请务必阅读正文后的声明及说明 Table_MainInfo Table_Title 证券研究报告 / 行业深度 报告 期待国产产能释放改变全球供给格局 DRAM 行业深度报告 报告摘要 ： Table_Summary 存储器市场爆发， DRAM 市场前景看好 。 2017 年全球存储器市场增长率达到 60%，首次超越逻辑电路，成为半导体第一大产品。 DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。 DRAM 厂商中，三星、 SK海力士和美光均采用 IDM 模式继续保持垄断地位，合计市占率超过95%，国产厂商开始积极布局， 2018 年将实 现量产，有望逐步改变当前产业格局。 DRAM 消费产品中，移动终端、服务器和 PC 依旧占据头三名，合计占比 86%，未来将继续拉动 DRAM 消费增长。 三星领先优势明显，传统技术难以替代 。 三星于 2017 年开始量产第二代 10nm 级 8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体 10nm 级 DRAM的产能，继续维持与其他 DRAM 大厂 1-2 年以上的技术差距。新型存储器由于存在 CMOS 兼容问题和器件级变化性，且 DRAM 的性价比高，技术成熟且具有规模优势，预计未来 5-10 年内难以被替代。同时，由于 DRAM 的平面微缩接近极限并向垂直方 向扩展， 18/16nm之后，薄膜厚度无法继续缩减，且不适合采用高介电常数材料和电极，继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势，3D DRAM 在宽松尺寸下能够实现高密度容量，且寄生阻容减少，延时串扰低，未来可能成为 DRAM 的演进方向。 受益于需求增长拉动， DRAM 保持量价齐增态势 。 随着 5G 商用逼近以及云计算、 IDC 业务的拉动，移动终端、服务器和 PC 侧的消费需求增长明显。各大厂商扩产热情不减，包括三星在韩国平泽的 P1厂房和 Line 15 生产线， SK 海力士的 M14 生产线，以及美光在广岛的 Fab 15 和 Fab 16 的扩产计划，但由于光刻技术接近瓶颈，良率问题日益突出以及新技术的出现，各厂商工艺进程都有所推迟，预计2018 年全球 DRAM 产能增加 10%， 2018 年 DRAM 依旧保持量价齐增态势。 我们建议关注国家政策资金支持带来的投资机会：兆易创新（ A股存储器龙头）、北方华创（ A 股集成电路设备龙头）、长川科技（ A股封测设备龙头）。 风险提示： 行业竞争加剧，需求增长不达预期。 Table_CompanyFinance 重点公司主要财务数据 重点公司 现价 EPS PE 评级 2017A 2018E 2019E 2017A 2018E 2019E 兆易创新 174.59 1.98 4.24 5.74 88.18 41.18 30.42 买入 北方华创 49.32 0.27 0.56 0.81 182.67 88.07 60.89 买入 长川科技 68.90 0.72 1.06 1.41 95.69 65.00 48.87 买入 Table_Invest 优于大势 上次评级： 优于大势 Table_PicQuote 历史收益率曲线 -10%0%10%20%30%2017/52017/62017/72017/82017/92017/102017/112017/122018/12018/22018/32018/4半导体 沪深300Table_Trend 涨跌 幅（ %） 1M 3M 12M 绝对 收益 6.01% 10.87% 29.64% 相对 收益 10.01% 25.12% 20.64% Table_IndustryMarket 行业数据 成分股数量（只） 38 总市值（亿） 4618 流通市值（亿） 3151 市盈率（倍） 53.73 市净率（倍） 3.60 成分股总营收（亿） 1194 成分股总净利润（亿） 59 成分股资产负债率（ %） 51.92 Table_Report 相关报告 国产半导体大势所趋，关注长线投资机会 2018-02-25 AI 新时代背景下电子行业投资的“硬道理” 2017-12-18 Table_Author 证券分析师：王建伟 执业证书编号： S0550515110003 0755-33975863 wangjwnesc 联系人：王少南 0755-33975863 wang_snnesc 半导体 /电子 发布时间： 2018-05-04 请务必阅读正文 后的 声明及说明 2 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 目 录 1半导体产业格局：价格推升成为半导体领域最大细分市场 . 3 1.1 全球半导体格局：亚太成为全球重心，存储器首超逻辑电路 .3 1.2 DRAM 全球市场：市占率第一，三巨头垄断地位难撼动 .4 1.2.1 DRAM 继续占据存储器细分市场第一 . 4 1.2.2 DRAM 供给侧分析：国内在建产能释放有望逐步改变市场格局 . 4 1.2.3 DRAM 分产品对比：移动终端、服务器、 PC 依旧是三大主力市场 . 5 1.3 产业链模式：存储器产业崛起有赖于 IDM 水平 .6 2. 存储器分类及 DRAM . 6 2.1 存储器概念、作用及分类 .6 2.2 DRAM 工艺流程 .7 2.3 DRAM 产品细分 .8 3. DRAM 发展趋势：传统技术难以替代，各厂商技术竞赛 . 9 3.1 存储技术对比 .9 3.2 3D DRAM 技术 .9 3.3 三大厂商积极布局 .10 3.3.1 三星扩产维持技术优势 . 10 3.3.2 受惠于市场需求， SK 海力士导入新技术和新工艺 . 11 3.3.3 美光业绩优于预期，年底步入 1xnm 阵营 . 11 4. DRAM 预测：需求大幅拉动，量价齐增态势明显 . 11 4.1 供给端：产能增长有限，摩尔定律放缓将会持续 . 11 4.1.1 三巨头垄断全球 90%产能， 2018 产能增速 10% . 12 4.1.2 良率问题及新技术出现，产能增速放缓 . 12 4.1.3 DRAM 涨 价带动盈利提升 . 13 4.2 终端结构性增长仍然存在， 5G 带动需求加速提升 .13 4.2.1 移动终端：国产手机占据半壁江山，需求持续上升 . 13 4.2.2 服务器： 5G、云计算、 IDC 发力，增长率第一 . 14 4.2.3 PC：市场整体稳定，未来小幅提升 . 14 4.3 结论：多方需求拉动，步入持续量增涨价周期 .14 5. DRAM 产业链：国产晶圆规模受限，设备厂商势头正劲 . 15 5.1 兆易创新 .15 5.2 北方华创 .16 5.3 长川科技 .16 5.4 长江存储 .16 请务必阅读正文 后的 声明及说明 3 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 1半导体产业格局：价格推升成为半导体领域最大细分市场 1.1 全球半导体格局：亚太成为全球重心，存储器首超逻辑电路 存储器作为半导体行业的重要分支，在经历了 2015 和 2016 年的持续走低后，2017 年，全球存储器市场迎 来了爆发，增长率达到 60%。世界半导体贸易统计协会报告显示， 2017 年，存储器销售额为历年来新高，超过 1200 亿美元，占全球半导体市场总值的 30.1%，主要原因是 DRAM 和 NAND Flash 从 2016 年下半年起缺货并引发涨价， 2017 年， DRAM 平均售价同比上涨 77%，销售总值达 720 亿美元，同比增长 74%； NAND Flash 平均售价同比上涨 38%，销售总额达 498 亿美元，同比增长 44%； NOR Flash 为 43 亿美元。三大存储器的价格大幅上涨导致全球存储器总体市场增长 58%，存储器也首次超越历年占比最 大的逻辑电路，成为全球半导体市场销售额占比最高的分支，在产业中占据极为重要的地位。 图 1：半导体产品分支销售占比 数据来源：东北证券， WSTS 2017 年半导体产品市场全球地区分布中，亚太及其他地区占比为 60.6%，同比增长 18.9%；北美地区占比为 21.2%，同比增长 31.9%；欧洲地区半导体产品市场占比为 9.3%，同比增长 16.3%；日本半导体产品市场占比为 8.9%，同比增长 12.6%。亚太地区作为全球最大的半导体消费市场，我们认为主要有两方面原因：一是由于中国产品规模在亚太地区的占 比逐年提升， 2016 年占比更是创下 92.4%的历史新高；二是由于中国的产品规模逐年增加，且增长率连续几年都高于亚太及其他地区整体水平，中国市场的良好表现有效拉动了整个亚太地区的增长。 图 2：半导体产品全球地区分布 图 3：中国与亚太及其他地区对比 数据来源：东北证券， WSTS 数据来源：东北证券， WSTS 请务必阅读正文 后的 声明及说明 4 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 1.2 DRAM 全球市场：市占率第一，三巨头垄断地位难撼动 1.2.1 DRAM 继续占据存储器细分市场第一 2017 年全球半导体存储市场， DRAM 的价格 /Gb 增长了 47%，由于价 格大涨，DRAM 市场规模到达 722 亿美元，较 2016 年的 415 亿美元增长了 74%，市场占有率 53%，继续保持半导体存储器领域市占率第一的地位。 图 4：半导体存储器市场分类 数据来源：东北证券 ， IHS Markit 1.2.2 DRAM 供给侧分析：国内在建产能释放有望逐步改变市场格局 从当前 DRAM 全球市场份额来看，韩国独占鳌头，市场集中度很高。 IHS Markit发布数据显示， 2017 年三季度， 韩国半导体行业两大巨头 三星和 SK 海力士在全球 DRAM 市场份额合计达到 72.4%，占据全球领先地位 。其中，三星以 44.5%的市场份额稳居市场第一宝座， SK 海力士以 27.9%的市场份额紧追其后， 美光 科技（ 22.9%）、南亚科技（ 2.2%）、华邦电子（ 0.8%）分列其后。 图 5： DRAM 各厂家市场份额 数据来源：东北证券 ， IHS Markit 从制程工艺角度来看， DRAM 存储器已经步入 10nm 阶段。目前，三星已大规模采用 20nm 工 艺，并率先量产 18nm 工艺。 SK 海力士则以 25nm 工艺为主，已导入 21nm 工艺。美光目前以 30nm 工艺为主， 20nm 工艺进入良率提升阶段。 2017 年底，三星已开发出全球最小的动态随机存取记忆体（ DRAM）芯片，采用 10nm 级工艺，继续扩大对竞争对手的技术领先优势，同时将在 2018 年把多数现有 DRAM生产转为 10nm 级芯片。 请务必阅读正文 后的 声明及说明 5 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 图 6：全球最小的 DRAM 芯片 数据来源：东北证券 ， 网络资料整理 国内厂商在 DRAM 领域一直处于空白，但有望于 2018 年实现突破。目前已形成福建晋华和合肥长鑫两大阵营，其中， 福建晋华的是 32nm 的 DRAM 利基型产品，主攻消费型电子市场；合肥长鑫的是 19nm DRAM，主攻行动式内存产品，并且将在 2018 年底前实现试产，开通生产线。此外，长江存储和兆易创新也对 DRAM 进行了布局。 福建晋华集团与台湾联电合作，一期投资 370 亿元，在晋江建设 12 英寸晶圆DRAM 厂， 2018 年建成月产能 6 万片，年产值 12 亿美元。规划到 2025 年四期建成月产能 24 万片。 合肥长鑫投资 494 亿元建设 12英寸 DRAM 工厂，预计 2019 年底将实现达 12.5万片的月产能，以生产 19nm DRAM 产品为主。 长江 存储启动了武汉存储器基地建设，总投资 240 亿美元，计划 2018 年投产，2020 年形成月产能 30 万片的规模，其中涵盖 DRAM。 兆易创新将与合肥市产业投资控股有限公司合作开展 12 英寸晶圆、 19nm 工艺存储器的研发项目，包括 DRAM 内存颗粒，项目预算约 180 亿元人民币，此次项目建成后将实现月产能 2000-3000 片。 表 1：国内厂商 DRAM 在建产能 新厂位臵 工艺水平（ nm） 月产能（万片） 总投资（亿元） 预计投产时间 福建晋华 晋江 32 6 370 2018 合肥长鑫 合肥 19 12.5 494 2018 长江存储 武汉 20/18 30 240 2018 兆易创新 合肥 19 0.2-0.3 180 2019 数据来源：东北证券，网络资料整理 我们认为，国内厂商由于仍处于起步阶段，存储器的研发能否成功，未来几年将是关键期，研发成功后，良率能否提升到较高水平，成本控制是否能够达到预期，知识产权能否做到有效保护等，仍然有一定的不确定性，从研发成功至量产并形成销售，仍然需要长达几年时间。因此，预计国内在建产能是个逐步释放的过程，但随着国内在建产能陆续释放，国家存储器产业的不断成熟，有望逐步改变 当前的产业格局，对全球 DRAM 产业发展起到积极推动的作用。 1.2.3 DRAM 分产品对比：移动终端、服务器、 PC 依旧是三大主力市场 2010-2017 年， DRAM 各类应用产品中，移动终端的份额持续提升，服务器份额也稳中有升， PC 份额大幅下降。 2017 年 DRAM 市场份额中，移动终端占据约37%的市场份额，领跑 DRAM 应用市场；服务器约 20%紧随其后； PC 约 13%位列第三，移动终端、服务器和 PC 也构成了 DRAM 三大消费产品，合计占比约 70%。 请务必阅读正文 后的 声明及说明 6 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 图 7： 2010-2018 DRAM 产品份额及预测 数据 来源：东北证券， Gartner and Piper Jaffray 预计到 2018 年， DRAM 移动终端和服务器消费份额将继续增长， PC 消费将继续下降，到达历史最低点。 1.3 产业链模式：存储器产业崛起有赖于 IDM 水平 观察全球存储器产业模式，不同于垂直分工模式，存储器产业基本采用的是IDM 模式，采用 IDM 模式的产值占比存储芯片总产值 90%以上。三星、 SK 海力士、美光等 DRAM 巨头无一例外都采用 IDM 模式，都拥有自己的晶圆制造厂与封测厂，产业布局相当完善。 IDM 模式的优势在于其具有资源的内部整合优势，以及 具有较高的利润率。由于 IDM 模式贯穿半导体生产流程的始终，不存在工艺流程对接问题，新产品从开发到面市的时间较短，且因为覆盖前端的 IC 设计和末端的品牌营销环节，具有较高的利润率水平。 图 8： IDM 模式 数据来源：东北证券，网络资料整理 存储器产业竞争的核心要素在于制造工艺和规模化效应。由于芯片设计相对简单，标准化程度高，导致存储芯片产业极其依赖规模化，同时工艺制程转变快，紧跟摩尔定律。各厂商之间竞争的特点是通过拼制造工艺、拼产能，最终赢得市场，所以生产制造能力是存储器厂商的核心竞争力，各厂商往往严 格把控，台湾地区存储器产业之所以走向没落，没能打造出强大 的 IDM 厂商是一个重要因素。因此，我们认为 DRAM 产业采用 IDM 作为主流竞争模式短期内不会改变。 2. 存储器分类及 DRAM 2.1 存储器概念、作用及分类 存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取，是具有 “记忆 ”功能的设备。 存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅 助存储器。主存储器又称内 请务必阅读正文 后的 声明及说明 7 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 存储器（简称内存），可以与 CPU 直接交换数据，特点是速度快，容量小，价格高。辅助存储器又称外存储器（简称外存），是指除计算机内存及 CPU 缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据，用来存放当前没有使用的程序和数据，特点是速度慢，容量大，价格低，常见的外存 储器有硬盘、软盘、光盘、 U 盘等。 按照关闭计算机时数据是否丢失，可分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器在关闭计算机时数据会丢失，非易失性存 储器在关闭计算机时数据不会丢失。 按照存储介质来分，可以分为光学存储器、半导 体存储器和磁性存储器。其中，光学存储器非易失，耐用性好，记录密度高；半导体存储器体积小、存取速度快、存储密度 高、与逻辑电路接口容易；磁性存储器非易失，存取速度慢。半导体存储器按照功能又可分为只读存储器 ROM 和随机存取存储器 RAM。 图 9：存储器按介质分类 数据来源：东北证券，网络资料整理 2.2 DRAM 工艺流程 DRAM 是随机存储器 RAM 的一种，也 是最为常见的 系统内存 ， DRAM 使用 电容 存储。由于 DRAM 只能将数据保持很短的时间，当关机或断电时，其中的信息都会随之丢失，为了保持数据，必须隔一段时间刷新一次，如果 存储单元 没有被刷新，存储的信息就会丢失。 图 10： DRAM 产品 数据来源：东北证券，网络资料整理 DRAM 工艺制造分为八个步骤，分别是浅槽隔离、阱、栅极、存储单元及周边电路器件、电容、接触孔、金属线和通孔、钝化层及引脚，每个步骤由一步或多步工艺流程制成。 请务必阅读正文 后的 声明及说明 8 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 图 11：浅槽隔离 图 12：阱 数据来源： 东北证券，网络资料整理 数据来源：东北证券，网络资料整理 图 13：栅极 图 14：存储单元及周边电路器件 数据来源：东北证券，网络资料整理 数据来源：东北证券，网络资料整理 图 15：电容 图 16：接触孔 数据来源：东北证券，网络资料整理 数据来源：东北证券，网络资料整理 图 17：金属线和通孔 图 18：钝化层及引脚 数据来源：东北证券，网络资料整理 数据来源：东北证券，网络资料整理 2.3 DRAM 产品细分 SDRAM（同步 动态随机存储器 ）作为 DRAM 的一种升级，是通过在现有的标准 动态存储器 中加入同步控制逻辑，利用一个单一的 系统时钟 同步所有的地址数据和 控制信号 。使用 SDRAM 不但能提高系统 表现，还能简 化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的 DRAM，且也需时钟进行刷新。 SDRAM 是一种改 请务必阅读正文 后的 声明及说明 9 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 善了结构的增强型 DRAM，已经逐渐成为 PC 机的标准内存配臵。 SDRAM 从发展到现在已经经历了五代，第一代 SDR SDRAM 为单倍数据传输率，第二代 DDR SDRAM 为双信道同步动态随机存取内存，第三代 DDR2 SDRAM为双信道两次同步动态随机存取内存，第四代 DDR3 SDRAM 为双信道三次同步动态随机存取内存，第五代 DDR4 SDRAM 为双信道四次同步动态随机存取内存，每一代的更新都伴随着传输速 率的大幅提升。 表 2： SDRAM 性能对比 SDRAM 核心频率（ MHz） 总线时钟（ MHz） 预读取（ bit） 传输速率（ MT/s） 电压 SDR SDRAM 100-166 100-166 1 100-166 3.3 DDR SDRAM 133-200 133-200 2 266-400 2.5/2.6 DDR2 SDRAM 133-200 266-400 4 533-800 1.8 DDR3 SDRAM 133-200 533-800 8 1066-1600 1.35/1.5 DDR4 SDRAM 133-200 1066-1600 8 2133-3200 1.2 数据来源：东北证券，网络资料整理 3. DRAM 发展趋势：传统技术难以替代，各厂商技术竞赛 3.1 存储技术对比 从市场规模来看，当下最主流的存储器是 DRAM， NAND Flash， NOR Flash，尤其是前两者，占据了所有半导体存储器规模的 95%左右。 DRAM 需要不断的刷新，才能保存数据，主要应用在内存里，而 NAND Flash容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，应用市场包括记忆卡、 U 盘及固态硬盘（ SSD）等。 表 3：主流存储器性能对比 指标 DRAM NAND NOR 尺寸（ F：制程规格） 6-12F2 4F2 10F2 非易失性 否 是 是 可擦写次数 无限 103-106 104-105 读取访问时间 10ns 10-100ns 几十 ns 写入访问时间 10ns 1-10s 1-10s 量产及试剂品研发情况 成熟量产 成熟量产 成熟量产 当前制程 18nm 16nm 32nm 功耗 中 高 高 成本 高 低 中 抗辐射性 高 中 中 数据来源：东北证券，网络资料整理 在某些领域，新型存储 器已经涌现，从目前的结果看，阻变存储器（ RRAM）容量大、速度快（读写时间 <10ns）、能耗低，相比于其他新型存储技术，与 CMOS工艺兼容，被认为是代替 DRAM 的一个可能的选择。但是由于其严重的器件级变化性，且 DRAM 的性价比高，技术成熟且具有规模优势，预计未来 5-10 年内很难被替代。 3.2 3D DRAM 技术 由于 DRAM的平面微缩正在一步步接近极限并向垂直方向扩展， 18/16nm之后，由于薄膜厚度无法继续缩减，以及不适合采用高介电常数材料和电极等原因，继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势。 3D DRAM 技术体现在芯片层面，而非晶体管层面，即其 3D 指的是 3D 封装 请务必阅读正文 后的 声明及说明 10 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 采用 TSV 将多片芯片堆叠在一起，随着电子产品对 DRAM 容量要求和性能的提升，未来 3D DRAM 比重将呈上升趋势。 图 19： 3D DRAM与 2D DRAM 对比 数据来源：东北证券， BeSang 3D DRAM 优点： 1）宽松尺寸下实现高密度容量：和 3D NAND 类似， Z 方向的 扩展能力使得其对平面微缩的要求降低，从而可以在较大制程下大幅提升单根内存条容量。 2）寄生阻容减少，延时串扰降低：改用 3D 封装之后，很多芯片之间的连接由水平面上交杂的铜线变成了垂直方向的通孔，互连线长度大大降低，从而极大的改善了后道线间延时和串扰，对芯片性能的提升有很大的帮助。 3.3 三大厂商积极布局 从现阶段的技术发展而言，韩国的三星电子依然领先于 SK 海力士、美光等竞争对手，三星除了积极扩大存储器产量，确保市场上的领先地位之外，也积极发展晶圆代工事业，将其视为半导体领域的新成长动力。 3.3.1 三星扩 产维持技术优势 2017 年 12 月 20 日，三星宣布已开始量产第二代 10nm 级 8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体 10nm 级 DRAM 的生产，有助于满足全球不断飙升的 DRAM 芯片需求，继续加强三星市场竞争力。第二代 10nm 级 8Gb DDR4 是全球尺寸最小DRAM，采用先进的专有电路设计技术，比第一代芯片快 10%，功耗降低 15%。相比第一代 10nm 级工艺，采用第二代工艺可使产能提高 30%，扩大行业领先优势。 三星还将加速其下一代 DRAM 芯片和系统开发计划，包括应用于企业服务器、移动设备、超级计算机、高性能计算 系统和高速显卡的 DDR5、 HBM3、 LPDDR5和 GDDR6 等产品。此外，三星预计将迅速提高第二代 10nm 级 DRAM 产品产量，而且还将生产更多的主流的第一代 10nm 级 DRAM，共同满足全球高端电子系统对DRAM 产品日益增长的需求。 三星可能采取的扩产动作，除了应对供给吃紧状况，最重要的是借助提高DRAM 产出量，压抑内存价格上涨幅度。虽然短期内的高资本支出将带来折旧费用的提升，并导致获利能力下滑，但三星着眼的是长期的产业布局与保有其在 DRAM市场的领先地位，以及与其他 DRAM 大厂维持 1-2 年以上的技术差距，提 升新进者进入门槛。此外，明年是中国内存发展的元年，三星透过压低 DRAM 或是 NAND的价格，将能提升国内竞争者的进入门槛，并使竞争对手亏损扩大、增加发展难度并减缓其开发速度。 三星有意将其平泽厂二楼原定兴建 NAND 的产线，部分转往生产 DRAM，并全数采用 18nm 制程，加上原有 Line17 还有部分空间可以扩产，预计三星此举最多将 2018 年 DRAM 产出量提升 80-100K，也代表三星的 DRAM 产能可能由 2017 年底的 390K 一口气逼近至 500K 的水平，亦将带动三星 2018 年 bit growth 由原本预估的 18%成 长上升至 23%。 请务必阅读正文 后的 声明及说明 11 / 19 Table_PageTop 半导体 /行业深度报告 图 20：三星 DRAM 产能变化 数据来源：东北证券， DRAMeXchange 3.3.2 受惠于市场需求， SK 海力士导入新技术和新工艺 2017 年全球市场对存储器需求猛涨，特别是服务器领域，全球互联网数据中心迅速增加。受惠于服务器市场的强劲需求和移动产品价格上涨， SK 海力士 2017 年Q4 市场形势继续良好， DRAM bit growth 增长 3%（环比），平均销售价格上涨 9%，营收约 84.5 亿美元，同比增长 68%，营业利润约 41.83 亿美元，同比暴涨 191%，营业利润率 49%， 净利润约 30.13 亿美元，同比增长 98%。其中 DRAM 营收占该季度营收 77%， NAND Flash 营收占该季度营收 22%。 图 21： SK海力士营收占比 数据来源：东北证券，公司年报 SK 海力士将通过在服务器和 SSD 产品导入新的技术与工艺来满足日益增长的市场需求。未来将扩大 1xnm DRAM 产能，这一产品已在 2017 年 Q4 量产，并应用于 PC、移动设备和服务器产品。 3.3.3 美光业绩优于预期，年底步入 1xnm 阵营 存储器市况优于预期，美光将 2018 年 Q2 营收目标自原先的 68 亿至 72 亿美元，调高到 72 亿至 73.5 亿美元。美光调升展望，意味着 DRAM 需求持续看好， DRAM价格第一季持续调涨 3 5%， Mobile DRAM 第