半 导 体 前 道 量 检 测 设 备 行 业 报 告（二）：先 进 制 程 关 键 设 备，电 子 束 检 测 正 崛 起评级：推荐(维持)证券研究报告2024年06月25日专用设备姚健(证券分析师)杜先康(证券分析师)S0350522030001 S 沪深300表现表现 1M 3M 12M专用设备-9.3%-12.6%-18.9%沪深300-3.5%-1.9%-10.0%最近一年走势相关报告半导体前道量检测设备行业报告：重点产品持续突破，国产替代正在加速（推荐）*专用设备*杜先康，姚健2024-01-19-31%-23%-16%-9%-1%6%2023/06/26 2023/09/24 2023/12/23 2024/03/22 2024/06/20专用设备 沪深300 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明3重点关注公司及盈利预测重点公司代码 股票名称2024/06/24 EPS PE投资评级股价 2023 2024E 2025E 2023 2024E 2025E300567.SZ 精测电子 57.47 0.54 1.00 1.45 106.43 57.47 39.63 买入688012.SH 中微公司 147.51 2.88 3.30 4.21 51.22 44.70 35.04 未评级688361.SH 中科飞测 52.95 0.44 0.63 0.95 120.34 84.05 55.74 未评级 东方晶源 资料来源：iFinD资讯，国海证券研究所 未评级公司盈利预测取自iFinD一致预期 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明4核心提要u 电子束检测是先进制程关键设备 随着集成电路工艺节点减小，缺陷尺寸减小、缺陷密度增加、漏检风险逐渐提升，受益加速电压下的波长优势，电子束检测技术精度较高，且对于电性缺陷具有独特的识别能力。先进制程及其配套产业链或将成为大基金三期的重点发力方向，半导体前道量检测设备目前国产化率仅个位数，电子束检测设备是先进制程芯片良率的关键保障，未来有望加速发展。u 国内电子束检测设备市场有望快速发展 我们测算，2024/2025年全球半导体量检测设备市场空间分别为159/196亿美元，中国大陆半导体量检测设备市场空间分别为55/68亿美元，全球电子束量检测设备市场空间分别约为25/34亿美元，其中，电子束关键尺寸量测市场空间分别为11/15亿美元，电子束缺陷检测市场空间分别为6/8亿美元，电子束缺陷复查设备市场空间分别为8/10亿美元。u 电子束检测设备国产替代空间广阔 根据VLSI数据统计，2023年全球半导体量检测设备行业CR5超过84%，主要供应商包括KLA、应用材料、日立等，其中柯磊半导体市占率高达55.8%。电子束检测设备方面，根据应用材料数据统计，2021年应用材料、日立、阿斯麦、KLA等企业的全球市占率分别为50%、28%、15%、6%，电子束检测设备国产供应商较为稀缺。u 投资建议：关注本土设备商产品进展 电子束检测设备国产替代有望加速，维持半导体前道量检测设备行业“推荐”评级。建议关注精测电子、东方晶源（未上市）、中微公司、中科飞测。1）精测电子：半导体产品持续完善，明场检测持续发展，DR-SEM国内领先；2）东方晶源（未上市）：聚焦电子束检测、计算光刻等产品，CD-SEM应用广泛，积极布局DR-SEM；3）中微公司：刻蚀设备国内领跑者，加速布局量检测赛道，或将发力电子束检测市场；4）中科飞测：聚焦半导体量检测，产品种类持续丰富。u 风险提示：半导体设备国产替代不及预期；行业竞争加剧风险；市场空间测算偏差风险；重点关注公司业绩不及预期；研究报告使用的公开资料可能存在信息滞后或更新不及时的风险。请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明5目录p 1、电子束检测是先进制程关键设备p 2、国内电子束检测设备市场有望快速发展p 3、电子束检测设备国产替代空间广阔p 4、风险提示与投资建议 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明61、电 子 束 检 测 是 先 进 制 程 关 键 设 备 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明7量检测设备是芯片良率的关键保障u 根据不同工序，半导体检测分为前道量检测、后道检测及实验室检测，其中，前道量检测主要应用于晶圆加工环节，目前以厂内产线在线监控为主；后道检测主要应用于晶圆加工后的芯片电性测试及功能性测试，目前主要分为第三方测试和厂内产线在线监控；实验室检测主要针对失效样品进行缺陷定位和故障分析，目前主要分为第三方实验室检测和厂内自建实验室。图表1：半导体检测分类（按工序）图表2：半导体检测对比（按工序）资料来源：胜科纳米招股说明书，国海证券研究所 资料来源：胜科纳米招股说明书，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明8量检测设备是芯片良率的关键保障图表3：前道量检测分类资料来源：中科飞测招股说明书，国海证券研究所u 前道量检测设备具有两大类功能，一是确保IC产线量产良率，二是定量监控生产设备，为设备验收、维保提供依据。按技术手段，前道量检测设备主要分为光学检测、电子束检测以及X光检测设备，本文旨在分析电子束检测设备的基本原理、发展趋势、供求状况。请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明9电子束检测助力先进制程发展u 光学检测存在分辨率瓶颈。分辨率是指仪器能够清晰分开两点间的最小距离，根据abbe公式，仪器分辨率的提升方式主要包括：1）减小照明波长，2）增大孔径角。入射波长是影响光学显微镜分辨率的主要因素，受可见光波长范围（400-760nm）的限制，光学显微镜的极限分辨率约为200nm。u 先进制程对光学检测提出较大挑战。光学检测目前是半导体质量控制的主要技术，具有速度快、无接触、易于在线集成等优势。为了提高检测精度，目前最先进的量检测设备所使用的光源波长已包含DUV波段，同时不再单纯依靠解析晶圆上的图案来捕捉缺陷，而是通过结合深度的图像信号处理软件和算法，在有限的信噪比图像中寻找微弱的异常信号，能够检测的制程水平进一步提升。然而随着工艺节点继续发展，相比真正的缺陷，噪声在检测结果中的比例显著提升，光学检测在先进节点应用中的可靠性降低。图表4：分辨率计算公式（abbe公式）图表5：28nm明场检测缺陷分布资料来源：电显微镜技术与应用徐柏森等，国海证券研究所注：是分辨率，是照明波长，n是镜头折射率，是物体与物镜间所成夹角（孔径角）的1/2资料来源：28 纳米关键工艺缺陷检测与良率提升龙吟，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明10电子束检测助力先进制程发展u 电子束检测能够显著提升分辨率。电子在加速电压下运动，其波长可达可见光波长的十万分之一，使用电子波作为照明源能够显著提升仪器分辨率。电子显微镜是以电子束作为照明源，通过电磁透镜成像，并与机械、电子和高真空技术相结合而构成的综合性电子光学仪器，目前主要包括扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、扫描透射电镜（STEM）、原子力显微镜（AFM）、分析电镜、超高压电镜等。图表6：不同加速电压下的电子波波长值资料来源：电显微镜技术与应用徐柏森等，国海证券研究所注：公式=h/(m*v)，其中，h是普朗克常数，m是电子静止质量，v是电子运动速度注：可见光波长约为4000-7600，1=0.1nm图表7：部分电子显微镜对比资料来源：电子显微技术与应用徐柏森等，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明11电子束检测助力先进制程发展u 二次电子是扫描电子显微镜的主要成像信号。扫描电子显微镜（SEM）的基本原理是，利用电子枪发射电子束经聚焦后在试样表面作光栅状扫描，通过检测电子与试样相互作用产生的各类信号（二次电子、背散射电子、吸收电子、俄歇电子和特征X射线等），分析试样表面的成分、形貌及结构。在扫描电子显微镜（SEM）中，用于成像的信号主要是二次电子，其次是背散射电子和吸收电子，用于分析成分的信号主要是X射线和背散射电子。图表8：入射电子与各类信号资料来源：扫描电子显微镜成像模式在金属材料研究中的选用杨显等图表9：二次电子、背散射电子、特征X射线对比资料来源：扫描电镜的基本原理及应用余凌竹等，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明12电子束检测助力先进制程发展u 电子光学系统是扫描电子显微镜的核心部分。扫描电子显微镜基本结构包括电子光学系统、信号收集处理系统、图像显示和记录系统、真空系统、电源及控制系统五个部分，其中，电子光学系统为核心部分。扫描电子显微镜的研制难点在于高质量电子光学系统生产困难、透镜内探测器设计难度较大以及低电压分辨率需要突破。电子光学系统：作用是产生束斑小、强度高的电子束流，由电子枪、聚光镜、扫描线圈、样品室等部件组成，其中，电子枪（照明源）是决定电镜性能的重要因素。信号检测显示系统：作用是收集二次电子、背散射电子等信号，并进行放大，由闪烁器、光电管、光电倍增管和前置放大器等部件组成。图像显像管和记录装置：作用是将调制信号通过显像转换成图像。真空系统：作用是减少电子的能量损失，减少电子光路的污染并提高灯丝的寿命。图表11：电子束检测设备的基本结构资料来源：HMI图表10：二次电子和背反射电子收集器示意图资料来源：电子显微分析章晓中 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明13电子束检测助力先进制程发展u 半导体前道量检测领域，常见电子束检测设备主要包括电子束缺陷检测设备（EBI）、电子束缺陷复查设备（DR-SEM）和电子束关键尺寸量测设备（CD-SEM）。电子束缺陷检测设备（EBI）：相比普通光学检测设备，EBI对于物理缺陷具有更高分辨率，并能通过电压衬度检测隐藏缺陷。受限于检测速度，主要用于抽样检测。电子束缺陷复查设备（DR-SEM）：根据光学检测或电子束检测设备提供的坐标，对缺陷进行复检分析。电子束关键尺寸量测设备（CD-SEM）：用于测量图形关键关键尺寸，相比普通SEM，CD-SEM的一次电子束能量较低，注重高精度、高速度、自动化的尺寸测量。资料来源：AMAT，日立高新，基于晶圆栅格标准样片的特征尺寸扫描电子显微镜放大倍数在线校准金红霞等，用于集成电路制造中良率监控的国产化电子束缺陷检测设备蒋俊海等，国海证券研究所图表12：电子束检测设备主要类型图表13：缺陷检测和缺陷分析流程资料来源：集成电路产业全书王阳元，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明14电子束检测助力先进制程发展u 多电子束方案能够提升检测速度。传统SEM的最大成像速度始终受到库伦相互作用、探测器带宽的限制，可以通过多电子束方案提升检测效率，是电子束检测的重要方向；然而，根据集成电路产业全书，若要达到与光学检测相同的检测速度，需要实现数百甚至数千电子束的并行运行，设备成本将会大幅提升，研究热点是在系统复杂性、整机成本与检测效率之间取得平衡。资料来源：ASML图表14：HMI多电子束系统结构资料来源：ASML图表15：ASML多电子束系统持续迭代 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明15电子束检测助力先进制程发展u 电子束检测市场有望快速增长。根据VLSI统计，2023年全球半导体前道量检测设备市场中，光学、电子束、X光技术占比分别为81.4%、14.2%、2.3%。相比光学检测技术，电子束技术速率较慢、设备成本较高，然而检测精度较高。根据MMR，2022年全球电子束检测市场中，1nm以下应用占比过半，随着集成电路工艺节点减小，缺陷尺寸减小、缺陷密度增加、漏检风险逐渐提升，电子束检测技术具有显著的分辨率优势，且对于电性缺陷具有独特的识别能力，2 0 2 2-2 0 2 9年全球电子束检测市场有望快速增长，C A G R预计为 1 9.9%，2 0 2 9年 1 0 n m以上应用将成为电子束技术的主要市场。图表16：电子束可与光学检测技术互补资料来源：E-Beam Inspection and Metrology:Developments and Applications in LithographyASML注：以上缺陷未被任何光学检测技术识别图表17：对比光学检测技术和电子束检测技术（1）资料来源：集成电路制造在线光学测量检测技术：现状、挑战与发展趋势陈修国等，中科飞测招股说明书，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明16电子束检测助力先进制程发展图表18：对比光学检测技术和电子束检测技术（2）资料来源：AMAT电 子 束 的 束 斑 直 径 较 细 能 够 检 测 3 D 结 构 和 埋 藏 缺 陷 电 子 束 设 备 能 够 检 测 E U V 图 案 中 的 细 小 缺 陷 和 关 键 尺 寸电 子 束 光 学电 子 束 光 学噪 音 随 深 度 显 著 增 加 噪 音 几 乎 不 随 深 度 增 加电 子 束 设 备 通 过 背 散 射 电 子 更 好 呈 现 3 D 结 构 电 子 束 设 备 分 辨 率 较 高、速 度 较 慢光 学电 子 束光 学电 子 束电 子 束无 法 显示 深 槽显 示 深 槽底 部 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明172、国 内 电 子 束 检 测 设 备 市 场 有 望 快 速 发 展 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明18先进制程及配套产业链有望加速发展u 国家集成电路产业投资基金三期（简称“大基金三期”）于2024年5月24日正式成立，注册资本3440亿元，资金规模超过大基金一期（987.2亿元）、大基金二期（2041.5亿元）总和。大基金一期：主要聚焦于集成电路制程环节，根据皮书数据库，截至2018年6月，制造、设计、封测和装备材料等领域投资占比分别为63%、20%、10%和7%。大基金二期：在产业链上游设备、零部件及材料的投资力度加大，根据芯思想统计，截止2022年3月31日，晶圆制造、集成电路设计工具及芯片设计、封装测试、装备/零部件/材料、应用等领域投资占比分别为75%、10%、2.6%、10%和2.4%。大基金三期：考虑我国在先进制程上的短板，以及配套的上游设备、零部件、材料、EDA及IP等供应链存在“卡脖子”问题，先进制程及其配套产业链或将成为大基金三期的重点发力方向。半导体前道量检测设备目前国产化率仅个位数，电子束检测设备是先进制程芯片良率的关键保障，未来有望加速发展。图表19：大基金一期资金投向资料来源：皮书数据库，国海证券研究所注：截至2018年6月图表20：大基金二期资金投向资料来源：芯思想，国海证券研究所注：截至2022年3月31日 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明192023年全球/中国大陆量检测设备市场空间为 128/44亿美元图表21：2023年全球半导体量检测市场结构（亿美元）资料来源：VLSI，中科飞测公告，国海证券研究所注：晶圆薄膜量测设备包含晶圆金属薄膜量测设备、晶圆介质薄膜量测设备，关键尺寸量测设备包含电子束关键尺寸量测设备，掩膜版量测设备是指掩膜版关键尺寸量测设备，图形晶圆缺陷检测设备包含明场纳米图形晶圆缺陷检测设备、暗场纳米图形晶圆缺陷检测设备。请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明20202 4年全球/中国大陆量检测设备市场空间为 159/55亿美元u 根据VLSI统计，2020/2023年全球量检测设备市场空间为76.5/128.3亿美元，CAGR为18.8%；2023年全球半导体量测/检测设备市场空间分别为39.5/87.1亿美元，光学/电子束/X光检测设备市场空间分别为104.4/18.2/3.0亿美元。u 我们测算，2024/2025年全球半导体量检测设备市场空间分别为159/196亿美元，中国大陆半导体量检测设备市场空间分别为55/68亿美元，全球电子束量检测设备市场空间分别约为25/34亿美元，其中，电子束关键尺寸量测市场空间分别为11/15亿美元，电子束缺陷检测市场空间分别为6/8亿美元，电子束缺陷复查设备市场空间分别为8/10亿美元。假设1：2023年全球半导体设备市场中，半导体量检测设备的市场份额为12%，2024/2025年逐年+1%。假设2：2024/2025年全球量测/检测设备的市场份额维持2023年30.8%/67.9%；量测设备中，关键尺寸/套刻精度/晶圆薄膜/掩膜版/三维形貌量测设备的市场份额维持2023年15.5%/6.7%/4.5%/1.1%/0.6%，其中，晶圆介质薄膜量测/晶圆金属薄膜量测设备的市场份额维持2023年3.9%/0.6%；检测设备中，图形晶圆/掩膜版缺陷检测/无图形晶圆缺陷检测设备的市场份额维持2023年35.6%/14.1%/10.3%，其中，明场纳米图形晶圆缺陷检测/暗场纳米图形晶圆缺陷检测/晶图形晶圆缺陷检测设备的市场份额维持2023年19.5%/8.4%/7.7%；假设3：随着先进制程、复杂器件的持续发展，电子束检测技术优势愈发明显，2024/2025年电子束技术的市场份额相比2023年14.2%逐年+1.5pct，光学技术的市场份额相比2023年81.4%逐年-1.3pct，X光技术的市场份额相比2023年2.3%逐年-0.2pct；电子束技术中，2023年电子束关键尺寸量测/电子束缺陷检查/电子束缺陷复查设备设备的市场份额分别为6.6%/3.3%/4.3%，2024/2025年逐年+0.5pct/+0.5pct/+0.5pct。假设4：2024/2025年中国大陆半导体设备的全球市场份额维持2023年的34.4%，量检测设备的全球市场份额与半导体设备一致。请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明21202 4年全球电子束量检测设备市场空间约 25亿美元图表22：2023-2025年全球/中国大陆半导体量检测设备市场空间（亿美元）资料来源：SEMI，VLSI，QYResearch，中科飞测公告，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明223、电 子 束 检 测 设 备 国 产 替 代 空 间 广 阔 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明23全球：国际巨头主导电子束检测设备市场u 全球电子束检测设备市场集中度较高，欧美、日本企业处于垄断地位。根据VLSI数据统计，2023年全球半导体量检测设备行业CR5超过84%，主要包括KLA、应用材料、日立等，其中柯磊半导体市占率高达55.8%。电子束检测设备方面，根据应用材料统计，2021年应用材料、日立、阿斯麦、KLA等企业市占率分别为50%、28%、15%、6%。图表23：全球主要电子束检测设备供应商（亿美元）资料来源：wind，中科飞测招股书，AMAT，国海证券研究所注：各公司营收、净利润、毛利率均为财年数据，量检测设备收入及全球市占率为2020年数据 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明24全球：国际巨头主导电子束检测设备市场图表24：应用材料发展历程资料来源：iFinD，电子工程专辑，光纤在线，电子信息产业网，老古网，应用材料官网，techweb，芯智讯，国际电子商情，国海证券研究所资料来源：芯智讯，电子工程专辑，快科技，第一财经，激光制造网，国海证券研究所图表25：ASML发展历程 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明25全球：国际巨头主导电子束检测设备市场图表26：KLA发展历程资料来源：KLA官网，洛杉矶时报，半导体在线，电子工程专辑，photonicsonline，electronicsweekly，vision-system，marketscreener，merge，IPIRA，electronicdesign，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明26全球：国际巨头主导电子束检测设备市场资料来源：应用材料官网，国海证券研究所图表27：应用材料电子束检测设备 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明27全球：国际巨头主导电子束检测设备市场资料来源：日立高新官网，国海证券研究所图表28：日立高新电子束检测设备 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明28全球：国际巨头主导电子束检测设备市场资料来源：ASML官网，国海证券研究所图表29：ASML电子束检测设备 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明29全球：国际巨头主导电子束检测设备市场资料来源：KLA官网，PR Newswire，国海证券研究所图表30：KLA电子束检测设备 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明30国内：电子束检测设备国产替代空间广阔u 电子束检测设备国产供应商稀缺。中国大陆半导体量检测市场中，设备国产化率较低，国际巨头处于市场主导地位，根据VLSI数据统计，2023年KLA市占率达55.8%。国产半导体量检测设备供应商主要包括上海精测、中科飞测、上海睿励等，2023年上海精测、中科飞测收入分别为3.32亿元、8.91亿元，国内市占率分别为1.06%、2.84%。电子束检测设备领域，目前国内主要供应商包括上海精测、东方晶源。图表31：2020年中国半导体量检测设备市场格局（亿美元）图表32：2018-2023年国内半导体量检测设备供应商收入资料来源：中科飞测招股书，国海证券研究所 资料来源：wind，中科飞测招股说明书，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明31国内：电子束检测设备国产替代空间广阔图表33：近年国内部分半导体电子束检测设备中标项目资料来源：中国招标网，必联网，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明32精测电子：明场检测持续发展，D R-S E M国内领先u 面板、半导体、新能源三大主业。精测电子成立于2006年，主要有显示面板检测、半导体检测和新能源检测三大业务，其中半导体检测业务主要由子公司上海精测、武汉精测负责。u 半导体产品持续完善。上海精测设立于2018年7月，主要聚焦半导体前道检测设备领域，其膜厚系列产品、OCD设备、电子束设备已取得国内多家客户的批量订单，半导体硅片应力测量设备已取得客户重复订单，明场光学检测缺陷检测设备已完成首台套交付，且已取得更先进制程订单，有图形暗场缺陷检测设备等其余设备目前正处于研发、认证及拓展过程中。图表34：精测电子前道量检测产品布局资料来源：精测电子公司公告，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明33精测电子：明场检测持续发展，D R-S E M国内领先u 先进制程DR-SEM实力领先。电子束检测方面，公司是国内极少数拥有完全自主知识产权的扫描电子显微镜企业，开发和突破了超高分辨率扫描电子显微镜技术，适用于1x nm先进集成电路的工艺缺陷的自动检测。公司电子束设备已取得国内一线客户的批量订单，电子束缺陷复查设备已取得先进制程重复性订单。资料来源：精测电子官网，国海证券研究所图表35：精测电子部分电子束检测设备型号 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明34东方晶源：C D-S E M应用广泛，积极布局 D R-S E Mu 聚焦电子束检测、计算光刻等产品。东方晶源成立于2014年，聚焦集成电路良率管理，主要产品为纳米级电子束缺陷检测装备（EBI）、关键尺寸量测装备（CD-SEM）、计算光刻产品（OPC）以及微电子设计与制造智能良率优化平台（HPOTM），积极布局电子束缺陷复检设备（DR-SEM）。资料来源：东方晶源官网，国海证券研究所图表36：东方晶源发展历程 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明35东方晶源：C D-S E M应用广泛，积极布局 D R-S E Mu CD-SEM产品丰富、应用广泛。自2021年起，东方晶源先后推出12英寸CD-SEM、6&8英寸兼容CD-SEM，CD-SEM产品已广泛应用于多个制程领域，包括12英寸28nm逻辑制程、3D-NAND制程、DRAM制程，以及8英寸Si、MEMS制程和6英寸第三代半导体SiC、GaN、GaAs等化合物制程。u 积极布局DR-SEM。东方晶源EBI、CD-SEM均已通过产线验证并进入Fab量产，同时获得多家客户重复订单，DR-SEM已经进入头部客户端验证，图像质量，算法（D2D）和CR（95%）等技术指标的验证结果符合量产需求。图表37：东方晶源部分电子束检测设备型号资料来源：东方晶源官网，国海证券研究所 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明36中微公司：刻蚀设备国内领跑者，加速布局量检测赛道u 持续丰富关键设备品类，或将发力电子束检测市场。中微公司成立于2004年，主营产品包括刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及VOC设备等，据科创板日报，未来5-10年公司计划覆盖50%-60%的集成电路关键设备。中微公司通过投资睿励仪器布局量检测赛道，未来会考虑涉足电子束检测设备市场。图表39：中微公司发展战略资料来源：中微公司公告，wind，国海证券研究所 资料来源：中微公司公告图表38：中微公司对睿励仪器多次增资 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明37中科飞测：专注半导体量检测，产品种类持续丰富u 聚焦量检测设备近十年，产品种类持续丰富。中科飞测成立于2014年12月，成立至今始终专注于半导体检测和量测设备研发、生产和销售，公司九大系列设备和三大系列软件产品组合构成了全方位的良率管理解决方案。根据中科飞测2023年报，公司九大系列设备面向全部种类集成电路客户需求，其中六大系列设备已经在国内头部客户批量量产应用，另外三大系列设备已完成样机研发，其中明场纳米图形晶圆缺陷检测设备、光学关键尺寸量测设备已出货客户开展产线工艺验证和应用开发，暗场纳米图形晶圆缺陷检测设备正在进行客户样品的工艺验证和应用开发，并于多家国内头部客户达成客户现场评估意向；三大系列智能软件已全部应用在国内头部客户。图表40：中科飞测发展历程 图表41：中科飞测九大系列设备和三大系列软件资料来源：中科飞测招股说明书，中科飞测官网，国海证券研究所 资料来源：中科飞测公告 请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明38投资建议u 电子束检测是先进制程关键设备 先进制程发展背景下，电子束检测技术优势愈发明显。先进制程及其配套产业链或将成为大基金三期的重点发力方向，半导体前道量检测设备目前国产化率仅个位数，电子束检测设备是先进制程芯片良率的关键保障，未来有望加速发展。u 关注本土设备商产品进展 电子束检测设备国产供应商稀缺，国产替代空间广阔，维持半导体前道量检测设备行业“推荐”评级。建议关注精测电子、东方晶源（未上市）、中微公司、中科飞测。1）精测电子：半导体产品持续完善，明场检测持续发展，DR-SEM国内领先；2）东方晶源（未上市）：聚焦电子束检测、计算光刻等产品，CD-SEM应用广泛，积极布局DR-SEM；3）中微公司：刻蚀设备国内领跑者，加速布局量检测赛道，或将发力电子束检测市场；4）中科飞测：聚焦半导体量检测，产品种类持续丰富。请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明39风险提示u 1、半导体设备国产替代不及预期。目前半导体设备国产化率较低，国内设备商在原材料自主化、先进制程产品研制、客户渗透率等方面均落后国际巨头，设备是半导体产品稳定生产的重要基础，晶圆、封测等终端客户对于设备商的选择较为谨慎，半导体设备国产替代速度存在不及预期风险。u 2、行业竞争加剧风险。电子束检测设备处于国产替代初期，国内仅少数设备商能够具备主要产品的研制能力，潜在竞争者或将通过自研、收购等方式加速布局电子束检测设备赛道，存在行业竞争加剧风险。u 3、市场空间测算偏差风险。文中各类量检测设备市场规模测算，存在较多假设，部分数据并非引用最新年度，市场空间测算存在偏差风险。u 4、重点关注公司业绩不及预期。u 5、研究报告使用的公开资料可能存在信息滞后或更新不及时的风险。请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明40免责声明和风险提示免责声明本报告的风险等级定级为R3，仅供符合国海证券股份有限公司（简称“本公司”）投资者适当性管理要求的客户（简称“客户”）使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。客户及/或投资者应当认识到有关本报告的短信提示、电话推荐等只是研究观点的简要沟通，需以本公司的完整报告为准，本公司接受客户的后续问询。本公司具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。本报告中的信息均来源于公开资料及合法获得的相关内部外部报告资料，本公司对这些信息的准确性及完整性不作任何保证，不保证其中的信息已做最新变更，也不保证相关的建议不会发生任何变更。本报告所载的资料、意见及推测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，本报告所指的证券或投资标的的价格、价值及投资收入可能会波动。在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。报告中的内容和意见仅供参考，在任何情况下，本报告中所表达的意见并不构成对所述证券买卖的出价和征价。本公司及其本公司员工对使用本报告及其内容所引发的任何直接或间接损失概不负责。本公司或关联机构可能会持有报告中所提到的公司所发行的证券头寸并进行交易，还可能为这些公司提供或争取提供投资银行、财务顾问或者金融产品等服务。本公司在知晓范围内依法合规地履行披露义务。市场有风险，投资需谨慎。投资者不应将本报告为作出投资决策的唯一参考因素，亦不应认为本报告可以取代自己的判断。在决定投资前，如有需要，投资者务必向本公司或其他专业人士咨询并谨慎决策。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的投资建议。投资者务必注意，其据此做出的任何投资决策与本公司、本公司员工或者关联机构无关。若本公司以外的其他机构（以下简称“该机构”）发送本报告，则由该机构独自为此发送行为负责。通过此途径获得本报告的投资者应自行联系该机构以要求获悉更详细信息。本报告不构成本公司向该机构之客户提供的投资建议。任何形式的分享证券投资收益或者分担证券投资损失的书面或口头承诺均为无效。本公司、本公司员工或者关联机构亦不为该机构之客户因使用本报告或报告所载内容引起的任何损失承担任何责任。风险提示本报告版权归国海证券所有。未经本公司的明确书面特别授权或协议约定，除法律规定的情况外，任何人不得对本报告的任何内容进行发布、复制、编辑、改编、转载、播放、展示或以其他任何方式非法使用本报告的部分或者全部内容，否则均构成对本公司版权的侵害，本公司有权依法追究其法律责任。郑重声明 心怀家国，洞悉四海国海研究深圳深圳市福田区竹子林四路光大银行大厦28F邮编：518041电话：0755-83706353国海研究上海上海市黄浦区绿地外滩中心C1栋国海证券大厦邮编：200023电话：021-61981300国海研究北京北京市海淀区西直门外大街168号腾达大厦25F邮编：100044电话：010-88576597国海证券研究所机械研究团队