1/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 行业研究报告 慧博智能投研 HBM 近期，美 光宣布 已开始 量产 其 HBM3E 高 带宽内 存解 决 方案；三 星发布 首款 36GB HBM3E 12HDRAM，目前为三 星容量 最大的 HBM；SK 海力 士于 1 月 中旬 正式结束 了 HBM3E 的 开发 工作，并 顺利完 成英伟达历时半 年的性 能评估，计 划于 3 月 开始大 规模生产 HBM3E 产品，这批 HBM3E 将用于英 伟达下 一代Blackwell 系列的 AI 芯 片旗 舰产品 B100 上，而英伟 达 则计划于 2024 年 第二季 度 末或第三 季度初 推出该系列产 品。同 时，武 汉新 芯近日就 HBM 封装技 术招 标，拟实 现月产 能超过 3000 片 12 英寸晶 圆。面对海外大 厂对于 HBM3E 的 量产，国 内存储 厂商 也 在 HBM 技 术上 进 行着 加 速突破，有望在 AI 大 浪潮的需求下 提升竞 争实力，相 关产业链 或将受 益。围绕 HBM，下面 我们 从 其 基本概念 入手，了解其 优势 及持续迭 代更新 在性能 上的 提升情况，并对 该行业制造工 艺、发 展现状 及竞 争格局进 行分析，并对 市场 前景进行 测算，方便读 者深 入了解这 一行业。目录 一、概述.1 二、制造 工艺.5 三、发展 现状.7 四、竞争 格局.9 五、市场 测算.10 六、相关 公司.15 七、参考 研报.25 1.HBM HBM（High Bandwidth Memory）意 为高带 宽存 储器，是一种 面向需 要极高 吞吐 量的数据 密集型 应用程序的 DRAM，HBM 的作 用类似于 数据的 中转 站，就是将使 用的每 一帧，每一 幅图像等 图像数 据 保存到帧缓 存区中，等待 GPU 调用。2/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 HBM 通 过使用 先进的 封装 方法（如 TSV 硅通孔 技术）垂直堆 叠多个 DRAM，与 GPU 通过 中介层 互联封装在一 起，在 较小的 物理 空间里实 现高容 量、高 带宽、低延时 与低功 耗，已 成为 数据中心 新一代 内存解决方案。2.HBM 在 带宽、功耗、封装 体积方面 具备明 显优势。按 照不同应 用场景，行业 标准 组织 JEDEC 将DRAM 分为三 个类型：标 准 DDR、移动 DDR 以 及图 形 DDR，图形 DDR 中包括 GDDR 和 HBM。相比于标准 的 DDR4、DDR5 等产品，以 GDDR 和 HBM 为代表的 图形 DDR 具备 更 高的 带宽，其中HBM 在 实现更 大带宽 的同 时也具备 更小的 功耗和 封装 尺寸。ZXEVzQsPoNoPrPmPqNrOnMaQ9R8OtRmMmOsOiNqQtQfQmNyR9PqQxOMYmMsPvPpPnN 3/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 GDDR 和 HBM 有效解 决了 内存墙的 问题，在中高 端 GPU 中得到 广泛应 用。过去 20 年 中，处 理器的 峰值计算能 力增加 了 90,000 倍，但是 内存/硬 件互连 带 宽却只是 提高了 30 倍。存 储性能的 提升远 远跟不上处理器 性能提 升，导 致内 存性能极 大限制 了处理 器性 能的发挥，对指 令和数 据的 搬运（写 入和读 出）的时间将 是处理 器运算 所消 耗时间的 几十倍 乃至几 百倍，而且引 发了高 能耗，即出 现了 内 存墙 问 题。具备更高 带宽的 GDDR 和 HBM 相 比传统 DDR 有 更 高的带宽，因此 有效 的 解决 了该问题，GDDR 和成为中高端 GPU 搭载 的主 流 内存方案，HBM 也在 部分 高端 GPU 中 得到应 用。3.HBM GDDR AI 大模 型对于 数据传 输提出 了更高的 要求，HBM 有望 替代 GDDR 成为 主流方 案：GDDR5 功 耗更高，高功 耗 未来会限 制 GPU 的 性能 提 升；GDDR5 为了 实现更 高 带宽，需 要电路 承载更大的电压，导致 电路尺 寸偏 大。NAND、DRAM 和 Optics 等技 术将受 益于片 上集 成，但在 技术上 并不兼容。4/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 主流数据 中心 GPU 均采用 HBM 技 术。英 伟达 V100、A100、H100 均采 用 HBM 内存，同 样，AMDMI100、MI200、MI300 也都 采用 HBM 内 存，目前 HBM 内存 在数据 中心 GPU 中逐 步占据 主导地位。4.HBM 近些年，HBM 朝着不 断提 高存储容 量、带 宽，减 小功 耗和封装 尺寸方 向升级。目 前已升级 到 HBM3。从最初的 1GB 存储容 量和 128GB/s 带宽的 HBM1 发展 到目前的 24GB 存 储容量 和 819GB/s 带 宽。JBmbhF8P/+ZokuUGRiLS5rzkDSe1RnSOm2svFrHBRVlH/EUvm7066VxrImtC/8pq 5/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 1.HBM TSV Bumping HBM 是由 多个 DRAMdie 堆叠而成，利用 硅通孔（TSV）和 微凸块（Microbump）将 die 之 间相连 接，多层 DRAMdie 再与 最下层 的 Basedie 连 接，然 后通过 凸块（Bump）与硅 中阶 层（interposer）互联。HBM 与 GPU、CPU 或 ASIC 共 同铺设 在硅中 阶层上，通过 CoWoS 等 2.5D 封装 工艺相互 连接，硅中介层通过 CuBump 连 接至封 装基板（Package Substrate）上，最 后封装 基板再 通过 锡球与下 方的 PCB 基板相连。2.HBM4 根据全球 半导体 观察，目前 HBM 存 储芯片 的整体 良率 在 65%左右，HBM 良率 的 高低主要 受到其 堆叠架构复杂 性的影 响，这 涉及 到多层次 的内存 结构和 作为 各层连接 之用的 直通 TSV 技术。这 些复杂 技术增加了制程 缺陷的 风险，可能 导致良率 低于设 计较简 单的 内存产品。因此 存储大 厂纷 纷加码 HBM 先 进封装，提升 HBM 良率并 降低 功耗。此 外，根 据 CFM，SK 海力士 拟将新 一代 HBM4 堆栈直 接放置 在处理器上，通 过 3D 堆叠的 形式 进一步提 高 I/O 数量。6/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 3.SK MR-MUF HBM MUF 3DSRDIMM SK 海力士在 HBM2E 和 HBM3 的生 产中引 入了大 规模 回流成型 底部 填 充（MR-MUF）工艺，提高了HBM 超过 10 万 个微凸 块互 连的质量，此外，该工 艺充 分增加了 热虚拟 凸块的 数量，同时由 于采用 了高导热率的 模制底 部填充（MUF）材料，因此散 热性能 更加出色。根据 全球半 导体 观察，三 星认为 MUF非常适合 3DSRDIMM，而 目前 3DSRDIMM 使用 TSV 技 术制造，主要 应用于 服 务器上，三星正 在考虑在其下一 代 DRAM 中 MUF 技术。若 三星也 导入 MUF，相关制 造材料 或将持 续受 益。7/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 1.近日，美 光宣布 已开始 量产 其 HBM3E 高带 宽内存 解决 方案。英 伟达 H200TensorCoreGPU 将采 用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年 第二季度 开始出 货。美 光 HBM3E 引脚 速率超 过9.2Gb/s，提供 超过 1.2TB/s 的内存 带宽。与 HBM3 相 比，HBM3E 将 数据传 输速 率和峰值 内存带 宽提高了 44%，这对 于英伟 达 H200 等需要 大量带 宽的处 理器来说 尤其重 要。美 光利 用其（1-beta）技术、先进的硅 通孔（TSV）和其 他实现差 异化封 装解决 方案 来生产 HBM3E 产品，有助 于公司在 数据中 心级产品上提 升技术 竞争实 力和 市场占有 率。8/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 三星发布 首款 36GB HBM3E 12HDRAM，目前为 三星 容量最大 的 HBM。三星 HBM3E12H 支持 全天 候最高带宽 达 1280GB/s，产 品容量也 达到了 36GB。相 比三星 8 层 堆叠的 HBM38H，HBM3E12H 在带宽和容量 上大幅 提升超 过 50%。HBM3E12H 采用了 先 进的热压 非导电 薄膜（TCNCF）技术，使得 12层和 8 层堆 叠产品 的高度 保 持一致，以满足 当前 HBM 封装的要 求。相 比 HBM38H，HBM3E12H 搭载于人工智 能应用 后，公 司预 计人工智 能训练 平均速 度可 提升 34%，同 时推理 服务用 户数量也 可增加 超过11.5 倍。SK 海力士率 先量 产 HBM3E，HBM4 或于 2026 年 推 出。根据 半导体 行业观 察，SK 海力士于 1 月中旬正式结束 了 HBM3E 的 开发 工作，并 顺利完 成英伟 达历 时半年的 性能评 估，计 划于 3 月开始 大规模 生产HBM3E 产品，这批 HBM3E 将用 于英伟 达下一 代 Blackwell 系列的 AI 芯 片旗舰 产 品 B100 上，而英 伟达则计划 于 2024 年第二 季 度末或第 三季度 初推出 该系 列产品。根据 TrendForce，HBM4 预计规 划于2026 年推 出，或 采取 HBM 堆栈在 SoC 主 芯片之 上 的封装方 式。9/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 2.国内存储 厂商入 局 HBM 市 场。根据 采招网，近日，武 汉新 芯发 布高 带宽存 储芯 粒先进封 装技术 研发和产线建 设招 标项目，利 用三维集 成多晶 圆堆叠 技术，打造更 高容量、更大 带宽、更小功 耗和更 高生产效率的 国产高 带宽存 储器（HBM）产品，推进多 晶 圆堆叠工 艺产业 化，新 增生 产设备约 17 台/套，拟实现月产 出能力 片（12 英寸）。国 内存储 厂商 在 HBM 技术上 的加速 突破，有望在 AI 大 浪潮的需求下提 升竞争 实力，相关 产业链也 或将受 益。1.SK HBM 市 场格局 集中，SK 海 力士占有 主导地 位。根据 Trendforce 数 据，2023 年 SK 海力士 市占率 预计为 53%，三星 市占率 38%、美光市 占率 9%。HBM 市 场竞争 白热化。2023 年 市场主要 HBM 代际 是 HBM2、HBM2e 和 HBM3，算力 卡性能 提升刺激 HBM 产品更 迭，2023 年下半年 伴随 NVIDIAH100 与 AMDMI300 的搭 载，HBM3 渗 透率提 升。2024 年伊 始，SK 海 力士完 成 HBM3e 开发，并送样 英 伟达测试，有望 于上半 年量 产。预计 三星电 子和美光科技 即将送 样 HBM3e，也有望 于上半 年量产，其 中美光科 技跳过 了 HBM3，直接研发 HBM3e。三家原厂 在 HBM 领域 的竞 争日趋白 热化。2.DRAM HBM HBM 二线、三 线 DRAM 厂 商也 正在切入 HBM 赛道。华邦 电于 2023 年 8 月介绍 了其 类 HBM 高带宽 产品CUBEx，采用 14 层 TSVDRAM 堆 叠，I/O 速度 500M2Gbps，总带宽 最高可达 1024GB/s，颗 粒容 10/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 量为 0.54GB，功 耗低至 不 足 1pJ/bit。这 种比常 规 HBM 拥有 更高带 宽的 CUBEx 可用于 AR、VR、可穿戴等领 域。国产 DRAM 厂 商有望 突破 HBM。目 前一线 厂商 DRAM 制程在 1alpha、1beta 水 平，国产 DRAM 制程在 2517nm 水 平，中 国台 湾 DRAM 制程在 2519nm 水平，国 内 DRAM 制 程接 近海外。且国内 拥有先进封装技 术资源 和 GPU 客 户资源，有强烈 的国产 化诉 求，未来 国产 DRAM 厂商 有望突破 HBM。1.AI HBM 1 AI HBM eSSD 根据 Trendforce，目前服 务 器 DRAM（模组 形态为 常 规内存条 RDIMM 和 LRDIMM）的 普遍配 置约为500600GB，而 AI 服务 器 在单条模 组上则 多采 64128GB，单 台服务 器搭载 1636 条，平 均容 量可达1TB 以上。对于企 业级 SSD，由于 AI 服务 器追求 的速 度更高，其要求 优先满 足 DRAM 或 HBM 需求，在 SSD 的容量 提升上 则呈 现非必要 扩大容 量的态 势，但配置也 显著高 于常规 服务 器。2 HBM 未来在 AI 模型 逐渐复 杂化 的趋势下，服务 器的数 据计 算和存储 需求将 快速增 长，并同步带 动服务 器DRAM、企业级 SSD 以及 HBM 的 需求成 长。相 较于 一般服务 器而言，AI 服务器 多增加 GPGPU 的使用，以 NVIDIAA100/H10080GB 配置 8 张计 算，HBM 用量 约为 640GB，超越 常规服务 器的内 存条容量，H200、B100、MI300 等算力卡 将搭载 更高容 量、更高速率 HBM。11/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 2.AI 1 2024 2%根据 Trendforce，2024 年 服务器出 货驱动 力以北 美 CSP 为主，但 受限于 通货膨 胀高，企 业融资 成本居高不下，压缩资 本支出，整 体需求尚 未恢复 至疫情 前成 长幅度，预计 2024 年全 球 服务器整 机出货 量约1365.4 万 台，同 比增长 2.05%。受益于北 美 CSP 订 单带动，AI 服 务器 ODM 对 2024 年展望乐 观 12/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 1）广达：预计 2024 年 AI 服务器出 货双位 数增长，订 单主要来 自于 Microsoft 及 AWS 等；2）Supermicro：预计 2024 年 AI 服务 器出货 量有机 会翻倍 成长，订 单主要 来自 CoreWeave 与 Tesla，积极拓展 Apple、Meta 等客户 AI 订 单；3）Inventec：除了北美 CSP 需求，中国 客户如 ByteDance 需求最强，预 估 2024 年 AI 服 务器出货 量年成 长可达 双位 数，占比 约 1015%；4）Foxconn：获 得 Oracle、AWS 订单，预计 2024 年服 务器 ODM 出货 量增长 57%。3.2024 HBM 9 GB 通过测算 全球算 力卡的 HBM 需求，结论 是：1 2023 年 HBM 市场 容量为 2.8 亿 GB，预计 2024 年 增 长至 8.9 亿 GB，2026 年增 长至 14.1 亿 GB，20232026 年 CAGR 为 71%。增长驱 动因素 是：算力 卡单卡 HBM 容 量提升、算 力卡出货 量提升、新的玩家产 品放量。AI 服务 器出货 增速远 高于传 统服务器、手机、PC+NB 等传统市 场，且 单机 DRAM 容量 增速更 快，因 此HBM 在 全球 DRAM 市场的 占比将逐 步提升，2023 年 容量占比 为 1%（2023 年大 宗 DRAM 市场 容量为275 亿 GB），2026 年将提 升至 3%。13/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 2 2023 年 HBM 市场 规模为 40 亿美 元，预计 2024 年 增 长至 148 亿美元，2026 年 增长至 242 亿美元，20232026 年 CAGR 为 82%。增长驱 动因素 是：算力 卡单卡 HBM 容 量提升、算 力卡出货 量提升、新的玩家产 品放量、技术 迭代 带来单 GBHBM 单价 提升。14/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 大宗 DRAM 具 备强商 品属 性，价格 周期性 明显，HBM 具备 定制品 属性，技术迭 代催动 ASP 提升，长期看 HBM 在 DRAM 市 场 的占比会 持续提 升，2023 年 HBM 销售额在 DRAM 市场的占 比为 8%，2026年将提升 至 17%。4.HBM 关键假设：1）对 2025 年之 后的算力 卡增长 采用保 守假 设：2023-2024 年算 力卡维 持紧缺，假设 2025年供需平 衡，增 长趋缓。2）HBM 渗透率 假设：2023 年 HBM 市场的 主流代 际为 HBM2、HBM2e 和HBM3，预 计 2024 年主流 代际转变 为 HBM3e，由 于 各家原厂 的 HBM4 方案 未 定，20252026 年保守假设以 HBM3e 为 主。3）HBM 价 格假设：定价 上 HBM3eHBM3HBM2eHBM2，并且随 着产品 迭代，老产 品价格 有自然 年降。其中 HBM3e 有 24GB 和 36GB 版本，以 24GB 版本 测算。4）大宗DRAM 的容量 和销售 额来 自 Gartner 预测，包含了 20242025 年 的涨价 周期和 2026 年周 期顶部 的假设，数据 中不含 HBM。15/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 1.通富微电 是 1997 年 成立、2007 年上 市的集 成电路 封装 测试服务 提供商，可以 为全 球客户提 供设计 仿真和封装测 试一站 式服务。20 余年 来，公 司依靠 内生和 外延两种 模式不 断发展 壮大 自身实力。1）内 生：2014-2015 年，借助国 家政 策的东风，基于 对全球 半导 体产业趋 势的判 断，先 后在 南通苏通 园区、安徽合肥新建 集成电 路封 测 工厂；2017 年，协同 厦门海 沧 区政府建 设厦门 封测工 厂；2020 年，崇川厂 房建成；2021 年，新增 第七个 封测基地 通富 通科。2）外延：2016 年，通富 微电 联合国家 集成电 路产业 投资基金斥 资 3.71 亿 美元收 购 AMD 苏 州及 AMD 槟城各 85%股 权。16/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 公司股权 结构清 晰，石 磊先 生为公司 董事长，通过 华达 微电子间 接持有 公司 0.79%股份，其 父石明 达先生为公司 创始人，也为 公司 名誉董事 长及副 董事长，通 过南通华 达微电 子间接 持有 公司 7.78%股份。石明达和石 磊先生 均享受 国务 院特殊津 贴，分 别为教 授级 高级工程 师和高 级工程 师，产 业经验 丰富的 领军者是公司 持续健 康发展 的坚 实保障。国家集 成电路 产业 投资基金 一期和 二期分 别持 有公司 11.93%和 1.35%的股权，两期大 基金共 同持 股侧面印 证了公 司的技 术实 力和发展 潜力。2019-2022 年 公司为 提高自 身竞争力，不断 加大研 发投 入，研发 费用持 续增长；2022 年研发 费用同 比增长 24.54%，达到 13.23 亿元的高 点，主 要系公 司加 大 Chiplet 等先进 封装技 术 的研发投 入；2023 公司调整研 发结构，研发 费用 同比下降 11.74%为 8.62 亿 元。随着 公司对 研发节 奏的 把控逐步 加强，预计公司研发 费用将 保持稳 定。17/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 公 司 持 续 研 发 创 新，积 极 开 展 专 利 布 局，快 速 切 入 先 进 封 装 领 域。公 司 目 前 已 经 建 成 了 融 合 2.5D、3D、MCM-Chiplet 等先 进封装 技术的 VISionS 的先进 封装 平台及超 大尺寸 FCBGA 研 发平台；自建的2.5D/3D 产线全 线通线，1+4 产品及 4 层/8 层 堆叠产 品 研发稳步 推进；基于 ChipLast 工艺的 Fan-out技术，实 现 5 层 RDL 超大 尺寸封装（65 65mm）；超大多芯 片 FCBGAMCM 技 术，实现 最高 13 颗芯片集成及 100 100mm 以上 超大封装，精准 卡位高 端封 测，具备 技术竞 争优势。通富微电 进入半 导体封 测行 业已 20 余年，是半 导体封 测产业变 迁的实 践者和 参与 者，在规 模、技 术能力、客户 资源等 方面接 近国 际先进水 平。在 全球前 十大 封测企业 中，公 司营收 增速 连续 3 年 保持第 一；根据芯思 想研究 院数据，2022 年公司 在全球 前十大 封 测企业中 市占率 增幅第 一，营收规模 排名进 阶，首次进入 全球四 强。随 着公 司产品业 务结构 的进一 步调 整，凭借 7nm、5nm、FCBGA、Chiplet 等 先进技术优势，与行 业领先 企业 深度合作 的客户 优势，预计 公司的业 绩和市 占率都 将持 续提升。18/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 2.公司前身 为 2004 年成 立的 中微有限，系由 中微亚 洲出 资设立，设立时 为外商 独资 企业，2018 年 12 月21 日中 微有限 整体变 更为中 微半导体 设备（上海）股份 有限公司，2019 年 7 月，公司成为 科创板 首批上市公司 之一。公司无实 际控制 人，上 海国 资委和大 基金为 前两大 股东，其中公 司第一 大股东 上海 创投（实 际控制 人系上海市国 资委）的持股 比例 为 14.4%，第 二大股 东巽鑫 投资（大 基金一 期）的 持股 比例为 13.1%。2021H1 大 基金二 期成 为公 司股东。公司实 行全员 持股，嘉兴智 微为员 工持股 平台，持股比 例为 1.5%。19/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 公司专注 于高端 半导体 设备 和泛半导 体设备 的研发、生 产和销售，为集 成电路、LED 外延 片、功 率器件、MEMS 等 半导体 产品制 造 企业提供 刻蚀设 备、MOCVD 设备、薄膜 沉积设 备以及 其他相关 设备。中微公司 针对该 刻蚀工 艺，开发了可 调节电 极间距 的刻 蚀机，通 过在刻 蚀过程 中动 态调整反 应腔的 极板间距，同 时满足 通孔和 沟槽 刻蚀的不 同工艺 要求。公司 自主开发 了极高 深比刻 蚀机，该设备 用 400KHz取代 2MHz 作为 偏压射 频源，以获得 更高的 离子入 射能 量和准直 性，使 得深孔 及深 槽刻蚀关 键尺寸 的大小符合规 格。20/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 2010 年 中微公 司开始 开发 用于 LED 器 件加工 中最关 键的设备 MOCVD 设备。截至目 前已开 发了三代 MOCVD 设备，主要用 于 蓝绿光 LED 和功率 器件等 生产加工，包括 第一代 设备 PrismoD-Blue、第二代设备 PrismoA7 及第 三代 更大尺寸 设备。公司的 前两 代设备 PrismoD-Blue 和 PrismoA7 能 分别实 现单腔 14 片 4 英寸和 单腔 34 片 4 英寸 外延片 加工能 力。目前公司 正开发 更大尺 寸 MOCVD 设 备，将 有助于产业的 进一步 发展。中微公司 多款 MOCVD 产 品 市场领先。公司 用于蓝 光 LED 的 PrismoA7 设备已 在 全球氮化 镓基LEDMOCVD 市场中 占据领 先地位；用于制 造深紫 外光 LED 的高温 MOCVD 设备 PrismoHiT3，其反应腔最高 工艺温 度可达 1400 度，单炉可 生长 18 片 2 英寸外延 晶片，并可延 伸到 生长 4 英 寸晶片，已在行业领先 客户端 用于深 紫外 LED 的生 产验证 并获得 重复 订单；用 于硅基 氮化镓 功率 器件用 MOCVD 设 21/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 备 PrismoPD5，具 有高灵 活性的特 点，在 同一系 统中 可配备多 达 4 个 反应腔，已 在客户生 产线上 验证通过并获 得重复 订单。公司 用于碳化 硅功率 器件外 延生 产的设备 正在开 发中，即将 开展样机 在客户 端的验证测试，下一 代用于 氮化 镓功率器 件制造 的 MOCVD 设备及制 造 Micro-LED 应 用的新型 MOCVD 设备也正在 按计划 开发中。3.拓荆科技 成立于 2010 年，专业从事 半导体 薄膜沉 积设 备，引领 进口替 代浪潮。公 司曾承担 多项国 家科技重大专 项&省 部级重 大科 研项目，曾三次 荣获 中国 半导体设 备五强 企业，产 品已适配 国内最 先进的28/14nm 逻辑芯 片、19/17nmDRAM 芯 片和 64/128 层 3DNANDFLASH 晶 圆制 造产线，尤其在PECVD 和 SACVD 领域，公司是本 土唯一 实现产 业化 应用的供 应商。在薄膜 沉积 设备基础 上，公 司还积极布局先 进封装 领域，成功 研制应用 于 晶圆 级三维 集成 领域的混 合键合 设备系 列。公司主营 产品包 括 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 等薄 膜设备 产品，以及混 合键合设 备产品 系列。1）PECVD：已配适 180-14nm 逻 辑芯片、19/17nmDRAM 及 64/128 层 FLASH 等 制造工艺 需求，并积极拓展更 先进制 程领域。2）ALD：PE-ALD 已经 成功 量产，兼 容 SiO2 和 SiN 等 介质薄膜；ThermalALD 正在产 业化验 证，满足 Al2O3 等金 属化 合物薄膜 沉积需 求。3）SACVD：可 以沉积 BPSG、SAF、TEOS 等 介质薄 膜，在逻辑、存储领 域均已 实现 产业化应 用。4）混合键 合 设备：晶 圆对晶 圆键合产品 Dione300 可实现 混合 键合和熔 融键合 工艺，芯片 对晶圆键 合设备 Pollux 主 要 用于晶圆 及切割 后芯片的表面 活化及 清洗。22/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 持续高研 发投入 力度下，公 司已经形 成八大 薄膜沉 积设 备核心技 术，包 括先进 薄膜 工艺设备 设计技 术、反应模块 架构布 局技术、半 导体制造 系统高 产能平 台技 术等，相 关技术 水平均 达到 国际先进 水准。特别地，公司 核心技 术具备 一定 互通性，大部分 已在 PECVD、ALD 和 SACVD 上实现 通用，为 公司在 薄膜沉积设备 领域的 平台化 发展 奠定坚实 基础。作为本土 唯一实 现 集成 电路 PECVD、SACVD 产业 化的 供应商，公司已 在 PECVD、SACVD 细 分领域 形成较强市 场竞争 力。根 据公 司招股说 明书数 据，若 以长 江存储、华虹无 锡、上 海华 力、上海 积塔在 中国国际招标 网上公 布的 2019-2020 年各 类薄膜 沉积设 备 采购项目 的评标&中标 结果 为例，公 司在国 内PECVD 和 SACVD 领域 的 市场份额 分别达 到 17%和 25%。对先进封 装领域 需求，公司 前瞻性布 局应用 于晶圆 级三 维集成领 域的混 合键合 设备。主要包 括两种 设备类别：1）晶圆对 晶圆键 合：在常温 下实现 复杂的 12 英寸晶圆 对晶圆 多材料 表面 的键合工 艺，同 时还可实现熔融 键合工 艺；2）芯 片到晶圆 键合：分为预 处理 和键合两 道工序，芯片 对晶 圆键合表 面预处 理产品可以实 现芯片 对晶圆 键合 前表面预 处理工 序。23/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 根据公司 2023 年中 报披露，公司研 制的晶 圆对晶 圆键 合产品 Dione300 已实 现首 台产业化 应用,并获 得重复订单，取得 突破性 进展；公司芯 片对晶 圆键合 表面 预处理产 品 Pollux 已出货 至 客户端进 行产业 化验证，验证 进展顺 利，有 望充 分受益于 先进封 装对于 混合 键合设备 的需求 增长。4.公司主要 从事半 导体专 用设 备的研发、生产 和销售，产 品包括光 刻工序 涂胶显 影设 备（涂胶/显影机、喷胶机）和单片 式湿法 设备（清洗机、去胶 机、湿 法刻 蚀机），可用于 8/12 英寸 单晶圆处 理（如 集成电路制造 前道晶 圆加工 及后 道先进封 装环节）及 6 英寸 及以下单 晶圆处 理（如 化合 物、MEMS、LED 芯片制造等 环节）。下游以半 导体为 主，龙 头客 户覆盖度 高。公 司覆盖 三大 类客户，分别是 IC 前道 晶 圆加工领 域，IC 后道先进封装 领域和 化合物、MEMS、LED 芯片等 制造领 域。目前，公司 已经覆 盖国 内大多数 前道逻 辑、存储、功率 晶圆厂，国内 大多 数头部封 测企业 以及 LED 芯片制造 头部企 业。小尺寸、封装起 家，布 局单 片清洗、TRACK 快 速突破 至前道领 域。公 司前身 沈阳 芯源微先 进半导 体技术有限公 司于 2002 年成 立，2004 年首 台小尺寸 TRACK 产品 出厂销 售，2007 年 先进封装 领域用 12 英寸 TRACK 产 品实现 销售应 用，2008 年、2012 年公 司 分别承担 国家 02 专项 凸点 封装涂胶 显影、单片湿法刻蚀 设备的 开发与 产业 化、晶圆 匀胶显 影设备研 发 项 目，2013 年 公司先进 封装用 喷胶设备批量 出口至 台湾市 场，2018 年公 司发布 的国内 首 台高产能 前道 TRACK 设备 奉天一号 出厂 进行工 24/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 艺验证，2019 年公司 发布 了前道单 晶圆清 洗设备，2022 年公司 发布了 浸没 式 高 产能涂胶 显影机 发布、其高产能 架构 FT300（III）获得广 泛客户 的认可。芯源微主 要为下 游集成 电路（IC）、LED 芯片 等半导 体 产品制造 提供光 刻工序 TRACK 设备 和单片 式湿法设备。在 IC 前 道制造 领 域，公司 能够提 供 28nm 及 以上 TRACK 机台和 全自动 物理清洗 机，领 先国内同行，先发优 势明显；在 IC 后道先 进封装 及 LED 等 领域，公 司能够 提供封 装涂 胶显影机、去胶 机、刻蚀机、清洗机，设备 同样 处于国内 领先地 位。展 望未 来，公司 布局先 进 TRACK、化学清 洗机、键合设备有望 进一步 打开公 司成 长空间。25/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 5.1.华鑫证券-电子 行业周 报：HBM 和 DDR5 增 长强劲，比 亚迪加码 激光雷 达 2.民生证券-电子 行业周 报：HBM+大模型+AIPC，从 云到 端的 AI 革命 3.信达证券-半导 体行业：存 储市场复 苏强劲，HBM/DDR5/CXL 增添动 能 4.信达证券-半导 体行业：HBM3E 量 产在即，关注 国产 HBM 突 破和产 业链受 益 5.德邦证券-电子 行业周 观点：英伟达 B100 有 望发布，关注国产 算力、HBM 供应 链 6.甬兴证券-电子 行业周 报：SK 海力士 推进 HBM 扩产，Meta 自研 AI 芯 片投产 7.甬兴证券-电子 行业周 报：英伟达或 将推出 B100，美 光宣布量 产 HBM3e 8.甬兴证券-电子 行业周 报：台积电启 动扩产，SK 海力 士提高 HBM 封 装能力 9.中信建投-电子 行业 HBM：AI 的内 存瓶颈，高壁 垒高增 速 10.中信建投-雅克 科技-002409-HBM 高景气，厂商 持续扩 产，前驱 体有望 受益 11.天风证券-半导 体行业 研究 周报：英 伟达业 绩超预 期，HBM 需 求旺盛，华为 P70 值得期待 12.长城证券-电子 元器件 行业 周报：戴 尔指引 AI 服 务器 强劲增长，美光 宣布量 产 HBM3E 13.东海证券-电子 行业周 报：英伟达 B100 芯片 带动液 冷 散热变革，SK 海力 士加码 HBM 先 进封装 14.华金证券-半导 体行业 走进“芯”时 代系列 之七十 六HBM 之“设备 材料”深度 分析：HBM 迭 代，3D 混合 键合成 设备材 料发 力点 15.申万宏源-HBM 产业 链材料 端行业报 告：AI 浪潮 催化 HBM 需 求激增，材料 端企 业迎发展 新机遇 16.慧博智能 投研-HBM 行业深 度：驱动 因素、市场现 状、产业链及 相关公 司深度 梳理 17.银河证券-通富 微电-002156-AMD 产 业链核 心封测 厂，先进封装 多点开 花 18.长江证券-中微 公司-688012-扩产重 启叠加 份额提 升，展望刻蚀 设备订 单高增 26/26 2024 年 3 月 18 日 行业|深度|研 究报 告 19.长江证券-中微 公司-688012-2023 年业 绩快报 点评：刻 蚀设备市 占率提 升，驱 动新 签订单高 增 20.华西证券-拓荆 科技-688072-半导体 薄膜沉 积设备 国产 领军者，产品体 系持续 完善 打开成长 空间 21.东方证券-电子 行业：HBM 需求大幅 增加，看好先 进封 装及设备 材料产 业链 22.国联证券-芯源 微-688037-涂胶显影 设备龙 头，新 品持 续迭代突 破 免责声明：以上 内容仅 供学 习交流，不构成 投资建 议。慧博官网：电话：400-806-1866 邮箱：