2018年功率半导体行业专题报告.pptx

,2018年7月31日,2018年功率半导体行业专题报告,“汽车+工业”重构供需格局，缺货涨价带来国产化发展良机, 功率半导体=功率分立器件+功率IC。功率半导体在生活中随处可见，分为功率分立器件和功率IC，应用广泛。类似于：半导体=分立器件+集成电路IC。功率IC相当于SOC，功率模块相当于SIP。功率IC属于模拟IC的范畴。 需求驱动力：汽车电子、工业自动化。据Yole数据，2017年全球功率半导体市场规模超300亿美元。根据Infineon预估，汽车中功率半导体量价齐升驱动汽车对功率半导体需求中长期增速约为8%。根据ON Semi报告，2016年全球工业功率半导体市场规模约为90亿美元，预计2020年有望达125亿美元，年复合增速约为9%。 功率分立器件：二极管、MOSFET、IGBT。根据Yole数据，2017全球功率分立器件和模块市场规模约为150亿美元，其中二极管约占20%，MOSFET约占40%，IGBT及功率模块约占30%。全球功率分立器件市场竞争格局总体上较为分散，但高端产品主要由美欧日垄断。, MOSFET ：供不应求、交期延长、涨价蔓延。2017年以来，受益于市场需求旺盛，国际大厂产能向高端转移，上游硅晶圆供不应求，产能扩充不及时，供应紧张导致交货周期不断延长，涨价沿产业链蔓延。我们预计行业高景气度有望持续到2022年。, 国产化良机：大陆厂商迎发展良机，进口替代空间大。一方面国际大厂纷纷转攻高端产品让出低端市场，另一方面目前国产化水平非常低，本轮功率半导体的缺货潮有利于国内企业切入更多客户，进一步提高市场率，进行进口替代。, 建议关注：功率分立器件IDM、8英寸晶圆代工。IDM主要有杨杰科技、华微电子、士兰微等；晶圆代工主要,有华虹半导体、中芯国际等。, 风险提示：半导体行业周期性风险，市场竞争加剧风险，功率半导体降价风险。,核心观点,1、功率半导体=功率分立器件+功率IC2、需求驱动力：汽车电子、工业自动化,3、功率分立器件：二极管、MOSFET、IGBT4、MOSFET：供不应求、交期延长、涨价蔓延5、国产化良机：抢占市场、跟进涨价、进口替代6、建议关注：功率分立器件 IDM 、 8英寸晶圆代 工7、风险提示,半导体,分立器件D-O-S,功率半导体=功率分立器件（模块）+功率IC类似于：半导体=分立器件+集成电路IC。功率IC相当于SOC，功率模块相当于SIP。功率IC属于模拟IC的范畴。功率半导体=功率分立器件（模块）+功率ICO光电子,S传感器,DS分立元器件,二极管（不可控）,晶闸管（半控）晶体管（全控）,集成电路IC,模拟IC数字IC,AC/DC,DC/DCPMIC,功率IC放大器比较器,数据转换IC,转接口IC,功率分立器件集成化,功率模块,驱动器IC,小信号,传递小信号,小信号转变为大信号,控制器PMIC,驱动器Driver IC,开关,MOSFETIGBT模块,功率半导体两大作用：电源开关、电源转换电源开关的原理是用小电流控制大电流，小电流部分PMIC 和 Driver IC为功率IC，而大电流部分开关为MOSFET、IGBT等功率分立器件或模块。电源转换是指充电用电过程中交流电、直流电的相互转换。在小功率设备中，比如智能手机中的升压器、降压器、稳压器可集成在PMIC中，或做成单独功率IC；而在大功率设备中，比如电动汽车中的整流器、逆变器等一般则是由功率分立器件组成的功率模块。功率半导体的作用,电池,用电设备,IC：5、3.3、2.5、1.8、1.2、0.9V等；马达：3、6、12V；LED灯背光LCD屏,电源转换：AC、DC之间的相互转换,AC-AC：变压器, 变压器既可以降压，也可以升压，甚至用来隔离,而不改变电压值。,AC-DC：整流器, 常见的是整流二极管和晶闸管。几乎所有的家用电器和电脑中都有整流器，安装在电器的电源中。,DC-AC：逆变器, 用晶闸管来实现。用在UPS和变频器中，例如变,频空调。,DC-DC：升降压变换器稳压器LDO, 常用在仪器仪表中。,电源有交流电（AC）和直流电(DC)之分，在很多情况下，需要AC、DC之间进行变换。,AC、DC之间的相互转换,PMIC电源管理,CPU/GPU,AC/DC充电器,常见电子设备中的功率半导体电子设备中用于电源转换或者电源管理的半导体称为功率半导体键盘鼠标,存储,PCB主板,220V,锂电池,电脑/手机,AC/DC充电器,接线盒,DC/AC逆变器,功率半导体锂电池,DC/DC变换器,Motor电机,220V,功率半导体,LCD显示屏电动汽车,电动汽车,功率半导体应用广泛,功率半导体应用广泛,随着对节能减排的需求迫切，功率半导体的应用领域已从工业控制和4C（通信、计算机、消费电子、汽车）领域，进入新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场。,1、功率半导体=功率分立器件+功率IC2、需求驱动力：汽车电子、工业自动化,3、功率分立器件：二极管、MOSFET、IGBT4、MOSFET：供不应求、交期延长、涨价蔓延5、国产化良机：抢占市场、跟进涨价、进口替代6、建议关注：功率分立器件 IDM 、 8英寸晶圆代 工7、风险提示,2017年半导体市场规模来自ABI Research,汽车和工业应用是半导体行业增速最快的领域2017-2021半导体行业复合增速预测及2017年半导体市场规模,7.20%,6.70%,3.90%,3.30%,2.90%,1.40%,1.00%0.00%,4.00%3.00%2.00%,8.00%7.00%6.00%5.00%,汽车,工业,消费电子,整体,数据处理,通讯,$38bn,$50bn,$40bn,$147bn,$429bn,$154bn,功率半导体的四大应用领域,据IHS数据，2017年全球功率半导体市场中工业应用市场占比为34%，汽车应用市场占比23%，消费电子应用占比为20%，无线通讯应用占比为23%。,工业, 34%,汽车, 23%,消费电子,20%,无线通讯,23%,2017年功率半导体四大应用领域占比,电动汽车中功率半导体的价值量约是传统汽车的15倍,电动汽车中功率半导体的价值量约是传统汽车的15倍,传统燃油汽车中功率半导体价值量约为17美元，而电动汽车中功率半导体的价值量约为265美元，大约是燃油汽车的15倍。,智能化ADAS、车载电子对功率半导体需求提升,汽车电子方框图,汽车ADAS系统中的功率半导体,ADAS系统中需要大量功率半导体,智能化,汽车应用对功率半导体需求未来3-5年增速约为8%,量全球汽车产量增长,价电动化舒适化,量&价提升驱动汽车应用未来几年需求增速约为8%根据Infineon预估，随着全球汽车产量增长，同时汽车电动化、智能化、舒适化趋势带来汽车中单机功率半导体价值量提升，共同驱动汽车对功率半导体需求未来3-5年增速约为8%。汽车应用对功率半导体需求增速约为8%,2020年汽车功率半导体市场有望达70亿美元,2020年汽车功率半导体市场有望达70亿美元,根据ON Semi报告，2016年全球汽车功率半导体市场规模约为55亿美元，预计2020年汽车功率半导体市场规模有望达70亿美元。,工业自动化系统方框图,工业自动化系统中需要大量的功率半导体,2020年工业功率半导体市场有望达125亿美元,2020年工业功率半导体市场有望达125亿美元,根据ON Semi报告，2016年全球工业功率半导体市场规模约为90亿美元，预计2020年工业功率半导体市场规模有望达125亿美元，年复合增速约为9%。,第三代 GaN 和 SiC功率半导体未来有望高速发展,2020年工业功率半导体市场有望达12亿美元,根据ON Semi报告，2016年全球第三代功率半导体市场规模约为3亿美元，预计2020年第三代功率半导体市场规模有望达12亿美元。,功率半导体市场规模超300亿美元据Yole数据，2017年功率半导体市场规模超300亿美元，其中功率分立器件和模块市场规模约为150亿美元，功率IC约为200亿美元。预计功率分立器件2016-2021复合年增长率为3.1%，功率IC 2016-2021复合年增长率为3.4%，功率模块2016-2021复合年增长率为7.0% 。赛迪顾问数据显示，2016年我国功率半导体市场规模持续扩大，达到1496.1亿元，同比增长7.2%。2017功率半导体市场规模超400亿美元,2017E,2016,2018E,2019E,2020E,2021E,2022E,1、功率半导体=功率分立器件+功率IC2、需求驱动力：汽车电子、工业自动化,3、功率分立器件：二极管、MOSFET、IGBT4、MOSFET：供不应求、交期延长、涨价蔓延5、国产化良机：抢占市场、跟进涨价、进口替代6、建议关注：功率分立器件 IDM 、 8英寸晶圆代 工7、风险提示,23%,23%,24%,25%,26%,26%,26%,6%,7%,7%,8%,8%,8%,8%,42%,41%,38%,39%,38%,38%,38%,20%5%4%,21%5%4%,21%5%4%,21%5%4%,20%4%4%,20%4%4%,20%4%4%,0%,10%,20%,30%,40%,50%,90%80%70%,2016,2017,2018F,2019F,2020F,2021F,2022F,二极管晶闸管,60%BJT,MOSFET,IGBT,模块,二极管3B$，MOSFET6B$，IGBT及模块4.5B$功率半导体主要包括二极管、晶闸管、BJT、MOSFET、IGBT及模块。根据Yole数据，2017全球功率分立器件和模块市场规模约为150亿美元，其中二极管约占20%，MOSFET约占40%，IGBT及功率模块约占30%。功率分立器件（模块）市场结构按产品划分100%,Semikron, 2.6%,功率分立器件（模块）市场竞争格局（2016）,功率分立器件（模块）市场竞争格局,Infineon, 18.5%,ON Semi, 9.2%,STM, 5.3%,Mitsubishi,4.9%,Toshiba, 4.7%,Renesas, 4.1% Fuji, 4.2% Vishay, 4.5%,Rohm, 2.6%,other, 39.4%,根据IHS数据，功率分立器件（模块）市场竞争格局总体上较为分散，英飞凌为全球龙头。,功率分立器件（模块）巨头产品布局,国际功率分立器件（模块）巨头产品布局,二极管,整流高频二极管,齐纳二极管,整流二极管快整流（开关）二极管快恢复二极管FRD肖特基二极管SBD检波器二极管光电二极管,二极管：大部分二极管属于功率半导体一般情况下，FRD和SBD比整流二极管要高端一些。二极管分类功率半导体,二极管：不同二极管性能及应用,备注：好；X：差；：无,不同二极管性能及应用,Vishay,11%,STM, 9%,Shindenge,n, 5%Rohm, 4%NXP, 3%,other, 68%,Vishay,37%,Shindengen,22%,Lite-On,Semi,19%,other,22%,Rohm,17%,NXP,15%,ONSemi,14%,NihonInter, 6%,Shindengen, 5%,other,43%,全球功率二极管行业市场竞争格局全球功率二极管行业市场空间及竞争格局（2015）,二极管行业市场竞争格局较为分散Vishay是全球最大的整流二极管厂商,整流二极管0.4b$,FRD0.8b$,SBD0.8b$,晶体管,BJTMOSFETIGBT,小信号数字晶体管小信号,功率功率功率,晶体管：大部分晶体管属于功率半导体晶体管分类功率半导体,晶体管：不同晶体管性能对比,不同晶体管性能对比,MOSFET电流可以做到上KA，但是耐压能力没有IGBT强。IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，但频率不是太高。,功率（W）,功率分立器件（模块）应用领域,晶体管：MOSFET和IGBT应用比较,频率（Hz）,MOSFET可应用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，通信电源等高频电源领域。IGBT常应用于电动汽车、焊机，逆变器，变频器，电镀电解电源等领域。,IGBT主要厂商产品布局,IGBT及模块：竞争格局较为集中全球IGBT 市场中最主要的供应厂商包括英飞凌、三菱、富士电机、东芝、ABB、仙童。西门康、仙童（Fairchild）等企业在消费级IGBT 领域处于优势地位；ABB、英飞凌、三菱电机在中等电压的工业级IGBT 领域占据优势；在3300V 以上高电压等级的领域，主要由英飞凌、ABB、三菱三家公司占据垄断地位。,英飞凌,24.50%,三菱,24.40%,富士电机,12.20%,9.70%,2016年全球IGBT市场竞争格局其他,20.40%日立,3.20%安森美,5.60%赛米拉,MOSFET：竞争格局较为集中全球功率MOSFET市场竞争格局（2016）,Infineon,20%,Vishay,12%,Renesas,11%,Fairchild,9%,Toshiba,5%,Other,44%,低压MOSFET（2015）,Infineon,36%,STM,19%,Fairchild, 10%Toshiba,11%,Fuji, 5%,Other,19%,高压MOSFET（2015）,26.4%,13.4%,9.2%,7.5%,7.3%5.8%4.7%,3.6%,3.0%,2.2%2.0%,1.9%1.5%1.2%,英飞凌安森美（仙童）瑞萨,东芝,意法半导体威世AOS,恩智浦,美高森美,美格纳罗姆,IXYS达尔德州仪器,0%,5%,10%,15%,20%,25%,30%,1、功率半导体=功率分立器件+功率IC2、需求驱动力：汽车电子、工业自动化,3、功率分立器件：二极管、MOSFET、IGBT4、MOSFET：供不应求、交期延长、涨价蔓延5、国产化良机：抢占市场、跟进涨价、进口替代6、建议关注：功率分立器件 IDM 、 8英寸晶圆代 工7、风险提示,MOSFET需求端：高端需求（汽车&工业）快速增加,原有3C用低端MOSFET需求稳定增加，汽车工控用高端,1、车用及工控MOSFET需求快速增长,2、云计算和服务器应用MOSFET大幅增加3、3C产品搭载MOSFET数量持续增加4、物联网MOSFET需求快速提升,高端化,MOSFET需求快速增加。根据Yole数据，汽车用MOSFET于2016 年首次超过计算存储成为最大的应用领域，预计到2022 年MOSFET 在汽车领域的应用占比将达到22%。全球功率MOSFET市场规模预测,2017E,2016,2018E,2019E,2020E,2021E,2022E,MOSFET供给端：IDM大厂产能向高端产品转移2016年时原有低端3C应用MOSFET供需关系基本稳定,过去10年MOSFET市场需求集中在计算机或手机等3C产品IDM厂每年都有扩增产能及制程缩小，在供过于求的情况下，价格年年下杀直到2015年及2016年，价格跌到几乎无法赚钱时，部分IDM厂开始淡出市场如日本瑞萨（Renesas）就在3年前宣布退出3C应用MOSFET市场，英飞凌、威世（Vishay）、意法、安森美（ON Semi）等国际IDM大厂近几年来也并无扩产计划。高端需求（汽车&工业）快速增加,1、国际IDM厂将低端3C应用产能转移到高端车用及工控MOSFET车用及工控用MOSFET产品的技术要求更高，毛利率也更高。,2、国际IDM厂将部份MOSFET产能移转生产IGBTIGBT在电动汽车上应用需求高，IGBT由BJT和MOSFET组合而成，比MOSFET更高端一些。,MOSFET供给端：晶圆代工产能不足、扩产受限晶圆大尺寸趋势：12英寸（300mm）晶圆成为主流,全球硅片出货面积6英寸及8英寸晶圆代工产能不足 MOSFET目前仍主要在6英寸及8英寸晶圆上生产 代工厂逐渐将8英寸晶圆产能转向12英寸 CIS、指纹识别应用在8英寸上挤占MOSFET产能,全球硅片出货面积结构8寸晶圆代工扩产受限 8英寸硅片厂商扩产谨慎 设备厂商研发12英寸设备，停产8英寸新设备 8英寸二手设备短缺,MOSFET供不应求：交货周期延长 一般来说MOSFET、整流管和晶闸管的交货周期是8 -12周左右。 根据富昌电子2017Q4报告指出，英飞凌、Diodes、飞兆（安森美）、安森美、安世，ST，Vishay的低压MOSFET产品交期均延长至在16-30周区间。 根据富昌电子2018Q2部分MOSFET、整流管和晶闸管交期已进一步延长到20至40周。高中低压MOSFET、IGBT的交期趋势呈现了全面延长的局面，有的低压MOSFET的交期超过40周，IGBT最长交期达50周。,8-12周一般情况,16-30周2017Q4,20-40周2018Q2,MOSFET供不应求：涨价沿产业链传导，形成正反馈,根据国际电子商情报道，多家国内外原厂发布了自2018年1月1日起涨价的通知，主要集中在MOSFET、电源IC、LED驱动IC等产品，有的涨幅达到了15%-20%，其中MOSFET涨幅当属最大。,根据国际电子商情报道，随着Q3传统消费性电子旺季来临，茂矽、汉磊、新唐等MOSFET和IGBT订单满到年底，MOSFET价格有望继续上涨10%。,代工,涨价,产品涨价,硅片,涨价, 2017年12英寸硅片供不应求且价格逐季调涨，8英寸硅片价格也在2017H2跟涨，累计涨幅约10%，2018Q1的8英寸硅片价格继续上涨。硅片价格走势,2017Q4，台系晶圆代工厂世界先进对8英寸代工调涨5%10%，大陆晶圆代工厂无锡华润上华也发布涨价通知。2018Q2，联电8寸晶圆代工产能供不应求，已启动一次性涨价，预计涨幅高达20%。根据国际电子商情报道， 2018Q3预期继续涨价，其中6吋晶圆代工价格调涨10-20%，8吋晶圆代工价格亦调涨510%。,1. 硅片供不应求涨价2. 下游产品涨价促进硅片涨价3. 硅片厂商考虑扩产,1. 产能利用率提升消化硅片涨价成本2. 代工跟进涨价向下游转移硅片成本3. 代工调整产品结构提升毛利率4. 代工考虑扩产,1. 2018以来，8英寸产品普涨，MOSFET涨幅较高。2. 2018H1产品逐季调涨5%-10%。,3. 代工产能供不应求，代工涨价转移给原厂，我们预计2018H2产品有望继续逐季调涨5%-10%。,华虹半导体产能及产能利用率,2019E,2020E,2018E,2021E,2022E,2009,2004,2005,2006,2007,2008,2009,2010,2011,2012,2013,2014,2015,2016,2017,8英寸景气判断：预计行业高景气持续到2022年,2016年，200mm晶圆制造能力已进入短缺状态；2017年，200mm晶圆需求又增长了9.2%。因为晶圆厂扩产周期为1-2年，我们预计8英寸供需紧张带来的涨价效应在2019H2将有所缓解。以联电为例，联电计划对8寸厂和舰启动三年多来最大规模扩产，幅度达15%，预计2019Q2完成。供需紧张缓解后，供给仍将匹配需求不断增长。据SEMI预测，全球200mm晶圆厂将在20172022年间，实现晶圆产能增加60wpm，增长率高达11%，预计到2022年可以实现月产600万片晶圆。8英寸晶圆厂数量及产能,1、功率半导体=功率分立器件+功率IC2、需求驱动力：汽车电子、工业自动化,3、功率分立器件：二极管、MOSFET、IGBT4、MOSFET：供不应求、交期延长、涨价蔓延5、国产化良机：抢占市场、跟进涨价、进口替代6、建议关注：功率分立器件 IDM 、 8英寸晶圆代 工7、风险提示,国产化替代良机：大陆厂商迎发展良机,国外大厂发起涨价,台系厂商稳价提高市占率跟进涨价,大陆厂商稳价提高市占率跟进涨价,稳价提高市占率 在功率半导体领域，一般情况下，第三方较难介入原有客户与供应商的合作关系。 但随着全球供需紧张，国际大厂涨价蔓延和交期延长，国内厂商可以通过在涨价形势中维持产品价格的竞争力，从而获得潜在优质客户资源，进一步提升产品的市场占有率。,大厂让出低端市场 随着英飞凌、意法、德仪、瑞萨、东芝等国际大厂纷纷转攻高毛利的工业用、车用中高压产品，淡出一般用于PC、手机等消费电子产品用MOSFET，本轮MOSFET等功率半导体的缺货潮就给了国内企业一次绝佳的发展机会。,2017年全球TOP半导体企业在华销售额情况,国产化替代良机：进口替代空间大,尽管大陆、台湾地区厂商已在二极管、晶闸管、低压MOSFET等低端功率器件领域已开始进口替代，但国外厂商占据着大部分市场份额。,2017年功率半导体一线厂商中：NXP有45%的收入来自中国大陆，英飞凌有25%的收入来自中国大陆，意法半导体有61%收入来自中国大陆。,28.5%,17.1%,7.6%6.9%4.9%4.2%4.1%3.8%2.9%2.5%1.9%1.9%1.8%1.2%1.1%,英飞凌,安森美（仙童）瑞萨东芝AOS意法半导体威世恩智浦美高森美达尔士兰微IXYS罗姆富士电机华微电子,0%,5%,10%,15%,20%,25%,30%,国产化替代良机：进口替代空间大2016年中国大陆MOSFET市场竞争格局 在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，国,内主要依赖进口，基本被国外欧美日企业垄,断。, 目前中国大陆以扬杰科技、华微电子、士兰微为代表的功率半导体龙头企业市场占有率非常低，进口替代的空间巨大。2017年中国大陆半导体功率器件十强企业,1、功率半导体=功率分立器件+功率IC2、需求驱动力：汽车电子、工业自动化,3、功率分立器件：二极管、MOSFET、IGBT4、MOSFET：供不应求、交期延长、涨价蔓延5、国产化良机：抢占市场、跟进涨价、进口替代6、建议关注：功率分立器件 IDM 、 8英寸晶圆代工7、风险提示,大陆地区,GEM菱生力成日月光,台积电世界先进联电汉磊,尚志环球晶圆,合晶台胜高嘉晶,台半强茂,敦南科技统懋,丽正杨杰科技士兰微华微电子,华虹半导体,中芯国际华润上华上海先进方正微电子,长电科技,通富微电华天科技,大中杰力科技尼克森富鼎,台湾地区,硅片厂,晶圆厂,封测厂,原厂,中国功率分立器件产业链主要公司建议关注功率分立器件相关公司，IDM主要有杨杰科技、华微电子、士兰微等；晶圆代工有华虹半导体、中芯国际等。中国功率分立器件产业链主要公司,A股功率分立器件主要标的,1、功率半导体=功率分立器件+功率IC2、需求驱动力：汽车电子、工业自动化,3、功率分立器件：二极管、MOSFET、IGBT4、MOSFET：供不应求、交期延长、涨价蔓延5、国产化良机：抢占市场、跟进涨价、进口替代6、建议关注：功率分立器件 IDM 、 8英寸晶圆代 工7、风险提示,风险提示,功率半导体行业周期性风险：功率半导体行业随整着体半导体行业的周期性波动而波动，如果半导体行业景气度下降，功率半导体行业景气度也将面临下降风险。,市场竞争加剧风险：随着国内企业技术实力的不断提升，国际竞争对手对国内企业的重视程度也在增加，后续不排除国际竞争对手采取进一步提升在中国大陆市场竞争力的策略，这可能会使国内企业未来面临竞争加剧的风险。,功率半导体降价风险：功率半导体由于需求旺盛，供不应求导致涨价；如果功率半导体行业需求不及预期，或者功率半导体供给大幅增加，当供过于求时，功率半导体将面临降价风险。,191.38,182.01,9%,补充说明： WSTS分立器件包括非功率分立器件根据WSTS数据，2017年全球分立器件（模块）市场规模约200亿美元，约占全球半导体市场总规模的5%。 WSTS预计2018年分立器件（模块）市场规模将达到236亿美元。2017年全球分立器件（模块）市场规模超200亿美元,131.00,153.00,133.47125.28,157.62152.44,165.87168.09169.35,141.75,213.87,201.70194.18186.12,236.10216.51,12%,169.00 30%,-10%,3%,8%,18%,-3%,9%,1%,1%,-16%,40%198.02,8%,-11%,-5%,11%,-8%,4%,12%,-20%,0%-10%,10%,20%,40%30%,50%,0,50,100,150,200,250,1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018E,分立器件,同比,1135.4,1388.6 1390,1536,1872.4,1999.7,2327.7,2473.9,2691.2,2893.2,10005000,3000250020001500,2010,2011,2012,2013,2014,2015,2016,2017 2018E 2019E,补充说明：CSIA统计的分立器件规模包括D-O-S中国半导体行业协会统计的中国大陆半导体分立器件市场规模是实际上是包括了DS功率分立器件、O光电子（LED等）和S传感器。全球功率分立器件市场规模约200亿美元，中国功率分立器件市场规模暂无可靠统计数据，我们预计中国市场规模约占全球的60-70%，约130亿美元。中国大陆半导体分立器件市场规模（亿元）中国大陆半导体分立器件市场规模（亿元）3500,补充数据： IHS预计2016-2021年MOSFET市场规模复合增长率为3%。根据IHS数据，MOSFET主要应用于汽车、工业、消费、数据处理、通信领域，2017年市场规模约为60亿美元，预计2016-2021年复合增长率为3%。MOSFET市场规模,2017E,2016,2018E,2019E,2020E,2021E,2015,2014,补充数据： IHS预计2016-2021年IGBT市场规模复合增长率为8%。根据IHS数据， IGBT主要应用于工业和汽车领域，2017年市场规模超450亿元，预计2016-2021年复合增长率为8%。MOSFET市场规模,2017E,2016,2018E,2019E,2020E,2021E,2015,2014,谢谢观看!,THANK YOU!,