2（1）经过 我们 的计 算，AI 的增长对于服务器存储需求增量较大，计算结果如下：内存：以GB200 NVL72 为例 单台GB200 NVL72（HBM+LPDDR5x）消耗晶圆片数为15.21 片。SSD：以DGX H100 为例为例 单台DGX H100 SSD 消耗晶圆0.46 片。（2）AI 端侧对于存储容量的需求不断增加，所需产能的计算结果如下：手机：若内存由8GB 增加至16GB，DRAM 晶圆新增消耗量约3643.26 千片，若闪存容量由256GB 增加至512GB，NAND 晶圆新增消耗量约4033.61 千片。PC：若内存由16GB 增加至32GB，DRAM 晶圆新增消耗量约1518.03 千片，若闪存由512GB 增加至1TB，NAND 晶圆新增消耗量约1680.67 千片。（3）2023 年末，全球DRAM 总产能约1351 千片/月，NAND 总产能约1157 千片/月，AI的发展对于晶圆的消耗量 有 着 比较 明显 的推 动。（4）投资建议：推荐标的：兆易创新，聚辰股份，受益标的：江波龙，东芯股份，北京君正，普冉股份。（5）风险 提示：下游传统需求恢复不及预期；AI产业进度不及预期；国际贸易风险。YWAZxOmRoNmNtNpMqNpQoP7NdN9PmOrRnPrNiNqQqMjMsQnR9PoPqNwMtRwPvPnPnN3 34AI01 GB200 NVL72 36 Grace CPU 72 GPU GPU 8 HBM3E 3GB 8 GB200 LPDDR5x 480GB HBM3ELPDDR5xjoXHbqdjCG/XYMqkh89Z48iCYydMK33bsDsO0TSEcfZQyGKZ0M9yoIwwU87XftEy 5AI01 GB200 NVL72 HBMB200 72 GPU GB 192 DRAM GB 3 8HBM 8 65%12 wafer 3GB 800 GB200 NVL72 HBM 8.86 GB200 0.12LPDDR GB200 GB 480 GB 30 GB200 LPDDR5x 16 12 wafer 1 nm DDR5 16Gb 1600 85%GB200 NVL72 LPDDR5x 6.35 GB200 NVL72 HBM+LPDDR5x 12 15.21 B200 HBM+LPDDR5x 0.21 GB200 NVL72 HBM 800 3GB die HBM3E 65%=B200*GPU/DRAM/12 wafer*GB200 NVL72 LPDDR5x 12 wafer nm DDR5 16Gb 1600 85%=GB200 LPDDR5x*/12 wafer*GB200 NVL72 HBM+LPDDR5x=GB200 NVL72 HBM+GB200 NVL72 LPDDR5x TrendForce 6AI01SSD HDD AI SSD AI SSD DGX H100 DGX H100 SSD 34.56 TB 2*1.92+8*3.84 7AI01SSD DGX H100 H100 8 DGX H100 SSD TB 34.56 12 wafer 176L 1024Gb TLC 700 85%DGX H100 SSD 0.46 0.058 GPU 400DRAM 84.52NAND 23.23 DGX H100 SSD 12 wafer 176L 1024Gb TLC 700 85%=H100*DGX H100 SSD/12 wafer*GPU 400 DRAM 84.52 GB200 NVL72 NAND 23.23 DGX H100 TrendForce 8 8902 GB 8 GB 8 12 wafer 1 nm DDR5 16Gb 1600 85%0.003 12 DRAM 3529412 GB 256 GB 256 12 wafer 176L 1024Gb TLC 700 85%0.003 12 NAND 4033613 8GB RAM+256GB ROM,16GB+512GB 12 DRAM=*=*/12 wafer*NAND=*=*/12 wafer*TrendForce 10 1011PC03 TrendForce PC GB 16PC GB 16 12 wafer 1 nm DDR5 16Gb 1600 85%PC 0.006 PC 2.5PC DRAM 1470588 PC GB 512PC GB 512 12 wafer 176L 1024Gb TLC 700 85%PC 0.007 PC 2.5PC NAND 1680672 PC 16GB RAM+512GB ROM,32GB+1TB PC 2.5 PC DRAM=PC*PC=PC*PC/12 wafer*PC NAND=PC*PC=PC*PC/12 wafer*12 121304 TrendForce DRAM NAND trendforce 2023 DRAM 1351 NAND 1157 2023 DRAM 2023 NAND 1404 TrendForce DRAM PC 36.71%37.67%PC 11.95%NAND SSD PC SSD 32.17%SSD 18.45%PC SSD 24.82%2023 DRAM/2023 NAND/15 151605 TrendForce 1705 AI DDR4 16Gb(2Gx8)2666Mbps 512Gb TLC wafer DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps 2024 4 19 3.64 2022 7.89 512Gb TLC wafer 2024 4 8 3.76 2022 4.59 0.001.002.003.004.005.006.007.008.009.00:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps 0.000.501.001.502.002.503.003.504.004.505.00:Wafer:512Gb TLC DRAMEXCHANGE 18 181906()()(X)2024E 2025E 2024E 2025E603986 74.09 2.70 3.73 27.44 19.86 688123 48.60 1.97 2.62 24.67 18.54 20 20210722评级 说明 国泰君安证券研究所E-mail：投资建议的比较标准股票投资评级增持 相对沪深300/恒生指数涨幅15%以上上海投资评级分为股票评级和行业评级。谨慎增持 相对沪深300/恒生指数涨幅介于5%15%之间以报告发布后的12个月内的市场表现为比较标准，报告发布日后的12 个月内的公司股价（或行业指数）的涨跌幅相对同期的沪深300 指数涨跌幅为基准。中性 相对沪深300/恒生指数涨幅介于-5%5%深圳 减持 相对沪深300/恒生指数下跌5%以上行业投资评级增持 明显强于沪深300/恒生指数中性 基本与沪深300/恒生指数持平北京 减持 明显低于沪深300/恒生指数地址 上海市静安区新闸路669号博华广场20 层邮编 200041电话（021）38676666地址 深圳市福田区益田路6003号荣超商务中心B 栋27层邮编 518026电话（0755）23976888地址 北京市西城区金融大街甲9 号 金融街中心南楼18层邮编 100032电话（010）83939888THANKS FORLISTENING