三星美光 西部数据SK海力士英特尔,三星SK海力士 美光,意法半导体安森美 微芯半导体,赛普拉斯,兆易创新北京君正,3.2 EEPROM市场约10亿美金，国产厂商已有一席之地,图：EEPROM市场规模,EEPROM由于其可靠性高，成本低，百万次擦写等优点，2016年以前市场规模一直保持平稳状态。随着 智能手机摄像头模组升级和物联网的发展，EEPROM在智能手机摄像头、汽车电子、智能电表、智能家 居、可穿戴设备等新兴领域迅速扩张，据赛迪咨询预测，EEPROM的市场规模在2023年将会达到9.05亿 美元。全球市场上的 EEPROM 供应商主要来自欧洲、美国、日本，主要为意法半导体、微芯科技、安森美 等，值得一提的是，聚辰股份作为全球智能手机摄像头EEPROM的龙头，占据了市场约8.17%的份额。,图：2018年全球EEPROM市场份额,6.31,6.26 6.22,6.76,7.14,7.53,7.93,8.34,8.69,9.05,-0.84%,-0.51%,8.58%,5.61% 5.47% 5.32% 5.19%,-2.00%,0.00%,2.00%,4.18% 4.240.%00%,6.00%,8.00%,10.00%,0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,2014 2015 2016 2017 2018 2019E 2020E 2021E 2022E 2023E,市场规模（亿美元）,同比增长,37.00%,23.03%,8.17%,6.17%,5.80%,5.20%,1.92%3.25%3.49%,5.42%,STMicroelectronics Microchip聚辰半导体ON Semiconductor ABLIC辉芒微电子,上海复旦Rohm华虹 其他,