敬请参阅末页重要声明及评级说明 证券研 究报告 存储行业已处周期底部，新需求加速拐点到来 Table_IndNameRptType 半导体 行业研 究/深 度报 告 Table_IndRank 行业评 级：增持 报告日期：2023-09-16 Table_Chart 行业指数与沪深 300 走势比较 Table_Author 分析师：陈耀波 执业证书 号：S0010523060001 电话：13560087214 邮箱：Table_Report 主要观 点：Table_Summary 存储厂商盈利能力揭 示当 前存储行业处于周期 底部 位置 由于 库 存水 位升高，许多 厂商通 过产 品降 价刺 激库 存消耗。根 据美 光近期盈 利 状 况，CY23Q1 毛利率 为-32.66%，近 年 来首次 为负 值，CY23Q2 毛利 率为-17.8%，环比 上 升 14.86pct。根 据三星 披露 的二 季度财报，其 DS 部门 第二 季度营 业亏 损 4.36 万 亿韩 元，一 季度 亏损4.58 万 亿韩 元，多家 机构 预计三 星 DS 部 门全 年营 业亏损 将超 过 10 万亿韩元。龙头厂商减产与削减 投资，供给端实现边际改 善，有望夯实周期底部 由于 2022 年 下游 市场 需 求疲软，美 光 与 SK 海 力 士计划 削 减 2023 年资本支 出 40%50%不 等，并对 存储 芯片 进行 减产。2023 年 6 月，美光宣布 将 DRAM 和 NAND 晶 圆开 工率 进一 步减 少 至近 30%；SK 海力士于 2023 年 7 月 宣布 扩 大减 产 NAND Flash；三 星已 在 2023 年 4 月宣布对 存储 芯片 减产，并 在 7 月宣布 决 定延 长减 产 计划。手机市场逐步复苏，AI 服务器带来全新价值增量 2023 年，随着 手机 库存 去 化逐渐 成效，并 受益 于下 一代 iPhone 容量规格提 高，TrendForce 预测 2023 年手 机 DRAM 平 均用量 同比 增长6.7%，优于 2022 年 的 3.9%，同 时 2023 年智 能手 机 NAND 搭 载容 量年成长 仍能 维 持 22.1%的 高水位。据 TrendForce 数 据，AI 服务 器平均容量 可 达 1.21.7TB，预估 2023 年 AI 服 务器 出 货量 近 120 万台，年增率 近 38%。AI 服 务器 除原 有 DRAM 外还 会用 到 HBM，因此 带来全新价 值增 量。DRAM 价格跌幅收窄，部 分存储产品有望于 23Q3 涨价 受益 于 DRAM 厂商 的减 产 以及 季 节性 需求 支撑，存 储厂商 库存 压力 得到减轻，TrendForce 预 估 第三季度 DRAM 均 价跌 幅 将收敛 至 05%。从价格 走势 来看，DRAM 现货价 格走 势与 存储 厂商 股价呈现 一 定关 联性，两者 走 势相 似。当现 货价格 跌幅 开始 收窄 时，股价便 开始 筑底 反弹。此 外，DRAM/NAND 厂商的 价格 走势 与 NOR 厂商方 向一 致，但幅度 会 有所 差异。根据 TrendForce 数据，7 月 DRAM 平均 固定 交易价格环 比下 跌 1.47%，降 幅较 6 月 份的 下跌 2.86%进一步 收窄，并 且在现货 市场，有 部分 DRAM 产品 已经 止跌，连 续两 个月持 平。因此，随着 DRAM 现 货价 格跌 幅 收窄，预计 存储 板块 也将 逐步复 苏，迎来 投资机会。建议关注 兆易创 新、北京 君正、普 冉股份、东 芯股 份、聚辰 股份等。风险提示 下游复 苏不 及预 期风 险、存储价 格反 弹不 及预 期风 险、龙头 减产 不及 预期风险。-29%-19%-8%3%13%24%9/22 12/22 3/23 6/23半导体 沪深300Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 2/21 证券研究报告 正文目录 1.存 储 芯 片 市场 空 间广 阔，发 展 前景 良 好.4 2 存 储 已 处于 周 期底 部，有望 迎 来 拐点.5 2.1 供给端：厂商减产 与削 减投资带 来供给 端边际 改善.5 2.2 需 求 端：手机 单 机容 量提 升，AI 服 务器 带 来全 新增 量.6 2.3 价格端：DRAM 价 格 跌幅 收 窄，部 分 存储 产 品有 望于 23Q3 实现涨价.9 3 国 内 厂 商聚 焦 利基 存 储，国 产 替 代空 间 广阔.10 3.1 存储行业国产替代 空间 广阔.10 3.2 国内部分领先存储 厂商 介绍.12 风 险 提 示：.20 ZXCXwPtOsRqRrPpMtOoRrQaQcM7NmOqQnPnOiNrRxOiNqRuMaQmNnRwMrRtMNZqMoPTable_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 3/21 证券研 究报告 图表目录 图表 1 全 球 半导 体 细分 行业 市 场 规模 占 比.4 图表 2 全 球 半导 体 与存 储芯 片 市 场增 速 变化.4 图表 3 DRAM/NAND/NOR 市 场 规 模与 发 展趋 势.5 图表 4 三星/SK 海力士/美光 占 据 存储 主 要市 场.6 图表 5 存 储 厂商 毛 利率 走势 与 存 储周 期 同步.6 图表 6 龙 头厂 商 减产 与 削减 投 资 计划.6 图表 7 DRAM 下 游 应用 领域 占 比.7 图表 8 NAND 下 游应 用 领域 占 比.7 图表 9 全 球智 能 手机 单 季度 出 货 量.7 图表 10 全 球 智能 手 机 DRAM 平均单机容量.7 图表 11 全 球半 导 体与 存 储芯 片 市 场增 速 变化.8 图表 12 HBM 是 AI 服 务 器所 带 来 的全 新 增量.8 图表 13 HBM 通 过 中介 层（INTERPOSER）与 GPU 连接.8 图表 14 全球 HBM 市 场 规模.9 图表 15 TRENDFORCE 预计部 分 存 储产 品 将于 2023Q3 涨价.9 图表 16 DRAM 现 货 价 格与厂 商 股 价走 势 相似.10 图表 17 三类 存 储芯 片 全球主 要 厂 商.11 图表 18 主要 存 储厂 商 产品布 局 情 况.11 图表 19 兆 易 创新 产 品营 收结 构.12 图表 20 兆易 创 新营 业 收入及 增 速.12 图表 21 兆 易 创新 归 母净 利润 及 增 速.14 图表 22 兆易 创 新产 品 进展.14 图表 23 北 京 君正 产 品营 收结 构.16 图表 24 北 京 君正 营 业收 入及 增 速.16 图表 25 北 京 君正 归 母净 利润 及 增 速.17 图表 26 北 京 君正 产 品进 展.17 图表 27 东 芯 股份 产 品营 收结 构.19 图表 28 东 芯 股份 营 业收 入及 增 速.19 图表 29 东 芯 股份 归 母净 利润 及 增 速.12 图表 30 东芯 股 份产 品 进展.12 图表 31 普 冉 股份 2022 年产 品 营 收结 构.14 图表 32 普冉 股 份营 业 收入及 增 速.14 图表 33 普 冉 股份 归 母净 利润 及 增 速.16 图表 34 普 冉 股份 产 品进 展.16 图表 35 聚 辰 股份 产 品营 收结 构.17 图表 36 聚 辰 股份 营 业收 入及 增 速.17 图表 37 聚 辰 股份 归 母净 利润 及 增 速.19 图表 38 聚 辰 股份 产 品进 展.20 Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 4/21 证券研 究报告 1.存 储芯 片市场 空 间广 阔，发 展 前景 良 好 存 储行业 市场空 间巨大，是 最大的 细分半 导体市场。存储芯片又叫做半导体 存储器，是以半导体 电路作为存 储媒介的存储 器，通过对 存储介质进行 电子或电荷 的充 放 电 标 记 不 同 的 存 储 状 态，从 而 实 现 数 据 存 储 功 能。存 储 器 市 场 空 间 巨 大，据WSTS 预测，2023 年全 球 存储芯 片市 场规 模将 达 到 1675 亿美 元，其 中中 国存 储芯片市场 规模 将 达 6492 亿 元（约 942 亿美 元）。同时，存储 器也 是半 导体 各类 细分行业中最 大的 部分，其 市场 规模约 占整 个半 导体 行业 的 26%。存 储芯 片是半 导体 产业的风 向标。存储芯片 由于具 有以下特征，常被 视作半导体行 业发展状况 的 风向标。首 先，存储芯片 市场规模 巨 大，是半导体 业内最大的 细分市场，占据 近 30%的 份 额。同时，存 储芯 片 应 用领 域 广阔，覆盖 消费 电子、工 业、医疗、汽车、航空 航天等各个 领域，并且新 兴应用领域 的 涌现也在不 断 刺激存储 芯片的市 场需 求。此外，存 储芯片 标准 化程 度高，可 替代性 强，具备 大宗 商品 属性。存储芯 片 产品已经基 本商品化，其价格受下游 需求影响较 为敏感，行业 景气度受供 需关系 影响较大，呈 现出较强的 周期性。从市 场增速来看，存储芯片与 半导体走势 基本一致，且 周期 性波 动高 于半导 体行 业整 体波 动。图表 1 全 球半 导 体细 分 行业 市 场 规模 占 比 资料来源：WSTS，华安证券 研究所 图表 2 全 球半 导 体与 存 储芯 片 市 场增 速 变化 资料来源：WSTS，华安证券 研究所-40%-20%0%20%40%60%80%2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022半导体市场增速 存储芯片市场增速Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 5/21 证券研 究报告 DRAM、NAND、NOR 是三大 主流存储。存储芯片 按照断电后数据是否丢失，可分 为易失性存储 芯片和非易 失性存储芯片。易失性 存 储器 断电后 会 丢失数据，主要包 括 DRAM，非易 失性 存 储器 断 电后 能保 留数据，主 要包 括 NAND、NOR FLASH。根据 Digitimes 统计，在 2022 年全 球存 储芯 片市 场 中，DRAM、NAND、NOR 分别占据了 57%、40%、2%的份额。目 前在 DRAM 产 品中，DDR4 仍然 是市 场 主流，其具 有良好的性价 比和广泛的 适配性，但在 容量、功耗 等方面存在劣 势，未来在 服务器等 需求 带动 下，DDR5 和 HBM 渗透 率将 会不 断提升。在 NAND 产 品中，TLC占据了 主要 市场，是 使 用 最广泛 的闪 存。3D 堆叠 是 NAND 的主 流工 艺，堆叠 的层数将会持 续增 加，向高 密度、大容 量方 向不断 发展。相比 于 DRAM 和 NAND，NOR Flash 的制 程演 进较 为缓 慢，目前 主流 制程 在 5xnm 和 4xnm。随着 物联 网、消 费类电子、汽 车电 子的 快速 发 展，NOR 产品 需求 将不 断 增加，旺宏、华 邦电 子 等 头部厂商已投 入 3D NOR 的 研发，未 来 NOR Flash 产 品将 不断向 中大 容量 迈进。图表 3 DRAM/NAND/NOR 市 场 规 模与 发 展趋 势 产品种类 2022 年市场规模 发展趋势 DRAM 791 亿 美元 当前 DDR4 是市面 上主流 内 存，而 DDR5 与 HBM 渗透 率将会持 续提升。同时 DRAM 工艺制 程 将不断向 10nm 逼近 NAND Flash 601 亿 美元 目前 TLC NAND 占 据主要 市场，3D NAND 堆叠 技术 是主流工 艺，未来堆叠层 数将会 不断提 升 NOR Flash 37 亿美 元 主流工艺 制程在 5xnm 和 4xnm，制 程 演进 缓慢。SPI 接 口技术优 化NOR Flash 效率，NOR 产 品将向中 大容量 发展 资料来源：CFM 闪存市场，CINNO Research，华安证券研 究所 2 存储已 处于 周 期 底部，有望 迎 来拐 点 2.1 供给端：厂 商减产与 削减投资带来供给 端边际改善 存 储厂商盈 利能力 揭示当前 存储行业 处于周 期底部位 置。在全球存储芯片市 场中，三 星电子、SK 海 力士、美光 科技占 据了 主要 份 额。根据 TrendForce 数据，2022年第四 季度，三 者 在 全球 DRAM 市场 合计 占据 95.8%的份 额，在全 球 NAND 市场合计占 有 62.2%的份 额。通过对 比存 储芯 片厂 商的 毛利率 变化 与全 球存 储芯 片市 场增速 变化，可以发 现主要存储 厂商的毛利率 与全球存储 芯片周期波动 基本一致，因此存储 厂商 的盈 利能 力在 一定程 度上 可以 揭示 存储 行业周 期位 置。2022 年，存储 芯片厂 商的库存水位 由于下游需 求疲软而逐渐 升高，许多 厂商通过将存 储产品降价 来刺激库 存消 耗。根据 美光 近期盈 利状 况，其 CY23Q1 毛利 率为-32.66%，是 近 年来首次为 负值，达 到历 史低 位，CY23Q2 毛利 率为-17.8%，环比 上升 14.86pct，同时美光表 示 其 CY23Q1 的库 存达到 峰值。根 据三 星披 露的第 二季 度财 报，其 DS 部门第二季 度营 业亏 损 4.36 万 亿韩元，而 其 一 季度 亏损 4.58 万 亿韩 元，多家 机构 预计三星 DS 部 门全 年 营 业亏 损 将超过 10 万 亿韩 元。主 要存储 厂商 的盈 利状 况揭 示，当前存储 行业 处于 周期 相对 底部位 置。Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 6/21 证券研 究报告 图表 4 三星/SK 海力士/美光 占 据 存储 主 要市 场 图表 5 存储厂商毛利率走 势与存储周期同步 资料来源：TrendForce，华安 证券研究所 资料来源：Wind，WSTS，华 安证券研究所 龙头厂商 扩大减产与 削减 投资，供给端 实现边际改 善。2022 年，由于 下游 市 场需求疲 软，美光 与 SK 海 力士纷 纷计 划削 减 2023 年资本 支 出 40%50%不 等，并 对存储芯 片产 品进 行减 产。据 最新消 息，SK 海力 士于 2023 年 7 月 宣布 扩大 减产 NAND Flash，美光 于 6 月宣 布 将 DRAM 和 NAND 晶圆 开工 率进一 步减 少至 近 30%。三星方面虽 未宣 布削 减 2023 年资本 支出，但已 在 2023 年 4 月宣 布对 存储 芯片 减 产，并在 7 月 决定 延长 减产 计划。龙头 存储 厂商 的削 减投 资与减 产计 划，将在 供给 端实 现边际改 善，有望 为夯 实存 储周期 底部、减 缓存 储价 格降低 提供 必要 条件。图表 6 龙 头 厂 商减 产 与削减 投 资 计划 厂商 减少产出 降低投资 三星 2023 年 4 月宣 布对存 储芯 片减产，7 月宣布决定延 长减产 计划，调整 包括 NAND Flash 在内 的特定 产品产 出 降低生产 设备投 资，调 整产 能利用率，二季 度资本支出中 90%以 上用于 芯片，将专注 高附加 值/高密度产品 SK 海 力士 为加速 NAND Flash 库存 去 化，于 7 月 宣布扩大减产 NAND Flash，此 前已对部 分收益性较低的 产品进 行减产 2023 年全公 司投资 规模同 比减少 50%以上，对高容量 DDR5、HBM3 DRAM 持续投 资 美光 2023 年 6 月宣 布近期将 DRAM 和 NAND晶圆开工 率进一 步减少 至近 30%，预 计减产将持续 到 2024 年 2023 年资本 支出进 一步削 减，预期 投资约 70 亿美元，较 去年缩 减超 40%，晶圆厂设 备资本 支出削减超 50%，2024 年预估 将进一步 缩减 资料来源：各公司公告，华安证券研究所 2.2 需求端：手 机单机容 量提升，AI 服务器 带来全新增量 手 机和服 务器是 对存储 市场 影响最 大的下 游应用。从下游应用来看，手机和 服务器是 DRAM 和 NAND 市场中 占比 最大 的应 用领 域。2022 年第 四季 度，手 机和服务器分 别 占 DRAM 终端 应 用的 39%、34%，以及 NAND 应 用的 37%、28%。因 此，智能手 机与 服务 器的 需求 恢复情 况对 存储 芯片 的景 气度有 着较 大的 影响，同 时 AI 服务器对 存储 的新 需求 也会 对整体 需求 改善 有边 际贡 献。0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%DRAM 竞争格局 NAND竞争格局其他美光科技SK海力士三星电子Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 7/21 证券研 究报告 图表 7 DRAM 下 游 应 用 领域 占 比 图表 8 NAND 下 游 应 用 领域 占 比 资料来源：TrendForce，华安 证券研究所 资料来源：华经产业研究院，闪存市场，华安证券研究所 手机出货量未见明显 复苏，单机容量提升是主要 驱动 因素。根据 Canalys 数据，2023Q2 全 球智 能手 机出 货量 达 2.58 亿部，虽然 同 比下 降 10%，但同 比跌 幅 环比略有收窄，市场衰 退有 所放 缓。随着 经济逐 渐复 苏，手 机需求 将会 逐步 好转。同时 手机单机 DRAM 和 NAND 容量 不断 增长，也在 一定 程 度上能 够冲 抵手 机的 疲软 需求。据TrendForce 数据，手 机 DRAM 单 机容 量近 年来 持续 增长，2022 年 手机 DRAM 容量增长 放缓 的主要原 因在于手机 品牌厂背负巨 大的库存压 力，导致新产 品导入 偏向 延用既有 库存 规格，限 制手 机 DRAM 用 量增 长。2023 年，随着 手机 库存 去化 逐渐 成效，以 及受 益于 下一代 iPhone 容 量规 格提 高 带 动，TrendForce 预测 2023 年 手机DRAM 平均 用量 将 同 比增 长 6.7%，优 于 2022 年 3.9%的 同比增 长率。在 NAND 方面，为 满足 用户 的 高 像素 拍摄需 求，需要 配置 更大 的储存 容量，这 为智 能手 机 NAND平均 搭 载量 提升 带来 了基 本动能。具 体来 看，iPhone 产品组 合全 线往 更高 容量 靠拢，Android 高端 机种 也跟 进 将 512GB 做为 标配，中低端 手机 储存 空间 也随 硬件 规格 的升级而 提高，因 此单 机容 量仍存在 增 长空 间。据 TrendForce 预 估，2023 年 智能 手机 NAND 单 机搭 载容 量年 成长仍 能维 持 22.1%的 高 水位。图表 9 全球 智 能手 机 单季度 出 货 量 图表 10 全 球 智能 手 机 DRAM 平均单机容量 资料来源：Canalys，华安证券 研究所 资料来源：TrendForce，华安 证券研究所 普通服务器需求平稳，AI 服务器有望带来价值 增量。根据 TrendForce 调查数据，现阶 段 普 通服 务器 DRAM（不含 HBM）平 均容 量约为 500600GB，而 AI 服务器平均 容量 可 达 1.21.7TB，所需 DRAM 容 量远 高 于普通 服务 器。据 TrendForce数据，目前 AI 服务 器成 长 需求较 为强 劲，预估 2023 年 AI 服 务器 出货 量 近 120 万0%20%40%60%80%100%2019 2020 2021 2022手机 服务器 PC 其他0%20%40%60%80%100%2020 2021 2022手机 服务器 PC 其他-30%-20%-10%0%10%20%30%00.511.522.533.5420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2出货量（亿部）同比012345672018 2019 2020 2021 2022 2023DRAM 平 均 单 机 容 量（GB）Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 8/21 证券研 究报告 台，年 增率 近 38%，AI 服 务器 的 大幅 增长 有望 带来 价值增 量。与普通服务器相比，AI 服务器 除原有 DRAM 外还会 用到 HBM。AI 服务 器由于需要在 短时间 内处理 大量 数据，追求的 速度更 高，对高带 宽 的需 求大幅 提升。HBM即高带 宽存 储器，基于 3D 堆 叠工 艺，其 通 过中 介 层（Interposer）连接 至 GPU 而非直接 与 GPU 集成。HBM 是当前 数 据处 理速 度最 快的 DRAM 产品，能为 AI 服务器带来 更高 的效 率以及 更 高的传 输带 宽，已成 为高 端 GPU 的标 配，是 AI 服 务器 带来的全 新增 量。图表 12 HBM 是 AI 服 务 器所 带 来 的全 新 增量 图表 113 HBM 通 过 中 介层（Interposer）与 GPU 连接 资料来源：Canalys，华安证券 研究所 资料来源：TrendForce，华安 证券研究所 受益于 AI 服务器需求带动，HBM 市场规模持续增长。据 TrendForce 数 据，目前高 端 AI 服务 器 GPU 搭载 HBM 已 成为 主流，预计 2023 年全球 HBM 需求 量 达 2.9亿 GB，年 增长 近六 成，且 2024 年 将再 增长 三成。市场 规模 来看，根据 Omdia 数据，2020 年 全球 HBM 市 场规模 为 4.58 亿美 元，预 计 2025 年将 达 到 25 亿 美 元，年复合 增长 率 为 40.38%。320640GB5121024GBServer AI Server Future AI Server服务器HBM 用量图表 11 全球 半 导体 与 存储芯 片 市 场增 速 变化 资料来源：TrendForce，华安 证券研究所 500600GB1.21.7TB2.22.7TBServer AI Server Future AI Server服务器DRAM 容量Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 9/21 证券研 究报告 2.3 价格端：DRAM 价 格跌幅收窄，部分存 储产品有望于23Q3 实现涨价 AI 服务器带来的新增量叠加 厂商减产 有望进一 步促 进供需平衡。2023 年，随 着经济的 复苏，下 游需 求有 望逐渐 恢复。同 时，ChatGPT 的 出现 催生 出对 于 HBM 的全新需 求，并 带动 了 HBM 报价上 涨。自 2023 年 初以 来，三星 与 SK 海力 士 的 HBM订单快 速增 加，HBM3 规格 DRAM 价格 也上涨 了 5 倍。叠 加三 星 4 月宣 布减 产 以及7 月 决定延长减产计划的 消息，我们认为 需求端 的增长与供给端的减产 将 进一步造成供需 差缩 窄，进而 强化 促使存 储芯 片景 气度 拐点 到来的 确定 性。根 据 TrendForce研究，受益 于 DRAM 厂 商 的减产 以及 季节 性需 求支 撑，存 储厂 商库 存压 力得 到 减轻，预期第 三季度 DRAM 均 价 跌幅将 收敛 至 05%。图表 15 TrendForce 预 计 部 分 存 储产 品 将于 2023Q3 涨价 23Q2E 23Q3F PC DRAM DDR4:down 1520%DDR4:down 38%DDR5:down 1318%DDR5:down 05%Blended ASP:down 1520%Blended ASP:down 05%Server DRAM DDR4:down 1823%DDR4:down 38%DDR5:down 1318%DDR5:down 05%Blended ASP:down 1520%Blended ASP:down 05%Mobile DRAM down 1318%LPDDR4X:down 05%LPDDR5X with HKMG:up 05%合计 DRAM down 1318%down 05%eMMC consumer:down 813%consumer:mostly flat UFS mobile:down 1520%mobile:down 813%Enterprise SSD down 1318%down 510%Client SSD down 1520%down 813%3D NAND Wafers（TLC&QLC)down 813%up 05%图表 14 全球 HBM 市 场 规模 资料来源：TrendForce，华安 证券研究所 0510152025302020 2025EHBM 市 场 规 模（亿美元）CAGR=40.38Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 10/21 证券 研究报告 合计 NAND down 1015%down 38%资料来源：TrendForce，华安 证券研究所 DRAM 现货 价格与股价走 势相似，价格跌幅收窄 有望 迎来投资机会。从价格走势来看，DRAM 现货 价格 走势与 存储 厂商 股价 呈现 一定关 联性，两者 走 势相 似。当现货 价格跌幅开始 收窄时，股 价便开始筑底 反弹；当现 货价格上涨时，股价也会 同步上涨；在现货 价 格涨 幅 边际弱 化时 股价 开始 见顶。此 外，DRAM/NAND 厂 商的价格走势 与 NOR 厂商方 向 一致，但幅 度 会 有所 差异。根据 TrendForce 数据，7 月DRAM 平 均固 定交 易价 格 环比下 跌 1.47%，降 幅较 6 月 份的 下跌 2.86%进一 步收窄，并且 在现 货市 场，有 部分 DRAM 产 品已 经止 跌，连 续两 个月 持平。因 此，随 着DRAM 现货 价格 跌幅 收窄，预计 存储 板块 也将 逐步 复苏，迎来 投资 机会。3 国 内 厂商 聚焦 利 基存 储，国 产 替代 空 间广 阔 3.1 存储行业国 产替代空 间广阔 我国存储行业国产替 代空 间广阔。目 前，DRAM 和 NAND 主要 由 三 星、SK 海力士、美光 等 海 外厂 商掌 控，国 内厂 商市 占率 较低，国产 替代 空间 广阔。在 NOR 方面，我国 本 土企 业已 占据 一定的 市场 份额。图表 16 DRAM 现 货 价 格 与厂 商 股 价走 势 相似 资料来源：TrendForce，华安 证券研究所 Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 11/21 证券 研究报告 国 内厂 商多集 中于 利基 型 存 储。从存储芯片的产品布局来看，海外 巨头多聚 焦于 DRAM、NAND 主 要领 域等高 端市 场，业 务重 心 在大容 量存 储产 品。而 国 内存储厂商则 主要 布局 于利 基型 存储，包 括利基 DRAM、SLC NAND、NOR Flash 等中小容量 产 品，代表 厂商 有华 邦电子、旺 宏电 子、兆 易 创新、北京 君正、东芯 股 份等。利基 DRAM 方面，华 邦、兆 易创新、北京 君正 规模 较 大；SLC NAND 领 域，东 芯股份为本 土 SLC NAND 龙头，；NOR 方 面，领先 厂商 包 括华邦、旺宏、兆易 创新 等。目前，由于利基型存 储竞争格局 较为分散，且 海外巨头正 逐渐淡出利基 型存储市场，随着国 产化 需求 提升，具 备研发 能力 的国 内存 储厂 商将迎 来良 好的 替代 机遇。图表 17 三类 存 储芯 片 全球主 要 厂 商 资料来源：乐晴智库，华安证券研究所 图表 18 主要 存 储厂 商 产品布 局 情 况 DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 LPDDR LPDDR2 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR5美光 256Mb1Gb 512Mb4Gb 1Gb8Gb 4Gb32Gb 高至24Gb 512Mb2Gb 512Mb2Gb 8Gb32Gb 4Gb128Gb 6Gb128Gb南亚 512Mb1Gb 1Gb8Gb 4Gb8Gb 16Gb 1Gb8Gb 4Gb32Gb 2Gb32Gb旺宏华邦 64Mb256Mb 128Mb2Gb 1Gb8Gb 128Mb1Gb 256Mb2Gb 1Gb 1Gb4Gb兆易创新 1Gb4Gb 4Gb8Gb北京君正 64Mb512Mb 256Mb2Gb 1Gb16Gb 4Gb16Gb 32Mb2Gb 256Mb4Gb 2Gb8Gb普冉股份东芯股份 1Gb4Gb 512Mb2Gb 1Gb4Gb 1Gb2Gb厂商DRAM1.8V 3.3V 1.8V 3.3V美光 1Gb16Gb 1Gb256Gb 512Kb2Gb 512Kb2Gb南亚旺宏 1Gb8Gb 1Gb8Gb 512Kb2Gb 512Kb2Gb华邦 1Gb8Gb 1Gb8Gb 1Mb2Gb 512Kb2Gb兆易创新 1Gb8Gb 1Gb8Gb 512Kb2Gb 512Kb2Gb北京君正 1Gb8Gb 1Gb8Gb 2Mb2Gb 512Kb2Gb普冉股份 512Kb256Mb 512Kb256Mb东芯股份 512Mb16Gb 512Mb16Gb 64Mb1Gb聚辰股份 512Kb32Mb 512Kb32MbNOR Flash厂商SLC NANDTable_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 12/21 证券 研究报告 3.2 国内部分领 先存储厂 商介绍 3.2.1 兆易创新：多产品线赛道布局，存储、MCU 稳健发展 公司业务结构多元，产品 矩阵丰富。兆 易创 新 是 全 球领先 的 Fabless 芯片 供 应商，成 立于 2005 年 4 月，总部 位于 北京。公 司核 心产品 包括 存储 器、MCU、传 感器等，以高 性能 和低 功耗 为特点，广 泛应 用于 工业、消费 类电 子、汽 车、物联 网、移动应用、网 络通 信 等 各个 领域。在 2022 年，公司 保持业 务稳 健发 展，存储、MCU产品持 续发 力，传 感器 产 品维持 前列，PMIC 产品 开 始拓展，进一 步夯 实了 公 司多元的业务 结构。营收体量不断扩大，22 年维持高水位。公 司近 年来 营业收 入和 归母 净利 润稳 步增长，2022 年 面对 诸多 外 部因素 影响，公 司业 绩仍 保持高 水位。2022 年，公 司实现营业收 入 81.3 亿元，同比 小幅下 降 4.47%，实现 归 母净利 润 20.53 亿元，同 比下降12.16%。2023 年 上半 年，公司 营业 收入 与归 母净 利润分 别为 29.66 亿 元、3.36 亿元，同 比 2022 年 H1 分别 下降 38%、78%，短期 来 看盈利 承压。随 着下 游市 场需求不断复 苏，公司 在汽 车、工业等 领域 的耕 耘不 断深 化，业 绩有 望回 归上 升轨 道。图表 20 兆 易 创新 营 业收 入及 增 速 图表 21 兆 易 创新 归 母净 利润 及 增 速 资料来源：Wind，华安证券研 究所 资料来源：Wind，华安证券研 究所 NOR 与 SLC NAND 不断稳固，DRAM 产品 积极 拓展。公司 存储 器产 品覆盖NOR Flash、SLC NAND、利基 型 DRAM 三大领 域，是 全 球排名 第一的 无 晶圆厂-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%01020304050607080902018 2019 2020 2021 2022 2023H1营业收入（亿元）同比-100%-50%0%50%100%150%200%05101520252018 2019 2020 2021 2022 2023H1归母净利润（亿元）同比资料来源：各公司官网，华安证券研究所 图表 119 兆 易 创新 产 品营收 结 构 资料来源：Wind，华安证券 研究所 0%20%40%60%80%100%2018 2019 2020 2021 2022存储芯片 MCU 传感器 其他Table_CompanyRptType 行业研究 敬请参阅 末页重要声明 及评级说明 13/21 证券 研究报告 Flash 供应 商。在 NOR Flash 领域，公 司产品 市占 率 全球 第三、国 内 第 一，累计 出货量 近 212 亿颗。公司 NOR 产品 容 量覆 盖 512Kb2Gb，可提 供 3V、1.8V、1.2V、以及 1.65V3.6V 宽压 共 四种电 压范 围，目 前主 要 工艺节 点 在 55nm 制程。从下游 客户来看，公司 NOR 产品 在 消费市 场以 中高 端客 户为 主，并 在 工业、汽车 领域 稳步提升，2022 年 车规 产品 销售 额同比 增长 80%，累计 出 货量 达 1 亿颗；SLC NAND 领域，公 司产 品在 38nm、24nm 工艺 节点 均实 现量 产，容 量覆 盖 1Gb8Gb，其 中 GD5F全系列 产品 已通过 AEC-Q100 车规 级认 证，实现 了 从 SPI NOR 到 SPI NAND 车规级产品 的全 面布 局；DRAM 领域，公司 产品 不断 拓 展，在已 有 DDR4、DDR3L 的基础上，推进 DDR4 8Gb 容 量新产 品 的 研发，不 仅能 满足消 费市 场需 求，也能 兼顾工业、汽 车市 场；MCU 产品，公司 已成 功量 产 41 大产 品系列、超 过 500 款 MCU 产品，GD32A503 系列 车规 级 MCU 市场 拓展 稳步 推 进，正式 推出 中国 首款 基 于 Arm Cortex-M7 内核 的 GD32H 系 列超 高性 能微 控制 器，同时 适 用于 多种 无线 连 接场景的、基 于 RISC-V 内 核的 全新双 频双 模无 线 GD32VW553 系列 MCU 有序 推 进；公司传感 器业 务目 前 在 LCD 触控、电容 指纹、光 学指 纹市场 应用 广泛，触 控芯 片年出货近亿 颗。图表 22 兆 易 创新 产 品进 展 产品类型 产品进展 NOR Flash 主要工艺 节点在 55nm 制程，容量覆 盖 512Kb2Gb，可提供 3V、1.8V、1.2V、以及1.65V3.6V 宽压 四种电 压 范围。2022 年推出 了尺寸 1.2mmx1.2mm 的 USON6 超 小型塑封封装 产品，以及 GD25UF 系列 1.2V 低电 压超低 耗 SPI NOR SLC NAND 在 38nm、24nm 工艺节 点 均实现量 产，容 量覆盖 1Gb8Gb，其中 GD5F 全 系列 产品已通过 AEC-Q100 车规级 认 证，实现 了从 SPI NOR 到 SPI NAND 车规产 品全 面布 局 DRAM 产品组合 不断丰 富，在 已有 DDR4 产品 基础上，推出 了 DDR3L 产 品，两 种产品 目 前均已量产，DDR4 8Gb 容量新产品正在按 研发节 奏推进 中。MCU 已成功量 产 41 大 产品系 列、超过 500 款 MCU 产品 供 市场选择，GD32W515 系列 Wi-Fi 产品全 面量产，GD32A503 系列 车规级 MCU 产品 市 场拓展稳 步推进，MCU 产 品工艺制程集