ICS 27.160 F 12 DB61 陕西省地方标准 DB 61/T 512 2011 太阳电池 用单晶硅 片检验规 则 2011-04-20 发布 2011-05-01 实施 陕 西 省 质 量 技 术 监 督 局 发布 DB61/T 512 2011 I 前 言 SEMI M6 2008 GB/T 12965 2005 DB61/T 512 2011 1 太阳电池 用单晶 硅片检验 规则 1 范围 2 规范性 引用 文件 GB/T 1550 1997 GB/T 1553 2009 GB/T 1554 GB/T 1555 2009 GB/T 2828.1 1:(AQL)GB/T 6617 GB/T 6618 2009 GB/T 6619 2009 GB/T 6620 GB/T 11073 SEMI MF1535 2007 3 术语和 定义 3.1 线痕 saw mark 3.2 径向电 阻率 变化 radial resistivity tolerance 1/2 3.3 晶片厚 度 thickness of slices DB61/T 512 2011 2 3.4 总厚度 变化（TTV）total thickness variation 4 技术要 求 4.1 表面质 量 1 表1 硅片表 面质 量 20 m 1 mm 2 0.1 mm 0.1 mm/4.2 机械性 能 4.2.1 规格及 尺寸 125 mm 125 mm 156 mm 156 mm 1 2 图1 DB61/T 512 2011 3 表2 硅片尺寸 A/mm B/mm C a/mm D a/mm E 6 125 0.3 150 0.3 82.9 21.05 90 0.3 6.5 125 0.3 165 0.3 107.7 8.66 8 156 0.3 200 0.3 125.1 15.43 注：a 4.2.2 硅片厚 度和 总厚 度变 化 140 m 240 m TTV 30 m 4.2.3 弯曲度 30 m 4.2.4 翘曲度 75 m 4.3 电性能 要求 4.3.1 电阻率 3 4.3.2 径向电 阻率 变化 3 表3 电性能 参数/cm/%/s P 15 10 1 0.5 1 1 3 N 1.5 20 20 50 100 1 注：4.3.3 导电类 型 3 4.3.4 少数载 流子 寿命 3 4.4 晶体完 整性 DB61/T 512 2011 4 3000/4.5 晶向及 偏离 度 3 5 试验方 法 5.1 表面质 量 800 Lx 30 cm 50 cm 0.02 mm 5.2 规格 及 尺寸 0.02 mm 5.3 硅片厚 度和 总厚 度变 化 GB/T 6618 2009 3.2 5.4 弯曲度 GB/T 6619 2009 2 5.5 翘曲度 GB/T 6620 5.6 电阻率 GB/T 6617 5.7 径向电 阻率 变化 GB/T 11073 5.8 导电类 型 GB/T 1550 1997 A 5.9 少数载 流子 寿命 GB/T 1553 2009 A SEMI MF 1535 2007 5.10 晶体完 整性 GB/T 1554 5.11 晶向 及 偏离 度 GB/T 1555 2009 1 X DB61/T 512 2011 5 6 检验规则 6.1 组批 6.2 抽样 GB/T 2828.1 4 6.3 出厂检 验 4 6.4 型式检 验 4 1 a)b)c)d)e)表4 检验项 目及 合格 质量 水平(AQL)1 4.1 5.1 II 2.5 2 4.2.1 5.2 II 1.0 3 4.2.2 5.3 4 4.2.3 5.4 5 4.2.4 5.5 6 4.3.1 5.6 7 4.3.2 5.7 8 a 4.3.3 5.8 9 4.3.4 5.9 S-2 1.0 10 a 4.4 5.10 11 a 4.5 5.11 注：a 6.5 判定规 则 6.5.1 GB/T 2828.1(AQL)4 DB61/T 512 2011 6 6.5.2 GB/T 2828.1(AQL)4 _