20240312_银河证券_存储行业深度报告：存储行业景气度拐点已至AI国产化需求复苏带来新周期_82页.pdf

AI/gaofeng_ S0130522040001 wangzilu_ S01305220500012024/3/12CHINA GALAXY SECURITIES 2 DRAM NAND 22/21/20 1392/1534/1175 24%/28%/27%DRAM NAND Flash 95%DRAM DRAM NAND 3D 2024 300 V-NAND 3-4 AI 2000 2000 2009 2017 2004 2020 PC AI AI PC AIMobile 23H1 SK 24Q2 2023 AI Server AI PC AI Mobile PC AI 2022 ChatGPT AI AI,AI PC+,AI LLaMA 70 LLaMA FP16 14GB 10GB HBM TrendForce AI GPU HBM 2023 HBM 60%2.9 GB 2024 30%HBM3 Gen 2 1.2 TB/s 8 24GB 1.HBM2E 2.5 0YFUuNsPnOmNqOsRsPpQrQ7N9R8OpNmMsQmQeRpPoNeRqRmQ8OrRuNNZoNqNwMoPoOCHINA GALAXY SECURITIES 3 AI/IC EPS PE2023E 2024E 2025E 2023E 2024E 2025E603986.SH 71.60 477.50 1.06 2.10 3.10 67.38 34.08 23.12300223.SZ 65.04 313.21 1.24 1.93 2.65 57.88 37.18 24.52688766.SH 84.09 63.50-0.82 1.63 3.32-44.05 25.31688110.SH 25.97 114.85-0.02 0.45 0.86-158.09 30.26688123.SH 52.70 83.36 1.28 2.50 3.38 56.04 28.69 15.60688416.SH 42.40 35.04 0.17 0.96 1.64 423.92 74.67 25.92688008.SH 52.36 597.67 0.45 1.21 1.86 159.08 59.11 28.14300672.SZ 55.66 120.86 1.17 1.82 2.60 61.24 39.28 21.44301308.SZ 87.37 360.72-1.55 0.90 1.60-79.74 54.55001309.SZ 90.87 102.91-1.28 1.87-56.11 48.47300042.SZ 32.98 66.09 0.14 0.40 0.55 501.75 178.91 59.97000021.SZ 14.95 233.31 0.48 0.60 0.72 147.93 119.91 20.86600584.SH 28.99 518.58 0.99 1.66 2.06 72.18 43.14 14.04002156.SZ 26.07 395.33 0.17 0.60 0.83 412.44 119.39 31.24 Wind(2024/3/10)表：公司估值及盈利预 测CHINA GALAXY SECURITIES-CONTENTS-401 DRAM NAND 02 AI 03 04 05 501PART ONE DRAM NAND CHINA GALAXY SECURITIES 61.1 NAND DRAM 60 ICT DRAM 70 EPROM EEPROM 90 NOR Flash NOR Flash DRAM 21 NAND Flash NAND Flash DRAM NOR Flash NAND Flash 0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%050010001500200025003000350040001988 1990 1992 1994 1996 1998 2000 2002 2004 2006 2008 2010 2012 2014 Cambridge Core,图2：存储芯片市场规模1984年-2019 年（单位：亿美元）图1：存储行业&半导体行业市场规模 1988 年-2015 年（单位：亿美元）020040060080010001200198419861988199019921994199619982000200220042006200820102012201420162018 Flash Memory DRAM NOR flash NAND Flash CFM,71.1 NAND DRAM 22/21/20 1392/1534/1175 24%/28%/27%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2002 2004 2006 2008 2010 2012 2014 2016 2018 2020 2022-40%-20%0%20%40%60%80%图3：2002-2023 年半导 体 产业内各 行业占 比 图4：2002-2023 年半导 体 产业内各 行业同 比增速 WSTS WSTS 81.1 NAND DRAM RAM ROM RAM SRAM DRAM ROM EEPROM Flash()PROM()EPROM()图5：各 存储器 比较图6：当 前主流 存储器 分 类 SIA Research 91.1 NAND DRAM 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%DRAM NAND Nor DRAM NAND Flash NOR Flash57%40%2%12/14nm 16/15nm 55/45nm 4ms 5s 5 MB/GB GB/TB MB/GB SSD eMMC/EMCP U AMOLED DRAM 50%NAND 35%Nor 2%EEPROM SRAM 1%DRAM DRAM FLASH 图7：存 储产业 各类产 品 市占率表1：DRAM、NAND Flash 和NOR Flash对比 WSTS TrendForce,101.1 NAND DRAM 23%26%15%18%7%11%,DRAM NAND FLASH 2023 DRAM SK 67%28.5%10%2023 NAND FLASH SK 49.5%21.6%10.3%图8：2023 DRAM 市场竞 争 占比 图9：2021 年NOR FLASH 市 场占比图10：2023 NAND FLASH 市场占比34%22%15%15%10%3%SK 42.70%28.50%24.30%2.20%1.10%1.20%SK TrendForce,111.2 DRAM DRAM DRAM DDR LPDDR GDDR JEDEC HBM LPCAMM DRAM CSDN 图11：DRAM 结构 图图12：DRAM 供给 需求产 链 121.2 DRAM 1 DDR DDR SDRAM DDR SDRAM DDR 1998 DDR SDRAM 20 DRAM 128MbpsDDR DDR2 DDR3 DDR4 6400Mbps DDR5 DDR DDR5 DDR6 2024 表2：各 代DDR产 品规格 情 况 图13：各 代DDR 产品市 场 占比情况 及预测1.98%1.98%0.94%0.94%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%75.00%45.09%22.08%10.00%6.98%5.94%5.00%3.96%2.92%2.92%2.92%1.98%23.02%52.92%76.98%89.06%93.02%94.06%91.98%79.06%43.11%37.08%20.09%3.02%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%3.02%16.98%53.96%60.00%76.98%95.00%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022E2023E2024E2025E2026EDDR2 DDR3 DDR4 DDR5SDR SDRAM DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 1997 2000 2003 2007 2012 2020Vdd 3.3V 2.5V 1.8V 1.5V/1.35V 1.2V 1.1V/MHZ 100-150 100-200 100-266 OC 133-300 OC 133-300 OC 133-200 I/O MHz)100-150 100-200 200-533 533-1200 1066-2400 2133-3200 1n 2n 4n 8n 8n 16n MT/s)100-150 200-400 400-1066 1066-2400 2133-4800 4266-6400 GB/s 0.8-1.6 1.6-3.2 3.2-8.5 6.4-19.2 19.2-38.4 34.1-51.2Bank 4 4 8 8 16 32 Bank 0 0 0 0 4 8 128MB-512MB 256MB-1GB 512MB-4GB 1GB-8GB 4GB-32GB 8GB-64GB 512MB 1GB 4GB 8GB 16GB 32GB 168 184 240 240 288 288 64 64 64 64 64 64(32x2 1 1 1 1 1 2 x4,x8,x16 X4,x8,x16 X4,x8,x16 x4,x8,x16 x4,x8,x16 X4,x8,x16 yole 131.2 DRAM 2 LPDDR 2006 LPDDR1 LPDDR LPDDR5 JEDEC 16 Bank LPDDR5 50%SK LPDDR5X CSDN CFM 表3：LPDDR 各代 规格图14：LPDDR 的 历代 发 展 情况 LPDDR LPDDR2 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5X 2009 2010 2012 2014 2016 2019 2022 60VFBGA 168FBGA 178FBGA 200FBGA200FBGA376FBGA432FBGA556FBGA(POP)315FBGA496FBGA(POP)315FBGA441FBGA496FBGA MT/S 400 1066 2133 3200 4266 6400 8533VDD()VDDO(IO)VDD1=1.8VVDD2=1.8VVDDQ=1.2VVDD1=18VVDD2=1 2VVDDQ=1.2VVDD1=1.8VVDD2=1.2VVDDQ=12VVDD1=1.8VVDD2=1.1VVDDQ=1.1VVDD1=1.8VVDD2=1.1VVDDQ-0.6VVDD1=1.8VVDD2=1.05/0.9VVDDQ=0.5VVDD1=1.8VVDD2=1.05/0.9VVDDQ=0.5V/POP CFM 141.2 DRAM 3 GDDR Graphics DDR DDR GDDR DDR AI 表4：GDDR 各代 规格对 比 情况图15：GDDR 和BW 的技 术 路 径GDRR3 GDRR4 GDRR5 GDRR5X GDRR6 bit 4 8 8 8/16 16 GT/s 2.5 2.2 5-8 10-14 16 GB/s 159 140.8 320-512 640-896 896-1024 V 1.8 1.5 1.35-1.5 1.35 1.25-1.35 151.2 DRAM DRAM DDR5 50 DDR4 1.2V DDR5 1.1V DDR5 IC DIMM DRAM 1-beta 16Gb DDR5 7,200 MT/s PC DDR5 High-K CMOS 50%33%图16：各 代DDR 产品电 压、传输速 率的提 升图17：DRAM 龙头 厂商的roadmap TechInsights 161.2 DRAM DRAM DRAM HBM HBM 4/8 16 DRAM 3D DRAM 3D NAND Flash cell DRAM 2D 2D 90 图18：HBM 架构 封装方 式图19：3D DRAM 结构 171.3 NAND 3D HDD+SSD+HDD SSD 10 SSD HDD RAM SSD 1976 Dataram Bulk Core SSD HDD 20 90 SSD SSD 2005 SSD WD SSD SSD 2010 2013 Pcle SSD 2014 SDD 2015 3D Xpoint 2018 QLC 2019 YMTC 32 Xtacking NAND 3D NAND 表5：HDD 与SSD 的性能 对 比图20：全 球和中 国企业 级SSD的历 史发展 SATA SSD(500GB)SATA HDD(500GB 7200rpm)/MB/s 540/330 160/60 3/6 IPOS 98000/70000 450/400 217/175 ms 0.1 1012 100120(PCMark)78700 5600 14 181.3 NAND 3D TLC QLC NAND Flash SLC/MLC/TLC/QLC NAND 3D NAND SLC IoT SLC NAND TLC QLC Anandtech 表6：不 同单 元 密度 的 技 术特 点图21：NAND 的单 元密度、擦写次数 和性能 区别Flash SLC MLC TLC QLC 10 1 3 1 1bit/cell 2bit/cell 3bit/cell 4bit/cell/MICRON 191.3 NAND 3D 3D NAND Flash SLC MLC TLC QLC NAND Flash 2D 3D 2D XY 3D NAND V-NAND Z MICRON 图23：3D NAND 对比2D 也 有寿命上 的提升图22：2D NAND 到3D NAND 路径 MICRON 201.3 NAND 3D 2017 DRAM 1x 1z 2024-2025 DRAM NAND 64 128 2024-2025 300 NAND 3D MICRON ASML 表7：3D NAND 堆 叠层数 的 演变 2015 32/36 2.5 702016 48 3.5 622017 64/72 4.5 60 2017 SK 72 2018 90 5.5 552018/96 2020 120 7 502021 140 8 45-50图24：存 储芯片、逻辑 芯 片制程趋 势图 ASML 211.3 NAND 3D 3D NAND 2022 232 NAND 236 3D NAND 2023 218 3D NAND SK 2023 300 3D NAND 2024-2025 2024 300 V-NAND 图25：主 流NAND Flash 技 术路 线图 TechInsights 2202PART TWO AI CHINA GALAXY SECURITIES 232.1 2000 2023 180 2023 400 20%2009 2014 4G VR/AR WSTS 图26：全 球半导 体重要 时 间出现节 点-60.00%-40.00%-20.00%0.00%20.00%40.00%60.00%80.00%01020304050602001-012001-052001-092002-012002-052002-092003-012003-052003-092004-012004-052004-092005-012005-052005-092006-012006-052006-092007-012007-052007-092008-012008-052008-092009-012009-052009-092010-012010-052010-092011-012011-052011-092012-012012-052012-092013-012013-052013-092014-012014-052014-092015-012015-052015-092016-012016-052016-092017-012017-052017-092018-012018-052018-092019-012019-052019-092020-012020-052020-092021-012021-052021-092022-012022-052022-092023-01 YoY Web 2G HiSilicon 4G IaaS 242.1-40%-20%0%20%40%60%80%05001000150020001999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023E YoY 3-4 2000 2000 2009 2017 2004 2020 PC WSTS 图27：存 储芯片 市场销 售 额和重要 节点DDR PC 06 Vista 11 DRAM 13-16 3G 4G 18-19+252.1-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%Wind 2016-2019 IDM 200%600%2786%40%80%2019-2023 150%270%40%60%2024 图28：各 存储厂 商股价 涨 跌幅趋势 情况 262.1 2001-2022 Eviews 0.46 0.59 0.75 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2001-1 2003-12 2006-11 2009-10 2012-9 2015-8 2018-7 2021-6-DDR3 图29：2001-2022 年美 光 股价、库 存和DDR3 合约 价 变化趋势(单位：%)Wind 272.1 2022 2016/6-2019/7 2019/8-2022/12 SK 25,650 97,700 281%56,700-42%56,700 150,500 165%74,700-50%9 65 592%27-58%26.85 98 267%48-51%8 30 274%11-63%11.35 39 243%19-52%2 61 2786%15-76%14.55 50 244%28-44%35 108 206%45-58%45.10 105 133%45-57%27 94 253%34-64%34.05 132 288%50-63%79 105 32%63-40%62.08 92 46%58-37%表8：近 两个周 期内存 储 厂商股价 最高点，最低 点 Wind 282.1 20 2000-2010 PC 2010-2020 2023 AI Wind 图30：2010-2023 年存 储 供需关系 错配 292.1 2021 DRAM 23 Q3 23 8 NAND 23 10 DRAM NAND Wind 012345620132014201520162017201820192020202120222023DRAM NAND Flash图31：2013-2023 年 DRAM 和 NAND 价格 走势图（单位：美 元）302.2 23 SK Line15 2023Q1 2023 3 20%2023 SK2022Q4 2023Q1 92%2023Q2 82%M16 2023 15-20 50%20%-30%20%2023 84%2023DRAM 2022 NAND Flash 2022 2023 120 70-75 2024 2022 10%15%+NAND Flash 2022 10 30%/2022 11 10%表9：2023 年各 存储厂 商 减产计划 312.2 24Q2 2023 2023 DRAM 3.4%NAND Falsh 7.7%23Q3-Q4 表10：DRAM 和供 给测算表11：NAND 和供 给测 算 IDC WSTS,CFM.2020 2021 2022 2023E 2024EDRAM 19828 24386 24936 24088 27827yoy 22.30%23.00%2.30%-3.40%6.70%22.0%24.0%-1.0%-2.7%9.0%24.0%21.0%4.0%-2.5%4.0%25.0%20.0%8.0%-5.0%5.0%35.0%1.0%-26.0%-11.0%15.0%18.0%11.0%-19.0%19.0%64.0%2020 2021 2022 2023E 2024ENAND 422467 580099 622526 574591 739107yoy 32.10%37.30%7.30%-7.70%11.22%23%40%2%-8%8%42%58%6%-6%12%19%24%6%-5%14%35%37%2%-10%10%WDC 52%31%3%-20%10%Intel 27%3%46%-2%5%IDC WSTS,CFM.322.2 图32：全 球主要 存储器 厂 商生产基 地 CFM.332.2 2022 10 30%SK 2023 70 40%SK 2023 50%TrendForce 2023 Q2 77%/74%/82%-100%-50%0%50%100%150%200%0500100015002000250030003500400045005000()yoy-100%-50%0%50%100%150%200%250%05001000150020002500300035004000()yoy Bloomberg 图33：海 力士资 本支出 变 化 图34：美 光资本 支出变 化 Bloomberg 342.3 AI LPDDR5/5X 2023 UFS4.0 LPDDR5/5X 2023 UFS4.0 LPDDR5X 8Gen3 UFS4.0 LPDDR5X 13 UFS 4.0 128/256/512GB+LPDDR5x 8/12GB 13 Pro UFS 4.0 128/256/512GB+LPDDR5x 8/12GB 13 Ultra UFS 4.0 256/512GB/1TB+LPDDR5x 12/16GB K60 Pro UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 8/12/16 GBOPPO Find X6 Pro UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12/16GBOPPO Find X6 UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12/16GBOnePlus 11 UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12/16GBVivo X Fold2 UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12GBVivo X90 Pro+UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12GBVivo X90 Pro UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 8/12GBVivo X90 UFS 4.0 128/256/512GB+LPDDR5x 8/12GBiQOO Neo8 Pro UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 16GBiQOO 11 Pro UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 8/12/16GBiQOO 11 UFS 4.0 128/256/512GB+LPDDR5x 8/12/16GB 表12：各 手机品 牌旗舰 手 机存储规 格 352.3 AI IDC 2023 K 600 4,306 27.4%3.7 200 1,435 27.5%5.2 2019-2023400-600 2,870-4,306 2023 10.4%LPDDR5 LPDDR5X LPDDR5 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5 图35：存 储全 面 进入LPDDR5 时代图36：中 国智能 手机价 格 段份额趋 势（2019-2023，单位：美元）IDC 42.4%28.5%20.0%22.3%27.5%12.0%13.9%17.0%12.7%10.4%31.9%39.4%39.8%41.3%34.7%13.7%18.2%23.2%23.7%27.4%0%20%40%60%80%100%2019 2020 2021 2022 2023$200$400-$600$200-$400$600 362.3 AI-20%-15%-10%-5%0%5%10%15%20%00.511.522.533.54PC%2022 PC 2.92 16.51%PC 0.49 15.06%PC 16.78%PC AI 2022 ChatGPT AI AI Microsoft 365 Copilot Windows Copilot PC AI图37：2010-2024 PC出货量 图38：AIPC 产业 链各 个 环 节共 同推 动 AI 本地 化 部 署 IDC 372.3 AI 24 AI PC canalys 2024 AI PC 19%2027 PC AI PC AI PC PC 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%0204060801001201401602023E 2024E 2025E 2026E 2027EAI PC AI PC%图39：整 机厂商 对AI PC 战略布局图40：AI PC 出 货量及 渗 透率预测 Canalys 382.3 AI AI PC+AI LLaMA 70 LLaMA FP16 14GB 10GB AI PC PCIe 3.0 PCIe 4.0 5.0 DDR4 DDR5 DDR4 DDR5 DDR5 1.6-3.2Gbps 0.8-1.6GHz 4.8-8.4Gbps 1.6-4.8GHz DDR5 4800MT/s DDR4 3200MT/s 50%1.2V 1.1V DIMM PMIC 64 32 BC4.BL8 BC8,BL16 16Gb SDP-64GB DIMMs 64Gb SDP-256GB DIMMs On-die ECC 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026DDR2 DDR3 DDR4 DDR5表13：DDR5 和DDR4 对比 图41：DDR5 将逐 步取代DDR4 CDDN Yole 392.3 AI HBM DRAM 2022 AI AI HBM HBM 24/25 AI AI HBM 320640GB 2025 HBM 2500 0%5%10%15%20%25%30%35%0501001502002503002020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E AI%-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%0500100015002000250030002019 2020 2021 2022E 2023E 2024E 2025E HBM yoy图42：2020-2025 年全 球AI 服务器 市场规 模及增 速 图43：2019-2025 年全 球HBM 场规模 及增速 IDC Omdia 402.3 AI HBM 60%TrendForce AI GPU HBM 2023 HBM 60%2.9 GB 2024 30%HBM3 Gen 2 1.2 TB/s 8 24GB HBM2E HBM3 2.5 表14：AI 服务器 训练需 要 大量HBM TrendForce 2023E 2024E 2025E 2026E 2027E HBM AI 6 12 25 37 45 GPU 8 8 8 8 8 GPU HBM 6 6 7 7 7 HBM 277 627 1402 2123 2546 HBM AI 14.3 27.9 50.2 81.6 102.8 GPU 4 4 4 4 4 GPU HBM 5 5 5 5 5 HBM 286 558 1005 1632 2057HBM AI 286 558 1,005 1,632 2,057 AI 277 627 1,402 2,123 2,546 HBM 141 155 170 187 206 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200HBM 1,904 2,540 3,777 5,143 6,009 4103PART THREE CHINA GALAXY SECURITIES 423.1-1966 IBM DRAM 1969 Advanced Memory System DRAM(1KB)1970 10 DRAM C1103 HP DEC 1973(T1)4KDRAM,1974 DRAM 82.9%1978 10 1979(UTC)1966 1970 1969 1973 1974 1978 1979 1976 VLS 1977 VLS 64K DRAM,1980 NEC)1986 65%30%1980 1976 1977 1980 1986 1980 1978 1983 16k DRAM 10 1986 10 VLS LG DRAM 1988 4 DRAM 1992 8 DRAM 1996 1 GB DRAM,1990 8 64M DRAM美国：DRAM诞生日本：由盛 转衰韩国：半导 体崛 起 图44：早 期半导 体产业 链 呈现“美-日-韩”转 移 趋 势 433.1-1970 1980 1976 1988 51%90 1986 1983 64K DRAM 90 DRAM 2000 2009 SK 64GB NAND SK V-NAND SK LPDDR5T DRAM 图45：日 本和韩 国存储 行 业收购情 况图46：三 星LPDDR 发展 史 443.1-70 DRAM 2012 DRAM NAND Flash DRAM 图47：主 要国家 地区 DRAM 市场份 额变化图49：1998 年 韩国在 全 球 DRAM 市场超 过日本,图48：1990s 韩 国、中 国 台湾 地区 等地 半 导体 产 业 开始 兴起0%20%40%60%80%198619881990199219941996199820002002200420062008201020122014201620182020,453.2 50 M.M.Atalla Dawon Kahng Dove Frohman EPROM Eli Harari EEPROM Masuoka SSD Masuoka NAND 2D NAND EPROM$220B(NAND$14.5B)Apple 4/8GB iPhoneNAND DRAM NAND DRAM,SmartMedia()NAND SunDisk 34MB NOR Flash SSDMLC SunDisk ATA SSD 20MB NOR Flash NAND Flash 3D NAND 3DNAND 32 SLC V-NAND SSD 850 PRO2020 4 128 QLC3DNAND 2021 6 4GbDDR4 GDQ2BFAA SanDisk 3D NAND;32 MLC 3D V-NAND 850 EVO SanDisk 48 3D NAND;384GB 3D NAND;NVMe m.2 48 V-NANDSK 72 3D NAND;/96 3D NAND 1387;32 3D NAND 2020 96 3D NAND 128 2022 2022 11 232 Xtacking3.0 2022 12 2023 1995 1970 1981 1984 1986 1987 1988 2007 2005 2004 1996 2013 1991 1989 2012 1967 2014 2015 2016 2020 2022 EPROM EEPROM NOR FLASH NAND FLASH图50：存 储产 品 类型 发 展 至今 历经50年 463.2 NAND SSD HTI 1967 1991 2001 2007 2008 2009 2010 2013 2017 1967 1991 2001 2007 2008 2011 2014 2016 2017 2019 1967 NAND Fash-1991 SSD2001 Texas Memonry Systems SSD 2012 IBM 2007 3D-V NAND 2008 Intel SSD X25-E Extreme2009 SSD HDD 2013 PCle SSD 3D NAND2007 SSD 2008 2011 2014 2016 2017 2019 SSD 图51：NAND Flash 产品 在 中美发展 情况 473.2 NAND/-MOSFET Floating Gate NAND Control Gate Vth 0 Vth 1 NAND 图53：擦 写次数 限制，电 荷被困在 氧化层 或氧化 层 被破坏 图52：8Gb 50nm 的SLC 颗 粒内部架 构 CSDN 483.2 NAND 3D 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022E 2023E 2024E 2025ESLC MLC TLC QLC0102030405060702017 2018 2019 2020E 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E2D 3D 图54：2014-2025 年 NAND FLASH 市 场划分 图55：2017-2025 年2D 和3D NAND 市场规 模 International business strategies 3D NAND 2D 3D 2D NAND 3D NAND 2025 3D NAND 97.5%TLC Triple-Level Cell QLC Quad-Level Cell NAND 95%Gartner 2019 SLC Single-Level Cell NAND 16.7 NAND 3%-4%493.2 NAND 10-12nm 2D NAND 10-12 3D NAND EUV 3D NAND 图57：镁 光/英 特尔的FG（多晶硅 浮栅）架构图58：东 芝P-BiCS 架构 图59：三 星TCAT CTF架构图56：各 厂商在3D NAND 的发展路 径 TrendFroce peacat peacat peacat 503.2 NAND 2030 GAA NAND imec 3D NAND GAA 2D/imec GAA NAND 图60：3D NAND GAA 和 沟 槽器件图61：不 同沟道 宽度的 沟 槽表现出 不同的 擦除性 能 513.2 NAND NAND NANDSLC 16Gb 2Gx8SLC 8Gb 1Gx8SLC 4Gb 512Mx8SLC 2Gb 256Mx8SLC 1Gb 128Mx8 NANDMLC 256Gb 32Gx8MLC 128Gb 16Gx8MLC 64Gb 8Gx8MCL 32Gb 4Gx83D TCL 1Tb3D TCL 512Gb3D TCL 256Gb-20%-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%05101520252017 2018 2019 2020E 2021E 2022E 2023E 2024ESLC NAND YoY图62：利 基SLC NAND 市 场