本报告的风险等级为中高风险。本报告的信息均来自已公开信息，关于信息的准确性与完整性，建议投资者谨慎判断，据此入市，风险自担。请务必阅读末页声明。电 子 行 业超 配（维 持）C h i p l e t 助 力 半 导 体 产 业 弯 道 超 车，先 进 封 装、I C 载板、半 导 体 I P 等 多 环 节 受 益Chiplet 行业专题报告2 0 2 3 年 3 月 3 0 日刘 梦 麟S A C 执 业 证 书 编 号：S 0 3 4 0 5 2 1 0 7 0 0 0 2电 话：0 7 6 9-2 2 1 1 0 6 1 9邮 箱：l i u m e n g l i n d g z q.c o m.c n罗 炜 斌S A C 执 业 证 书 编 号：S 0 3 4 0 5 2 1 0 2 0 0 0 1电 话：0 7 6 9-2 2 1 1 0 6 1 9邮 箱：l u o w e i b i n d g z q.c o m.c n陈 伟 光S A C 执 业 证 书 编 号：S 0 3 4 0 5 2 0 0 6 0 0 0 1电 话：0 7 6 9-2 2 1 1 0 6 1 9邮 箱：c h e n w e i g u a n g d g z q.c o m.c n电 子 行 业 指 数 走 势资 料 来 源：W i n d，东 莞 证 券 研 究 所相 关 报 告投 资 要 点：C h i p l e t 能 有 效 提 升 集 成 度 并 保 证 良 率，是 后 摩 尔 时 代 我 国 芯 片 弯 道 超车 的 重 要 途 径。C h i p l e t 是 将 一 类 满 足 特 定 功 能 的 d i e，通 过 d i e-t o-d i e内 部 互 联 技 术 实 现 多 个 模 块 芯 片 与 底 层 基 础 芯 片 封 装 在 一 起，进 而 形 成一 个 系 统 芯 片。它 能 在 不 改 变 制 程 的 前 提 下 提 升 芯 片 集 成 度，提 高 算 力并 保 证 芯 片 生 产 良 率，相 比 传 统 S o C 在 设 计 灵 活 度、设 计 与 生 产 成 本、上 市 周 期 等 方 面 优 势 明 显，有 望 成 为 后 摩 尔 时 代 我 国 集 成 电 路 弯 道 超 车的 重 要 途 径。国 内 外 厂 商 积 极 推 进，市 场 规 模 有 望 实 现 快 速 增 长。新 互 联 标 准 U C l e的 提 出，为 集 成 不 同 制 程 工 艺、不 同 厂 商、不 同 技 术 的 芯 片 提 供 了 标 准与 技 术 支 持，让 晶 圆 代 工 厂 可 以 对 不 同 类 型 的 芯 片 进 行 集 成，减 小 行 业发 展 阻 力，有 助 于 C h i p l e t 行 业 快 速 走 向 成 熟。C h i p l e t 可 在 一 定 程 度 上避 免 摩 尔 定 律 放 缓 的 窘 境，全 球 半 导 体 龙 头 企 业 积 极 推 进，国 内 亦 有 多家 知 名 企 业 先 后 加 入 U C l e 联 盟，直 接 受 益 相 关 技 术 标 准，共 同 构 建C h i p l e t 生 态 体 系，助 力 C h i p l e t 市 场 规 模 实 现 快 速 增 长。C h i p l e t 技 术 持 续 推 进，先 进 封 装、I C 载 板、半 导 体 I P 等 多 环 节 受 益。先 进 封 装 与 测 试：C h i p l e t 需 要 先 进 封 装 技 术 作 为 支 持，此 外，且 在 生产 完 成 后 需 要 进 行 全 检，增 大 集 成 电 路 测 试 需 求，利 好 在 先 进 封 测 布 局领 先 的 封 测 厂 商 与 测 试 设 备 供 应 商；I C 载 板：I C 载 板 为 先 进 封 装 的 关 键材 料，国 产 替 代 率 低，行 业 存 在 较 大 供 需 缺 口，以 兴 森、深 南 为 代 表 的内 资 P C B 企 业 积 极 扩 产，以 满 足 下 游 客 户 需 求；半 导 体 I P：C h i p l e t 开 启I P 复 用 新 模 式，即 硅 片 级 别 的 复 用，不 同 功 能 的 I P 可 灵 活 选 用 选 择 不 同的 工 艺 分 别 进 行 生 产，从 而 可 以 灵 活 平 衡 计 算 性 能 与 成 本。随 着 C h i p l e t技 术 演 进，I P 供 应 商 的 商 业 灵 活 性 和 发 展 空 间 得 到 拓 展，可 积 极 关 注 相关 企 业。投 资 策 略：维 持 行 业“超 配”评 级。C h i p l e t 为 后 摩 尔 时 代 提 升 芯 片 算力 与 集 成 度 的 重 要 途 径，有 望 助 力 我 国 集 成 电 路 产 业 先 进 制 程 实 现 弯 道超 车，各 大 厂 商 积 极 布 局。C h i p l e t 技 术 持 续 推 进，先 进 封 装、半 导 体测 试、I C 载 板 与 半 导 体 I P 等 多 环 节 受 益，建 议 关 注 相 关 企 业。先 进 封 装；长 电 科 技（6 0 0 5 8 4）、华 天 科 技（0 0 2 1 8 5）、通 富 微 电（0 0 2 1 5 6）、晶方 科 技（6 0 3 0 0 5）；集 成 电 路 测 试 设 备：华 峰 测 控（6 8 8 2 0 0）、长 川 科技（3 0 0 6 0 4）；I C 载 板：兴 森 科 技（0 0 2 4 3 6）、深 南 电 路（0 0 2 9 1 6）；半 导 体 I P：芯 原 股 份（6 8 8 5 2 1）。风 险 提 示：C h i p l e t 推 进 不 及 预 期、集 成 电 路 行 业 景 气 持 续 低 迷。深 度 研 究 行 业 研 究 证 券 研 究 报 告电子行业专题报告2请务必阅读末页声明。目 录1、C h i p l e t 是 国 内 半 导 体 弯 道 超 车 的 重 要 途 径，市 场 规 模 有 望 快 速 增 长.41.1 C h i p l e t 为 后 摩 尔 时 代 提 升 芯 片 算 力 与 集 成 度 的 重 要 途 径.41.2 海 外 科 技 领 域 制 裁 加 剧，C h i p l e t 助 力 国 内 半 导 体 产 业 弯 道 超 车.61.3 新 互 联 标 准 提 供 行 业 规 范，C h i p l e t 市 场 规 模 有 望 快 速 扩 张.82、C h i p l e t 技 术 持 续 推 进，先 进 封 装、I C 载 板、半 导 体 I P 等 多 环 节 受 益.1 02.1 C h i p l e t 拉 动 先 进 封 装、半 导 体 测 试 需 求.1 02.2 I C 载 板 是 先 进 封 装 的 关 键 材 料，国 产 替 代 前 景 广 阔.1 62.3 C h i p l e t 采 用 新 型 的 I P 复 用 模 式，为 半 导 体 I P 发 展 提 供 新 机 遇.1 83、投 资 策 略.2 04、风 险 提 示.2 1插 图 目 录图 1：摩 尔 定 律 在 过 去 几 十 年 指 引 集 成 电 路 产 业 发 展.4图 2：摩 尔 定 律 逐 步 放 缓.4图 3：G P U、C P U C h i p l e t 示 意 图.4图 4：集 成 多 制 程 工 艺 器 件 的 C h i p l e t 异 构 处 理 器.4图 5：C h i p l e t 晶 圆 设 计 方 案.6图 6：C h i p l e t 方 案 能 显 著 提 升 芯 片 良 率.6图 7：台 积 电 2 2 Q 3 收 入 分 布（按 制 程 节 点 划 分）.7图 8：台 积 电 7 n m 及 以 下 制 程 占 比 不 断 提 升.7图 9：U c l e 产 业 联 盟 董 事 会 成 员.9图 1 0：U C I E 的 堆 栈 可 分 为 三 层.9图 1 1：全 球 C h i p l e t 芯 片 市 场 规 模 预 测（亿 美 元）.1 0图 1 2：2 0 1 4-2 0 2 1 年 全 球 集 成 电 路 封 测 行 业 市 场 规 模 及 同 比 增 长 率.1 0图 1 3：2 0 1 4-2 0 2 1 年 中 国 集 成 电 路 封 测 销 售 额 及 同 比 增 长 率.1 0图 1 4：2 0 1 0-2 0 2 1 年 国 内 集 成 电 路 设 计 行 业 市 场 规 模 及 同 比 增 长 率.1 1图 1 5：2 0 1 0-2 0 2 2 年 中 国 芯 片 设 计 企 业 数 量 增 长 情 况.1 1图 1 6：不 同 制 程 节 点 下 芯 片 的 成 本 结 构.1 3图 1 7：传 统 封 装 与 先 进 封 装 比 较.1 3图 1 8：2 0 1 7-2 0 2 7 年 全 球 先 进 封 装 细 分 方 向 市 场 规 模 预 测.1 3图 1 9：E M I B 封 装 技 术.1 4图 2 0：C o W O S 封 装 技 术.1 4图 2 1：I C 载 板 结 构 示 意 图.1 6图 2 2：I C 载 板 下 游 应 用 领 域.1 6图 2 3：封 装 材 料 价 值 量 占 比.1 7图 2 4：全 球 I C 载 板 竞 争 格 局.1 7图 2 5：2 0 1 4-2 0 2 5 年 中 国 I C 载 板 市 场 规 模（亿 元，含 预 测 值）.1 8图 2 6：C h i p l e t 通 过 集 成 大 量 I P 缩 短 研 发 周 期，提 升 良 率.1 9图 2 7：不 同 工 艺 节 点 下 芯 片 所 集 成 的 硬 件 I P 数 量（平 均 值）.1 9图 2 8：全 球 半 导 体 I P 市 场 规 模（单 位：1 0 亿 美 元）.1 9表 格 目 录表 1：C h i p l e t 芯 片 与 S o C 比 较.6表 2：海 外 制 裁 限 制 我 国 半 导 体 产 业 发 展.7ZXCXyRnQoNoPrPmPqNtMoP8OdNaQsQqQmOtQiNmMsRlOmPrQ7NpPvNvPsRnRwMtOqN电子行业专题报告3请务必阅读末页声明。表 3：2 0 2 2 年 全 球 封 测 前 十 强 预 估 排 名.1 2表 4：全 球 部 分 先 进 封 装 解 决 方 案.1 4表 5：全 球 主 要 提 供 C h i p l e t 封 装 厂 商 解 决 方 案 汇 总.1 5表 6：封 装 基 板 分 类（按 基 板 材 料 划 分）.1 7表 7：重 点 公 司 盈 利 预 测 及 投 资 评 级（截 至 2 0 2 2/3/2 9）.2 0电子行业专题报告4请务必阅读末页声明。1、C h i p l e t 是 国 内 半 导 体 弯 道 超 车 的 重 要 途 径，市 场 规 模 有 望 快速 增 长1.1 C hip le t 为后 摩尔 时代提 升芯 片算力 与集成 度的 重要途 径摩 尔 定 律 指 引 过 去 几 十 年 集 成 电 路 产 业 发 展。摩 尔 定 律 由 英 特 尔 创 始 人 之 一 的 戈 登 摩尔（G o r d o n M o o r e）提 出，其 核 心 内 容 为：在 价 格 不 变 时，集 成 电 路 上 可 以 容 纳 的 晶 体管 数 量 每 1 8-2 4 个 月 便 会 增 加 一 倍，即：处 理 器 性 能 大 约 每 两 年 翻 一 倍，同 时 价 格 下 降为 之 前 的 一 半。在 过 去 几 十 年，摩 尔 定 律 指 引 着 集 成 电 路 产 业 发 展。随 着 工 艺 进 步，集成 电 路 上 晶 体 管 密 度 不 断 提 升，驱 动 计 算 机 性 能 保 持 几 何 级 数 增 长，而 性 能 的 快 速 提 升则 推 动 芯 片 价 格 迅 速 下 降。“摩 尔 定 律”发 展 陷 入 瓶 颈，集 成 电 路 进 入 后 摩 尔 时 代。从 1 9 8 7 年 的 1 u m 制 程 至 2 0 1 5年 的 1 4 n m 制 程，集 成 电 路 制 程 迭 代 大 致 符 合“摩 尔 定 律”的 规 律。但 自 2 0 1 5 年 以 来，集 成 电 路 先 进 制 程 的 发 展 开 始 放 缓，7 n m、5 n m、3 n m 制 程 的 量 产 进 度 均 落 后 于 预 期。随着 台 积 电 宣 布 2 n m 制 程 工 艺 实 现 突 破，集 成 电 路 制 程 工 艺 已 接 近 物 理 尺 寸 的 极 限，摩 尔定 律 发 展 陷 入 瓶 颈，行 业 进 入 了“后 摩 尔 时 代”。图 1：摩 尔 定 律 在 过 去 几 十 年 指 引 集 成 电 路 产 业 发 展 图 2：摩 尔 定 律 逐 步 放 缓资料来源：维基百科，东莞证券研究所 资料来源：A M D，东莞证券研究所C h i p l e t 可 在 不 改 变 制 程 的 前 提 下 提 升 算 力，且 保 证 芯 片 良 率。C h i p l e t 俗 称“芯 粒”，又 称“小 芯 片 组”，从 字 面 意 义 上 可 以 理 解 为“粒 度 更 小 的 芯 片”。它 是 将 一 类 满 足 特定 功 能 的 d i e，通 过 d i e-t o-d i e 内 部 互 联 技 术 实 现 多 个 模 块 芯 片 与 底 层 基 础 芯 片 封 装在 一 起，进 而 形 成 一 个 系 统 芯 片。它 可 以 有 效 提 升 芯 片 的 集 成 度，是 在 不 改 变 制 程 的 前提 下 提 升 算 力，并 且 保 证 芯 片 生 产 良 率 的 一 种 手 段。图 3：G P U、C P U C h i p l e t 示 意 图 图 4：集 成 多 制 程 工 艺 器 件 的 C h i p l e t 异 构 处 理 器电子行业专题报告5请务必阅读末页声明。资料来源：电子工程世界，东莞证券研究所 资料来源：芯原股份年报，东莞证券研究所与 传 统 S o C 相 比，C h i p l e t 在 设 计 灵 活 度、设 计 与 生 产 成 本、上 市 周 期 等 方 面 优 势 明 显。传 统 S o C，即 系 统 级 单 芯 片，是 将 多 个 负 责 不 同 类 型 计 算 任 务 的 计 算 单 元，通 过 光 刻 的形 式 制 作 到 同 一 块 晶 圆 上。随 着 摩 尔 定 律 放 缓，传 统 的 S o C 的 生 产 周 期 越 来 越 长，在 成本 大 幅 增 加 的 情 况 下 性 能 提 升 幅 度 有 限，行 业 接 近 制 造 瓶 颈；与 S o C 不 同，C h i p l e t 是将 一 块 原 本 复 杂 的 S o C 芯 片，从 设 计 时 就 先 按 照 不 同 的 计 算 单 元 或 功 能 单 元 对 其 进 行 分解，然 后 每 个 单 元 选 择 最 适 合 的 半 导 体 制 程 工 艺 进 行 分 别 制 造，再 通 过 先 进 封 装 技 术 将各 个 单 元 彼 此 互 联，最 终 集 成 封 装 为 一 个 系 统 级 芯 片 组。相 比 传 统 的 S o C，C h i p l e t 能 够 有 效 降 低 研 发、设 计 与 制 造 成 本，并 显 著 提 升 芯 片 良 率。英 特 尔 公 司 高 级 副 总 裁、中 国 区 董 事 长 王 锐 在 2 0 2 2 世 界 集 成 电 路 大 会 上 表 示，C h i p l e t技 术 是 产 业 链 生 产 效 率 进 一 步 优 化 的 必 然 选 择。“不 但 提 高 芯 片 制 造 良 品 率，利 用 最 合适 的 工 艺 满 足 数 字、模 拟、射 频、I/O 等 不 同 技 术 需 求，而 且 更 将 大 规 模 的 S o C 按 照 不同 的 功 能，分 解 为 模 块 化 的 芯 粒，减 少 重 复 的 设 计 和 验 证 环 节，大 幅 度 降 低 设 计 复 杂 程度，提 高 产 品 迭 代 速 度。且 有 利 于 后 续 的 产 品 迭 代，缩 短 上 市 周 期。”C h i p l e t 优 势 一：降 低 芯 片 设 计 的 复 杂 程 度，有 效 降 低 研 发 与 设 计 成 本。C h i p l e t 芯 粒设 计 灵 活，且 可 重 复 使 用，通 过 将 已 知 的 合 格 芯 片 裸 片 进 行 集 成，能 够 缩 短 芯 片 的 研 发与 设 计 周 期，降 低 研 发 设 计 成 本。据 悉，设 计 2 8 n m 芯 片 的 平 均 成 本 为 4,0 0 0 万 美 元，设 计 7 n m 芯 片 的 成 本 上 升 至 2.1 7 亿 美 元。而 T h e L i n l e y G r o u p 的 白 皮 书 C h i p l e t s G a i nR a p i d A d o p t i o n:W h y B i g C h i p s A r e G e t t i n g S m a l l 中 提 出，C h i p l e t 技 术 可 以 将 大型 7 n m 设 计 的 成 本 降 低 2 5%。；C h i p l e t 优 势 二：提 升 良 率。S o C 将 多 个 不 同 类 型 计 算 任 务 的 计 算 单 元 以 光 刻 形 式 集 成在 同 一 片 晶 圆 上，随 着 先 进 制 程 不 断 推 进，单 位 面 积 上 集 成 的 晶 体 管 数 量 越 来 越 多，设计 周 期 越 来 越 厂，芯 片 面 积 也 在 加 大。高 性 能 计 算 等 领 域 巨 大 运 算 需 求 推 动 逻 辑 芯 片 运算 核 心 数 量 上 升，配 套 S R A M 容 量、I/O 数 量 随 之 提 升。随 着 芯 片 面 积 的 加 大 和 集 成 的晶 体 管 数 量 增 多，对 制 造 过 程 中 的 芯 片 良 率 提 出 较 高 挑 战，让 芯 片 生 产 中 的 工 艺 误 差 和加 工 缺 陷 显 得 愈 发 明 显，一 个 微 小 的 缺 陷 就 可 能 导 致 整 个 大 芯 片 报 废。C h i p l e t 技 术 将大 芯 片 分 割 成 不 同 功 能 模 块 进 行 独 立 制 造，通 过 将 广 泛 的、成 熟 的 芯 片 裸 片 进 行 集 成，只 需 保 障 各 个 被 集 成 的 成 熟 芯 片 良 率 即 可，能 够 降 低 先 进 制 程 的 研 发 与 制 造 风 险，有 效提 升 良 率。C h i p l e t 优 势 三：大 幅 降 低 芯 片 制 造 成 本。S o C 中 的 逻 辑 计 算 单 元 对 性 能 要 求 高，整 体依 赖 先 进 制 程，具 有 极 高 的 生 产 壁 垒 与 制 造 成 本；C h i p l e t 方 案 则 可 针 对 不 同 的 模 块 采电子行业专题报告6请务必阅读末页声明。取 不 同 的 合 适 的 制 程，分 开 制 造，最 后 采 用 先 进 封 装 技 术 进 行 组 装，能 大 幅 降 低 芯 片 的制 造 成 本。图 5：C h i p l e t 晶 圆 设 计 方 案 图 6：C h i p l e t 方 案 能 显 著 提 升 芯 片 良 率资料来源：E E T i m e s，东莞证券研究所 资料来源：W i k i C h i p，东莞证券研究所后 摩 尔 时 代，C h i p l e t 成 为 提 高 芯 片 算 力 与 集 成 度 的 重 要 途 径。后 摩 尔 时 代，随 着 集 成度 提 升，S o C 开 始 在 供 电、功 耗 和 散 热 等 方 面 面 临 挑 战，芯 片 全 流 程 设 计 成 本 大 幅 增 加，而 制 程 工 艺 接 近 极 限，每 次 迭 代 升 级 都 需 要 付 出 极 大 的 额 外 成 本，而 随 着 性 能 提 升，发热 功 耗 等 方 面 的 问 题 也 日 益 凸 显，继 续 追 求 极 致 工 艺 的 意 义 已 经 不 大。C h i p l e t 作 为 当下 较 受 关 注 的 半 导 体 发 展 方 向，可 有 效 降 低 能 够 有 效 降 低 芯 片 设 计 与 制 造 的 门 槛，提 升良 率 和 节 约 成 本，因 此 成 为 摩 尔 定 律 趋 缓 背 景 下 提 升 芯 片 集 成 度 与 算 力 的 重 要 途 径。表 1：C h i p l e t 芯 片 与 S o C 比 较项 目 单 片 S O C C h i p l e t 芯 片设计 成本 高，7 n m 大于 2 亿美元 低于单片 S o C设计 时间 长，一般大于 1 8 个月 较短，一般为 1 2 个月，后续设计更快设计 风险 高，遗漏功能需要重新设计 较低，重新设计内容可以增减模块芯片性能高，针对不能规模化功能的重新设计会造成资源低效使用较高，可根据模块功能选择芯片制程功耗 低 接近单片 S O C 功耗上市 时间 慢 较快产品 尺寸 小 较小资料来源：后摩尔时代 C h i p l e t 技术的演进与挑战，东莞证券研究所1.2 海外 科技 领域 制裁 加剧，C hi ple t 助力 国内 半导体 产业 弯道超 车海 外 科 技 领 域 制 裁 加 剧，国 内 半 导 体 先 进 制 程 发 展 受 限。近 年 来 中 美 摩 擦 加 剧，美 国 针对 中 国 在 高 科 技 领 域 的 限 制 增 多，企 图 通 过 加 大 制 裁 力 度 来 限 制 国 内 集 成 电 路 产 业 发 展。2 0 2 0 年 1 2 月，美 国 将 中 芯 国 际 列 入“实 体 清 单”，限 制 企 业 1 4 n m 及 以 下 半 导 体 制 程 的扩 产；2 0 2 2 年 8 月，美 国 签 署 芯 片 与 科 学 法 案，主 要 用 于 增 强 美 国 本 土 晶 圆 厂 的 竞争 力，并 明 确 规 定 获 得 美 国 政 府 补 贴 的 企 业，1 0 年 内 不 得 在 中 国 大 陆 扩 产 2 8 n m 以 下 的芯 片 制 造。芯 片 法 案 的 签 署，进 一 步 加 剧 了 中 美 在 高 科 技 领 域 的 脱 钩 程 度，导 致 国内 芯 片 先 进 制 程 发 展 受 到 限 制。电子行业专题报告7请务必阅读末页声明。表 2：海 外 制 裁 限 制 我 国 半 导 体 产 业 发 展环 节 过 去 及 现 有 封 锁 四 方 联 盟 芯 片 法 案半导 体设计2 0 1 9 年 5 月：美国商务部将华为将华为列入出口管制 实体清单；当月 2 2 日，A R M 停止与华为合作预计四方联盟或将限制供应中国 2 8 n m 以下的先进制程芯片的设计软件半导 体设备2 0 1 8 年，特朗普签署 2 0 1 9财年国防授权法案，限制政府采购华为、中兴、海康等企业的设备及产品；2 0 2 1 年 1 2 月，美国禁止韩国 S K 海力士在华工厂引进A S M L E U V 光刻机；2 0 2 1 年 1 1 月，i n t e l 成都扩产计划因美国政府反对而取消亚洲与美国的设备出口已对中国大陆设限半导 体制造2 0 2 0 年 5 月，美国商务部宣布禁止芯片代工厂使用美国设备为华为生产芯片美国或利用四方芯片联盟结合芯片法案，限制中国大陆在先进制程上的扩产能力获得美国政府补贴的企业，1 0 年内不得在中国大陆扩产 2 8 n m 以下的芯片制造半导 体材料美国限制向中国出口主要芯片制造原材料，包括：复合半导体晶圆、极紫外掩膜、光刻胶、刻蚀气体和掺杂物四方联盟或将在材料上限制对中国的供给资料来源：中美战略竞争下两岸半导体产业发展问题研究，美国商务部，东莞证券研究所先 进 制 程 是 提 高 算 力 的 必 要 途 径，台 积 电 先 进 制 程 占 比 不 断 提 高。近 年 来，人 工 智 能、大 数 据、自 动 驾 驶 和 A I o T 等 下 游 应 用 的 不 断 发 展，对 芯 片 处 理 与 运 算 能 力 提 出 更 高 的要 求，高 性 能、低 功 耗 成 为 先 进 制 程 的 发 展 方 向。从 全 球 晶 圆 代 工 龙 头 台 积 电 的 各 制 程营 收 占 比 来 看，近 年 来 台 积 电 先 进 制 程 营 收 占 比 不 断 提 升：2 0 2 2 年 前 三 季 度，台 积 电 实现 营 收 6,1 3 1.4 亿 元 新 台 币，其 中 5 n m 制 程 占 比 2 8%，7 n m 制 程 占 比 2 6%。而 分 地 区 看，近 年 来 台 积 电 来 自 大 陆 市 场 的 营 收 占 比 有 所 下 滑。2 0 2 2 年，美 国 市 场 成 为 台 积 电 最 大 来源，营 收 规 模 达 1.4 9 万 亿 新 台 币，占 比 6 5.9 6%，中 国 大 陆 市 场 营 收 2,4 5 1.6 8 亿 元，占比 1 0.8 2%，相 比 2 0 2 0 年 的 1 7.4 5%大 幅 下 滑。图 7：台 积 电 2 2 Q 3 收 入 分 布（按 制 程 节 点 划 分）图 8：台 积 电 7 n m 及 以 下 制 程 占 比 不 断 提 升电子行业专题报告8请务必阅读末页声明。资料来源：台积电法说会，东莞证券研究所 资料来源：台积电法说会材料，东莞证券研究所海 外 制 裁 加 剧，C h i p l e t 有 望 助 力 国 内 半 导 体 产 业 实 现 弯 道 超 车。通 过 先 进 制 程 可 实 现芯 片 性 能 的 迅 速 提 升，因 此 全 球 晶 圆 代 工 龙 头 先 进 制 程 占 比 不 断 提 升，而 中 国 大 陆 先 进制 程 发 展 受 到 限 制。C h i p l e t 技 术 仅 对 核 心 C h i p 采 用 先 进 制 程，其 他 如 存 储 芯 片、I/O芯 片 采 用 成 熟 制 程，有 效 降 低 对 先 进 制 程 的 依 赖，有 望 成 为 我 国 半 导 体 产 业 弯 道 超 车 的突 破 口。2 0 2 2 年 1 2 月，我 国 第 一 个 原 生 C h i p l e t 技 术 标 准 小 芯 片 接 口 总 线 技 术要 求 团 体 标 准 正 式 发 布，这 个 标 准 涵 盖 了 多 种 应 用 场 景 的 小 芯 片 接 口 总 线 技 术 要 求，包 括 总 体 概 述、接 口 要 求、链 路 层、适 配 层、物 理 层 和 封 装 要 求 等，能 够 灵 活 应 对 不 同的 应 用 场 景、适 配 不 同 能 力 的 技 术 供 应 商。总 线 技 术 要 求 的 发 布，对 于 我 国 集 成 电路 产 业 延 续“摩 尔 定 律”，打 破 先 进 制 程 限 制 因 素，提 升 产 业 综 合 竞 争 力，具 有 重 要 意义。1.3 新互 联标 准提供 行业 规范，C hi ple t 市场 规模 有望快 速扩 张新 互 联 标 准 U C l e 出 台，为 集 成 不 同 芯 片 提 供 标 准 与 技 术 支 持。尽 管 C h i p l e t 优 势 明 显，但 由 于 过 去 C h i p l e t 互 联 标 准 并 不 统 一，各 类 C h i p l e t 产 品 接 口 有 所 不 同，无 法“拼 接”在 一 起，因 此 行 业 发 展 受 到 制 约。2 0 2 2 年 3 月，A M D、英 特 尔、台 积 电、三 星、美 光、微 软、M e t a、G o o g l e 等 十 余 家 半 导 体、互 联 网 行 业 巨 头 联 合 成 立 了 C h i p l e t 标 准 联 盟，正 式 推 出 了 通 用 C h i p l e t 高 速 互 联 标 准“U n i v e r s a l C h i p l e t I n t e r c o n n e c t E x p r e s s”（通 用 芯 粒 互 连，简 称“U C I e”），旨 在 定 义 一 个 开 放、可 互 操 作 的 C h i p l e t 生 态 系 统标 准。业 内 巨 头 联 手 推 动 C h i p l e t 接 口 规 范 的 标 准 化，以 实 现 C h i p l e t 在 封 装 级 别 的 普遍 互 联，构 建 开 放 的 C h i p l e t 生 态 系 统，有 助 于 C h i p l e t 行 业 快 速 发 展。U C l e 是 唯 一 具 有 裸 片 间 接 口 堆 栈 的 标 准，成 为 C h i p l e t 设 计 的 首 选 标 准。此 前 为 应 对C h i p l e t 设 计 中 所 面 临 的 挑 战，行 业 出 现 了 集 中 不 同 的 标 准，但 U C l e 是 唯 一 具 有 完 整 裸片 间 接 口 堆 栈 的 标 准，其 他 标 准 都 没 有 为 协 议 栈 提 供 完 整 裸 片 间 接 口 的 全 面 规 范，大 多仅 关 注 在 特 定 层。而 且 U C I e 支 持 2 D、2.5 D 和 桥 接 封 装，预 计 未 来 还 会 支 持 3 D 封 装。新 思 科 技（S y n o s y s）指 出，U c l e 的 堆 栈 本 身 拥 有 三 层：协 议 层：最 上 层 为 协 议 层，通 过 基 于 流 量 控 制 单 元（F L I T）的 协 议 实 现，确 保 最 大 效 率和 降 低 延 迟，支 持 最 流 行 的 协 议，包 括 P C I E x p r e s s（P C I e）、C o m p u t e E x p r e s s L i n k（C X L）和/或 用 户 定 义 的 流 协 议；中 间 层：用 于 对 协 议 进 行 仲 裁 与 协 商，以 及 通 过 裸 片 间 适 配 器 进 行 连 接 管 理。基 于 循 环电子行业专题报告9请务必阅读末页声明。冗 余 检 查（C R C）和 重 试 机 制，该 层 还 包 括 可 选 的 错 误 纠 正 功 能；物 理 层：定 义 了 与 封 装 介 质 的 电 气 接 口，是 电 气 模 拟 前 端（A F E）、发 射 器 和 接 收 器 以及 边 带 通 道 允 许 两 个 裸 片 之 间 进 行 参 数 交 换 与 协 商 的 层 级。逻 辑 P H Y 实 现 了 连 接 初 始 化、训 练 和 校 准 算 法，以 及 测 试 和 修 复 功 能。图 9：U c l e 产 业 联 盟 董 事 会 成 员 图 1 0：U C I E 的 堆 栈 可 分 为 三 层资料来源：U c l e 官网，东莞证券研究所 资料来源：U c l e，S y n o s y s，东莞证券研究所国 内 厂 商 纷 纷 加 入，直 接 受 益 于 C h i p l e t 发 展 趋 势。U c l e 的 提 出，为 集 成 不 同 制 程 工 艺、不 同 厂 商、不 同 技 术 的 芯 片 提 供 了 标 准 与 技 术 支 持，让 晶 圆 代 工 厂 可 以 对 不 同 类 型 的 芯片 进 行 集 成，有 助 于 C h i p l e t 行 业 快 速 走 向 成 熟。经 过 数 年 发 展，C h i p l e t 技 术 已 逐 渐走 向 商 用，成 为 芯 片 厂 商 较 为 依 赖 的 技 术 手 段，也 被 认 为 是 未 来 芯 片 行 业 发 展 的 重 要 方向。截 至 目 前，芯 原 股 份、长 电 科 技、O P P O、阿 里 巴 巴 等 众 多 国 内 知 名 企 业 已 加 入 U C l e联 盟 中，直 接 受 益 于 相 关 技 术 标 准，共 同 构 建 C h i p l e t 生 态 体 系，助 力 行 业 快 速 发 展。C h i p l e t 市 场 规 模 不 断 扩 张，预 计 2 0 3 4 年 有 望 达 到 5 7 0 亿 美 元。C h i p l e t 可 在 一 定 程 度上 避 免 摩 尔 定 律 放 缓 的 窘 境，全 球 半 导 体 龙 头 企 业 积 极 推 进，市 场 规 模 有 望 实 现 高 速 增长。O m d i a 指 出，2 0 1 8 年 全 球 c h i p l e t 市 场 规 模 约 为 6.4 5 亿 美 元，至 2 0 2 4 年 将 达 到 5 8亿 美 元，预 计 到 2 0 3 5 年 有 望 突 破 5 7 0 亿 美 元，2 0 1 8-2 0 3 5 年 复 合 增 长 率 超 过 3 0%。电子行业专题报告1 0请务必阅读末页声明。图 1 1：全 球 C h i p l e t 芯 片 市 场 规 模 预 测（亿 美 元）资料来源：O m d i a，东莞证券研究所2、C h i p l e t 技 术 持 续 推 进，先 进 封 装、I C 载 板、半 导 体 I P 等 多环 节 受 益2.1 C hip le t 拉动 先进 封装、半导 体测试 需求近 年 我 国 封 测 产 业 稳 步 发 展，行 业 增 速 高 于 全 球 平 均 水 平。封 测 行 业 位 于 半 导 体 生 产 制造 环 节 的 下 游，需 要 大 量 的 设 备 与 人 员 投 入，属 于 资 本 密 集 型、人 员 密 集 型 产 业。过 去十 余 年，在 半 导 体 产 业 转 移、人 力 资 源 成 本 优 势、税 收 优 惠 等 因 素 促 进 下，全 球 集 成 电路 封 测 产 能 逐 步 向 亚 太 地 区 转 移，目 前 亚 太 地 区 占 据 全 球 约 8 0%集 成 电 路 封 测 产 能。近年 来，全 球 集 成 电 路 封 测 产 业 进 入 稳 步 发 展 期，2 0 1 4-2 0 2 1 年 行 业 市 场 规 模 复 合 增 长 率为 4.2 7%，而 我 国 受 益 于 下 游 智 能 手 机 等 终 端 应 用 的 蓬 勃 发 展，封 测 产 业 增 速 领 先 全 球。据 中 国 半 导 体 行 业 协 会 数 据 统 计，中 国 集 成 电 路 封 测 业 年 度 销 售 额 从 2 0 1 4 年 的 1,2 5 6亿 美 元 增 至 2 0 2 1 年 的 2,7 6 3 亿 美 元，2 0 1 4-2 0 2 1 年 符 合 增 长 率 约 为 1 1.9 2%，远 高 于 同期 全 球 平 均 水 平，随 着 下 游 应 用 持 续 发 展 以 及 先 进 封 装 工 艺 不 断 进 步，国 内 封 测 行 业 成长 空 间 广 阔。图 1 2：2 0 1 4-2 0 2 1 年 全 球 集 成 电 路 封 测 行 业 市 场 规 模 及同 比 增 长 率图 1 3：2 0 1 4-2 0 2 1 年 中 国 集 成 电 路 封 测 销 售 额 及 同 比 增 长率电子行业专题报告1 1请务必阅读末页声明。资料来源：Y o l e，东莞证券研究所 资料来源：中国半导体行业协会，东莞证券研究所本 土 I C 设 计 企 业