Table_MainInfo Table_Title 2023.04.25()()021-38676779 021-38038435 S0880521020003 S0880123020064 Table_Summary+1 2(47%)3 8 实现高线速碳化硅金刚线切片机批量销售，已推出 8 寸碳化硅金刚线切片机并持续推进设备国产替代的高测股份。推出 国 内 首款高线速碳化硅金刚线切片机 GC-SCDW6500 可获得和砂浆切割相同的 晶片 质量，同时 大幅 提升 切割 效率，显著 降低 生产 成本，行业 内独家实现批量销售，实现国产替代。+1 2 SiC+2026 250 1 2026 839.2 251.8 48.0 14%2 2026 455.7 397.3 58.4 29.2 Table_Invest Table_subIndustry Table_industryInf o 1.6 1.+.7 1.1.7 1.2.SiC.9 1.3.12 1.3.1.12 1.3.2.8 2024.13 1.3.3.14 2.15 2.1.16 2.2.18 2.2.1.19 2.2.2.22 2.3.23 2.4.25 3.26 3.1.26 3.2.30 4.35 4.1.35 4.2.37 4.3.39 5.风险提示.43 5.1.碳化硅渗透率增长不及预期.43 5.2.碳化硅扩产不及预期.43 5.3.宏观经济和行业波动.43 1 2023/4/24 EPS PE 2023E 2024E 2025E 2023E 2024E 2025E 688556.SH 62.80 4.40 6.13 8.43 14.28 10.24 7.45 Wind EPS EPS EPS Wind YWBYuNtOpMmNqOsRsPqPqRbRdN8OsQoOtRnOjMrRnRjMnPrPaQmNrPuOsPoRMYpOrO 1.8 2 SiC GaN.8 3.8 4.9 5 SiC.9 6 SiC.10 7 SiC.10 8 SiC-SBD.10 9 SiC-MOSFET Si-MOSFET IGBT.11 10 SiC-MOSFET IGBT.11 11 IGBT.12 12 70%47%23%.12 13 SiC.13 14 SiC.13 15.13 16.13 17 Wolfspeed 8.14 18 PGC 8 2024.14 19 2020 CR3 89%.15 20 2020 CR3 98%.15 21 70%40%.15 22 PVT.16 23.19 24.20 25 DISCO KABRA.21 26.21 27.22 28.22 29.23 30 CMP.23 31.24 32.24 33.26 34 OBC DC/DC.27 35 SG250HX.29 36 2023.30 37.36 38.36 39 2023 9,000.36 40 2023 38GW.36 43.38 44.38 45.38 46.40 47 22Q3 3465.96 60%.40 1.2 2.7 3 SiC.9 4 8 wolfspeed 2023-2024.14 5 PVT SiC.16 6 PVT SiC.17 7.18 8.20 9.20 10.23 11.25 12 2026 251.8 48.0.26 13 2026 347.3.28 14 2026 108.4.29 15 2026 839.2GW.30 16.35 17.37 18.37 19.39 20.40 21.40 22.41 23.41 24 380.42 1.8 8 2023-2024 46%23%广阔增量。根据我们对供需端的分析，需求端新能源车是最大应用领域，光伏应用前景 广阔。我们 测算 至 2026 年导电型碳化硅衬底合计有 455.7 万片的新增潜在市场需求；供给端我们预计伴随国内外厂商积极扩产，至 2026 年行业合计产能将达到 839.2 万片，对应 251.8 亿元的总设备市场空间和48.0 亿元新增设备空间，其中 35.3 导电型衬底有效产能约为 397.3 万片，存在 约 58.4 万片的有效产能缺口，对应约 29.2 亿元设备投资空间 碳化硅衬底产能扩张带 来 新 增 切 片 机 设 备 投 资 需 求，当前技术路径并存，我们看好具备先发优势且前瞻布局 6-8 英寸大衬底切片设备的企业。推荐标的：已实现高线速碳化硅金刚线切片机批量销售，已推出 8 寸碳化硅金刚线切片机并持续推进设备国产替代的高测股份。受益 标的：从事精密激光加工设备业务，碳化硅激光切片技术已完成工艺研发和测试验证，2-12 英寸碳化硅晶圆激光切割在研项目技术指标先进的德龙激光；专注超微细合金线材，金刚线技术持续精进的东尼电子。1.+1.1.1 Si Ge 20 50 2 GaAs InP 20 90 3 SiC GaN 10 5G 4 Ga 2O3 AlN GaSb InSb 5-10 2 第一代半导体 第二代半导体 第三代半导体 第四代半导体 代表材料 硅（Si）、锗（Ge）砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）碳化硅（SiC）、氮 化 镓（GaN）锑化镓（GaSb）、氧化镓（Ga2O3）材料性质 间接带隙结构，禁带宽度较窄、电子迁移率和击穿电场较低 直接带隙结构，电子迁移率是硅 6 倍，发光效率高 宽 禁 带、击穿电场高、热导率高、电子饱和率高、抗辐射能力强 超窄带隙，电子迁移率高；超宽带隙，更高击穿电场等 特点分析 工艺成熟、成本低廉、自然界储备大 工艺较为成熟、资源稀缺、材料具有毒性 工 艺 发展中、成本较高、适用于高电 压、高频率场景，减少电力消耗 科研阶段，工艺良率低、成本高，外部设备禁运 应用领域 大规模集成电路领域，低亚、低频器件（硅基器件占半导体产品 90%以上）微电子和光电子领域，发光二极管和通信器件等 新 能 源 汽车、5G 和 高速轨 道 交 通等 新 兴领域，光电子和功率电子器件等 探测器、激光器等和特性更突出得功率器件+SiC GaN 8 of 44 SiC GaN SiC SiC GaN GaN LED LD Micro-LED LED 1)SiC GaN 650-1200V SiC SBD MOSFET GaN HEMT 2)SiC GaN-HEMT 5G SiC GaN 90%1 2 SiC GaN CASA omedia SiC 4H-SiC SiC C Si 200 6H-SiC 3C-SiC 4H-SiC 4H-SiC SiC 84W/(m K)3 Si 3 Si Si 2.5 2000 SiO2 3 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%SiC功率器件 SiC功率模组 GaN功率器件 GaN 功 率 模 组 与 系 统IC 9 of 44 3 SiC 物理特性 Si GaAs 4H-SiC 6H-SiC 3C-SiC GaN 禁带结构 间接 直接 直接 直接 直接 间接 禁带宽度（eV）1.1 1.4 3.2 3.0 2.2 3.4 临界击穿电场（MV/cm）0.3 0.06 3 5 3 5 电子迁移率（/)1350 8500 800 400 800 1250 空穴迁移率（/)480 400 115 90 320 200 饱和漂移速度（107cm/s）1 2 2 2 2.5 2.5 相对介电常数 11.8 12.8 9.7 10 9.7 9 热导率（W/cm*K）1.3 0.55 4.9 4.9 3.6 2 CASA 1.2.SiC SiC SiC SiC SiC 1 SiC Si 10 SiC Si 3 2 SiC Si 2.5 SiC SBD MOSFET IGBT 3 SiC Rohm SiC-MOSFET MOSFET 1/200 1/10 SiC-MOSFET Si-IGBT 1/4 4 5 SiC SiC+SiC SiC 10 of 44 GaN SiC SiC Si Si SiC SiC SBD PiN JBS MOSFET JFET BJT IGBT Thyristor MOSFET IGBT SiC-SBD 2001 SiC-MOSFET 2010 SiC SIC-IGBT 6 SiC 7 SiC SiC-SBD 600V Si-FRDSiC-SBD Si-SBD SiC-SBD Si-SBD TRR SiC SiC-SBD SBD 250V 1200V 1700/3300V SiC-SBD Si-FRD PN TRR SiC-SBD/AC-DC/Si-FRD SiC-PiN SiC-JBS 53%600V1700VSiC 55 8 SiC-SBD 11 of 44 SiC-MOSFET 650V Si-MOSFET IGBT MOSFET(M-)(O-SiO2)(S)FET MOSFET 650V Si IGBT SiC-MOSFET 180 SiC-MOSFET 43%650V1700V 100A 55 1200V 9 SiC-MOSFET Si-MOSFET IGBT 10 SiC-MOSFET IGBT IGBT SiC-IGBT IGBT BJT(MOS MOSFET IGBT IGBT 600V 10A 1KHz UPS 12 of 44 GTO GTR SiC-IGBT SiC-IGBT 11 IGBT 1.3.1.3.1.70%SiC 7%50%SiC 47%23%19%12 70%47%23%13 of 44 Y ole 2019 1.52 2021 2.10 2018 1.70 2021 3.80 2023 2.81 6.84 13 SiC 14 SiC Y ole Y ole 1.3.2.8 2024 6 900-1000 6 50 Wolfspeed 6 8 448 845 14%7%15 16 Wolfspeed 8 2024 8 8 6 8 Wolfspeed 8 2024 2022 6 1.521.82.12.422.813.263.784.330123452019 2020 2021 2022E 2023E 2024E 2025E 2026E1.792.322.83.85.126.849.0712.2116.221.605101520252018 2020 2022E 2024E 2026E 14 of 44 60%PGC Consultancy 2023-2024 8 2030 8 1200V/100A MOSFET 2022 6 54%57%50%17 Wolfspeed 8 18 PGC 8 2024 Wolfspeed 8 4 8 6 8 7%2022 4 Wolfspeed 8 4 4 8 wolfspeed 2023-2024 8 8 W olfspeed 2015 2022.04 2024 2020.01 2022.01 2015 2023 2022.11 2023-2015 2024 2022.08 2023 Q2 2021.07 2021.08 2023 2022.09-2021 2022.09 2022.12-2022 2025 2021.01-2023-2022.09-Soitec 2021 2023H2-1.3.3.(10)2023 SiC 3.75%EE World 2022 SiC Wolfspeed 6 1000 12 100 2-3 15 of 44 SiC Y ole 2023 90%Si SiC 3.75%CR3 89%Wolfspeed 62%4%CR3 98%-Wolfspeed SiC SiC 90%SiC Wolfspeed 60%40%19 2020 CR3 89%20 2020 CR3 98%Y ole Y ole 21 70%40%2.Wolfspeed62%-14%SiCrystal13%SK Siltron5%天科合达4%其他2%-35%Wolfspeed33%山东天岳30%其他2%0%10%20%30%40%50%60%70%80%2018 2019 2020 2021H1晶棒良率 衬底良率 16 of 44 SiC 2.1.SiC SiC SiC PVT)HTCVD)(TSSG)HTSG 22 PVT 5 PVT SiC PVT HTCV D(TSSG)2000 SiC Si2C、SiC2、Si2 SiC 2000-2500 SiH4、C2H4 SiC SiC SiC HTSG TSSG Si C SiC C 2100-2450 350MPa 2200 1400-1800 m/h 200-400 4H 6H 4H 6H 4H 6H 17 of 44 0.2cm2）PVT p 102104 cm2/6 8 2022 4 Wolfspeed 8 SiC 4 6 4 6 4 6 4 SiC 2022 PVT Wolfspeed-SiCrystal Rohm PVT SiC 1 PVT SiC 杂质含量低于 0.001%。2 2-3 2m 8 PVT SiC 7 2cm SiC 3 SiC 200 4H SiC 4 PVT SiC 6 PVT SiC CVD-99.9999%SiH4、SiCl4、CH4 C2H4、CCl4 CVD Si C 18 of 44 N SiC N HTCVD HTCVD 1 2 HTCVD PVT HTCVD HTCVD TSSG Si C SiC TSSG p 7 2021.08 MPZ 6 SiC PVT 5 99%2021 2016 TSSG 10mm 2 4H-SiC 4 4H-SiC 2022.02 4-6 5400 4.5 2022.03 2022.10+6 SiC 1%2022 2025 7 8 2022.11 6 2023 6-9 8 2025 2.2.SiC X SiC SiC 1 SiC 9.2-9.6 0.5 19 of 44 2 2 3 23 2.2.1.50%Warp Bow TTV 1 2 3 2 m/s 20 90-SiC 20 of 44 24 8 580-900m/min PEG 2,400m/min 20%2-4 SiC 9 21 of 44 2-3m/s-8-10m/s/m 180-250 10 10 100/m 30 25 1 25 1-,SiC SiC 2016 DISCO KABRA SiC 1 3.1h 1 6 SiC KABRA 10 2 3 1.4 2018 11 1.24 Siltectra GmbH Cold Split SiC 3 50%25 DISCO KABRA 26 DISCO Laser MicroJet LMJ 22 of 44 27 2016 Meyer Burger HCT NTC DISCO 28 Wind 2.2.2.CMP SiC X 23 of 44 10 TTV Bow Warp Ra 0.5nm GB/T 30656 2014 29 30 CMP TIP 2.3.SiC SiC SiC SiC GaN 650V SiC CVD LPE MBE CVD CVD C/Si CVD 1200 TSG 24 of 44(TCS)10 31 SiC 600V 6 m 1200 1700V 10-15 m 10000V 100 m SBD JSB MOSFET Wolfspeed-ROHM+LPE Aixtron Nuflare 87%55 32 LPE（意）34%Aixtron（德）33%Nuflare（日）20%其他13%25 of 44 2.4.1 SiC CD-SEM 2 SiC 3 SiC Si SiC 1600 4 MOSFET SiC-MOSFET SiC/SiO2 11 1950 700 SiC Ti/Cr/W/Mo/TiW/Ni SiC 385nm TIP 26 of 44 3.1 2026 455.7 2 2026 839.2 2026 251.8 48.0 14%35.3 6.72 2026 78.9%占比，衬底良率 60%计算，导电 型衬底有效产能约为 397.3 万片，相较于需求而言，存在约 58.4 万片的有效产能缺口，对应约 29.2 亿元衬底设备投资空间与 4.1 亿切片机投资空间 12 2026 251.8 48.0 2022 2023E 2024E 2025E 2026E()50.7 93.8 162.4 256.3 347.3()34.3 63.7 85.2 98.0 108.4()85.0 157.5 247.5 354.4 455.7 碳 化 硅 衬底 产能 合计(万片)218.5 357.8 514.6 679.2 839.2 其中:导 电 衬 底有 效产 能(万片)89.0 152.2 227.2 311.3 397.3 导 电 衬 底供 需缺 口 5.3 20.3 43.0 58.4 碳 化 硅 衬底 设备 总市 场空 间(亿元)136.0 180.1 217.3 251.8 碳 化 硅 衬底 设备 新增 市场 空间(亿元)52.9 54.9 52.7 48.0 Y ole Y ole 3.1.+Y ole 2021 62.8%14.1%11.6%7.2%33 27 of 44 Y ole,1 OBC DC/DC 34 OBC DC/DC ROHM IGBT 1000-1500 IGBT 2000-3000 SiC MOSFET Si IGBT 4000-6000 Wolfspeed SiC MOSFET 5%-10%V irtual Capitalist 101$/kWh 100kWh 10100$70000 5%3500 2026 347.3/28 of 44 2026 30%DC/DC 2026 70%1 CASA 2026 20%-30%2022-2026 15%/20%/27%/32%/35%2022-2026 DC/DC 30%/40%/50%/60%/70%2 Model 3 24 2 48 SiC MOSFET Wolfspeed 22kW OBC 14 SiC MOSFET Wolfspeed 6.6kW DC/DC 4 SiC MOSFET 25 kW 14 SiC MOSFET 3 Wolfspeed 32mm2 199 448 845 6 4 2022-2026(32mm2)48 50 54 60 64(32mm2)18 18 20 25 30 5 2022-2026 60%62%64%66%68%13 2026 347.3 2022 2023E 2024E 2025E 2026E()1082 1515 1894 2216 2438 YOY 61.6%40%25%17%10%SiC 15%20%27%32%35%48 50 54 60 64 60%62%64%66%68%()29.0 54.5 96.3 143.9 179.3 SiC 30%40%50%60%70%18 18 20 25 30 60%62%64%66%68%()21.7 39.3 66.1 112.4 168.1()50.7 93.8 162.4 256.3 347.3 CASA Wolfspeed 2 1000V 1500V 1700V 20A IGBT 29 of 44 96%99%35 SG250HX 2026 108.4/CASA 2025 50%1 2 CASA 2021 13%2022-2026 20%30%40%50%52%3 2022-2026 0.25/0.22/0.2/0.18/0.18 30%/28%/28%/26%/26%IGBT BOM 16%4 SiC MOSFET 2022-2026 SiC MOSFET/IGBT 3.5/3.2/3/2.8/2.6 5 2022-2026 SiC 46%44%42%40%40%2022-2026 SiC 0.6 0.57 0.54 0.5 0.45/14 2026 108.4 2022 2023E 2024E 2025E 2026E(GW)228.5 350 440 500 550 光 伏 逆 变器 平均 单价(元/W)0.25 0.22 0.2 0.18 0.18 30%28%28%26%26%IGBT BOM 16%16%16%16%16%IGBT()72.0 99.8 101.4 106.6 117.2 20%30%40%50%52%SiC MOSFE T/IGBT 3.5 3.1 2.7 2.3 2 SiC()44.8 82.5 109.5 122.5 121.9 30 of 44 SiC()20.6 36.3 46.0 49.0 48.8(/)0.6 0.57 0.54 0.5 0.45()34.3 63.7 85.2 98.0 108.4 CPIA CASA 3.2.根 据 产 能 梳 理，我 们 预 计 至 2026 年碳化硅衬底名义产能达 839.2 万片，对应设备总市场空间 251.8 亿 元，当 年 市 场 空 间 48.0 亿元。2023-2026年，预计 国外 龙头 企业 Wolfspeed、Coherent 有望凭借先发优势，碳化硅衬底产能将率先突破百万片；国内厂商也在陆续扩产，其中东尼电子、天科合达产能扩张较快。根据 Y ole 市场空间预测数据，2026 年全球导电型碳化硅衬底市场规模约占衬底总市场规模的78.9%,假设衬底良率为60%，我们 折算 出 2026 年导电型衬底有效产能约为 397.3 万片，相比 于455.7 万片 的需 求，仍存 在约 58.4 万片的有效供给缺口，对应约 29.2 亿元设备投资空间。2022 年天岳先进上海临港工厂募资项目，每 10 万片衬底产能的设备投资约为 4 亿元。结合 2021 年晶盛机电定增公告，其碳化硅衬底晶片项目中，每 10 万片衬底产能设备投资约为 6 亿元。考虑技术快速迭代带来的设备投资下降，我们估计 2023-2026 年每 10 万片碳化硅衬底设备投资额分别为 3.8/3.5/3.2/3 亿元。参考晶盛机电公告，其年产 40 万片及以上 6 英寸碳化硅衬底晶片项目中，设备购置及安装成本中，晶体生长炉成本占比 50.6%，切片 机成 本占 比 14.3%，原料 合成 炉成 本占 比 10.1%，粗抛光机成本占比 5.7%；其他支出占比 19.2%36 2023 15 2026 839.2GW 2022 2023E 2024E 2025E 2026E Wolfspeed 87.8 107.5 127.2 147.2 167.2 Coherent 20 40 60 80 100 晶体生长炉1.92 亿切片机0.55 亿原料合成炉0.38 亿粗抛光机0.22 亿其他支出0.73 亿 31 of 44 RHOM 10 18 26 34 40 SK Siltron 12 21 31 41 50 安森美 4 8 12 16 20 天岳先进 6 10 20 28 36 天科合达 12 21 40 60 80 东尼电子 7 13.5 30 50 70 露笑科技 4 20 20 30 35 同光晶体 10 10 10 10 10 烁科晶体 4 12 20 30 40 三安光电 7.2 16.8 26.4 36 46 国宏中能 6 7 9 11 11 中科钢研 9 9 9 9 9 世纪金光 3 5 10 13 17 微芯长江 1 10 22 25 30 科 友 半 导体 4 10 15 20 30 中国电科 10 15 15 15 15 天达晶阳 0.5 1 5 10 12 博兰特 0 1 5 10 15 中 电 化 合物 1 2 2 4 6 碳 化 硅 衬底 产能 合计(万片)218.5 357.8 514.6 679.2 839.2 碳 化 硅 衬底 当年 新增 产能(万片)139.3 156.8 164.6 160 十 万 片 衬底 产能 设备 投资(亿元)3.8 3.5 3.2 3 碳 化 硅 衬底 设备 总市 场空 间(亿元)136.0 180.1 217.3 251.8()52.9 54.9 52.7 48.0 2023 4()1 Wolfspeed Wolfspeed 2021 2022 16.7 6 176.71 87.8 2024 24.2 2024 127.2 65 445 2024 2023 2 Wolfspeed 2023-2026 6 107.5/127.2/147.2/167.2 2 Coherent(II-VI)2022 3 II-VI 64 5 6 2027 100 6 8 SiC 2024 Coherent 2023-2026 6 40/60/80/100 3)RHOM：罗姆计划在 2021-2025 年期间投入 1700-2200 亿日元用于碳化硅 扩产，其预 计 2025 年产能相较于 2021 年产能提升至 6 倍。其 8 英寸衬底也将于 2023 年量产。2023-2026 6 18/26/34/40 32 of 44 4 SK Siltron 2022 9 SK Siltron 6 2025 50 SK Siltron 2023-2026 6 18/26/34/50 5 2021 GTA T 2022 7 10 2025 2022 8 2022 SiC 2022 9 2023-2026 6 8/12/16/20 6 2021 6.7 4 2022 20 6 2026 6 30 2022 2023-2026 6 10/20/28/36 7 2023 2 2 2023-2026 6 21/40/60/80 8 2021 12 3 12 2021 1 2023-2026 6 13.5/30/60/70 9 2022 5000/2023 6 20 10 8 2023-2026 6 20/20/30/35 10 2021 9 10 4-6 2023-2026 6 10/10/10/10 11 2022 8000 4 6 8 2025 30 2023-2026 6 12/20/30/40 12 2022 6000 2025 36 33 of 44 2023-2026 6 16.8/26.4/36/46 13 4-6 11 SiC 2021 1 2021 6 2023-2026 6 7/9/11/11 14 4 N 5 6 N 5 4 1 5 4 SiC 5000 4 SiC 2023-2026 6 9/9/9/9 15 3 6 2022 9 2021 7 22 6-8 6 2023-2026 6 5/10/13/17 16 2021 4 5 6 20 2023-2026 6 10/22/25/30 17 2022 6 4-5 10 6 2023-2024 2030 8 2023-2026 6 10/15/20/30 18 2020 2 10 4-6 N 5 4-6 2023-2026 6 15/15/15/15 19 4 1.2 54 4-8 10.8 2023-2026 6 1/5/10/12 20 2020 7 15 4 2023-2026 6 1/5/10/15 21 2 2022 8 4-6 N 4 2023-2026 6 2/2/4/6 34 of 44 35 of 44 4.碳化硅衬底产能高速扩张，带来国内切割设备厂 商 成 长 机 遇。据我们测算，2026 年碳化硅衬底产能有望达到 839.2 万片/年，四年 CAGR 达 40%。当前碳化硅衬底切割设备仍以海外进口为主，伴随衬底产能迅速扩张，技术 领先、具备 成本 优势 的国 产碳 化硅 切割 设备 厂商 有望实现国产替代，带来业务高速增长。推荐标的：实现 碳化 硅金 刚线 切片 机销 售的 高测 股份，其研 发的 国内 首款高线速碳化硅金刚线切片机 GC-SCDW6500，已经在行业内独家实现了批 量销 售，目前 公司 已推 出适 用于 8 寸碳化硅衬底切割的碳化硅金刚线切片机，有望在未来进一步实现碳化硅切割设备的国产替代 受益标的：专注超微细合金线材，金刚线技术持续精进的东尼电子、激光加工设备技术领先，已推出碳化硅激光切割设备的德龙激光。4.1.2006/16 2022 14.74 50.41%62.57%2021 20.92%2022 8.4 188.15%23.74%2021 5.12%2022 7.89 356.66%36 of 44 37()38 Wind Wind 2023 9,00 38GW 1 2022 4,000 300%2022 4000 2023 2 6GW 12GW 2022 12 10GW 2022 2022 12GW 5GW 2023 39 2023 9,000 40 2023 38GW Wind Wind 1 GC-SCDW6500 8 2:05101520253035402020 2021 2022切割装备切割耗材轮 胎 测 试 装 备其他54 32 59 173 789 28%-40%84%193%357%-100%-50%0%50%100%150%200%250%300%350%400%01002003004005006007008009002018 2019 2020 2021 2022归 母 净利润(百万)YOY4.64 10 40 900204060801002020 2021 2022 2023E金 刚 线产能(百万 公里)5213805101520253035402021 2022 2023E硅 片 切 割 产 能(GW)37 of 44 3 210mm 210mm 17 210mm 210mm 8 0 m 3 3 m GC-SCDW6500 8 22 4.2.2008 1 18 细分产品 细分产品介绍 磁材 磁材是在核心功能性材料研发的基础上，配套进行材料的模切，进而组装成模组，具备从材料到模组的供应链整合能力，从而拥有高性能、高质量、高效率、低成本的竞争优势。导体 导体是电线电缆导电线芯的简称，主要为各类工业领域提供导通性的生产材料，主要材料有纯铜、锡铜合金，银铜合金，镀银/镀锡铜线等各类有色金属线。复膜线(漆包线)及线圈 主要产品有直径范围 0.015-0.40mm 漆包圆铜线；各类规格的漆包绞线；各种超微细铜合金高张力漆包线；各种超微细漆包铜扁线，及矩形漆包线。FPC&CCS FPC 是以柔性覆铜板为基材制成的一种印制电路板，是电子产品的关键电子互连件，起到导通和传输的作用；电池连接系统(简称 CCS 将线束/FPC（含温度端子）、塑料支架、汇流排（输出极铜/铝巴、串联铝巴）通过焊接等结合方式组合在一起，将温度和电压采集线束集成，便于电池厂模组生产。极耳铝塑膜 极耳是一种专用于软包型锂离子电池的封装结构材料；铝塑膜是新能源软包锂电池的外包装膜，具备耐腐蚀、耐穿刺、较好的成型性和阻隔性的特点。线缆线束 新能源汽车线束，为新能源汽车核心部件提供安全、可靠的电流和信号传输。38 of 44 医疗线缆和线束 具备国内首创的极细铁氟龙物理发泡技术和超微细导体生产工艺。金刚石切割线 广泛应用于光伏行业（单晶硅、多晶硅切割），蓝宝石、磁性材料、光伏玻璃等硬脆性材料的切割。与传统砂浆切割方式相比，金刚线切割效率高、出片率高、环境污染较小、产品损伤小、切割成本低。太阳能胶膜 涵盖了包括高透 EV A、高截止 EV A、白色 EV A、POE、共挤 EPE 等主流太阳能电池封装胶膜产品。SiC 碳化硅 采 用 的 前沿技术突破了 碳化硅单晶材料的大直径生长、多型控制、应力和位错缺陷 降 低 等关键问题，解决了碳化硅晶体生长缺陷数量的控制和晶体品质的瓶颈问题，从而得到高质量、大尺寸的碳化硅单晶材料。2020 4.39%2022 23.73 2020 87.63%56.83%5 2022 1.08 227%41 42 Wind Wind 2019 2020 49 KPCS 67.17%2020-2022 2022 477 KPCS 111.45%43 051015202020 2021 2022消费电子 营收 光伏营收医疗营收 新能源营 收半导体营 收 其他1.2-1.50.50.31.1-229%132%-31%227%-300%-200%-100%0%100%200%300%-2-1.5-1-0.500.511.52018 2019 2020 2021 2022归 母 净利润(亿元)YOY 39 of 44 引进日本钨丝技术，自主研发光伏领域钨丝金刚线。经过多年的研发，公司已经掌握了超微细合金线材相关的全套设计技术、工艺制作技术、检测测试技术、精密制造技术等核心技术，具有独立开发新款产品的能力。在微细合金线材生产的关键技术 拉丝技术方面，公司已有能力将铜材及合金材料拉需直径仅为 0.016 毫米 的细 丝，相当 于人 头发 丝 1/5，且在大长度拉拔后仍能保持材料具有高度的稳定性及一致性，目前国内仅有极少数企业可以达到这一技术水平。金刚线产品方面，公司已经取得了金刚线相关专利，且不断对金刚石切割线产品进行技术设备改造，并且引进日本钨丝技术，着力研究钨丝金刚线。19 2014 10 2015 10 2014 10 2016 20 4.3.2005 MEMS Mini LED 5G 49226477-67%356%111%-100%-50%0%50%100%150%200%250%300%350%400%01002003004005006002020 2021 2022光 伏 领 域(万KPCS)YOY 40 of 44 20 lowk LED LED OLED OLED Mini LED 3D TFT-LCD AMOLED Mini LED FPC/PCB FPC PCB PET 21/22Q3 3465.96 60%2019-2021 65.81%71.49%73.46%2019-2022 7.34%8.76%10.39 2018-2021-744.94 8771.37 2022Q3 3465.96 60%44 45 22Q3 3465.96 60%41 of 44 Wind Wind 2022 5G 1 2 3 5G 22 1000mm/s 23 5G:212 01234562019 2020 2021精 密 激光 加工设 备 激光器激 光 加工 服务 激 光 设 备 租 赁 服 务其 他 业务-7 20 67 88 67 374%230%30%-23%-50%0%50%100%150%200%250%300%350%400%-200204060801002018 2019 2020 2021 2022归 母 净 利 润(百 万 元)YOY 42 of 44 380 380 150/150/50/30/24 380()1 150 2 50 3 150 4 30 380 43 of 44 5.风 险 提示 5.1.碳 化 硅 渗透 率增 长 不及 预期 碳化硅在下游应用领域的渗透率受到工艺良率、衬底成本、衬底产能、器件性能以及下游景气度等因素影响，如果上述环节造成碳化硅应用时带来的综合性能提升不及预期，可能会导致碳化硅渗透率增长不及预期，将对市场规模和厂商发展造成不利影响。5.2.碳 化 硅 扩产 不及 预 期 目前国内外碳化硅厂商进入扩产节奏，扩产对资金和技术要求较高，如果相关厂商资金投入力度不足或者技术研发进度不及预期，可能会影响厂商 扩产 节奏，进一 步加 剧碳 化硅 产能 紧缺，对产 业发 展造 成不 利影 响。5.3.宏 观 经 济和 行业 波 动 碳化硅行业受下游新能源汽车、光伏、储能等领域的影响，宏观经济受不确定性因素的冲击以及周期性全球宏观经济的恶化，会对新能源需求产生负面影响，进一步影响碳化硅的扩