行业报告：汽车功率半导体深度2022年 8月 5日中航证券研究所发布 证券研究报告 请务必阅读正文后的免责条款部分行业评级：增持IGBT方兴未艾， SiC势在必行分析师： 刘牧野证券执业证书号： S0640522040001股市有风险 入市需谨慎 电动车核心器件 ， 动力 “ CPU” 供不应求： 汽车电动化 、 智能化推动车规级 IGBT成为增长最快的细分领域 ， 远超行业平均增速 。 受益于国内新能源车的高速发展 ， 新能源车 IGBT在 2020年已成为中国 IGBT第一大应用领域 ， 占比约 30%。 全球主要功率半导体供应商陆续宣布涨价 ， 毛利率得到显著的提升 。 2021年行业经历的缺货行情仍在延续 ， 头部供应商明显感受到供不应求的产能紧张状况 。 高功率 IGBT价值凸显： 大功率新能源车所使用的 IGBT和碳化硅模块附加值高 ， 国内设计生产的 IGBT目前在较低功率的 80kw电机应用已逐渐成熟 ， 并且在 80kw以上的电机开始放量 。 据我们保守测算 ， 短期内国产替代的市场在 180kw以下 ， 再除去比亚迪的市场 ， 2021年国内供应商主要面对的低功率 IGBT的市场规模约为 25亿元 。 2021年国内大功率车型的高速增长 ， 表明消费者在高端车型的消费意愿强烈 ， 大功率 IGBT占据国内约一半的市场 ， 且利润率更高 ， 看好国内供应商持续追赶 ， 攻克大功率 IGBT高地 ， 实现全面替代 。 升级碳化硅趋势明显： 碳化硅器件的全球市场在 2021年为 10.9亿美元 ， 至 2027年增长至 62.87亿美元 ， 年复合增长率 34%， 其中新能源车用碳化硅占市场主导地位 ， 且市场占比将由 2021年 63%提升至 2027年 79%。 我们预计 2022年国内车厂的驱动逆变器碳化硅需求 0.57亿元 ， 至2025年达到 28.36亿元 ， 年复合增速约 166%。 蔚来 ET7、 小鹏 G9均采用了碳化硅器件 ， 国内功率半导体供应商积极布局碳化硅 ， 有望加速碳化硅在国内的搭载速度 。 国产替代加速： 国产车载 IGBT拐点已至 ， 实现市占率的快速上升 。 2022年一季度国内出货量前五的功率器件供应商中 ， 已经有三家中国本土企业入列 ， 分别为斯达半导 、 比亚迪半导体 、 时代电气 ， 三家合计装机量占比约 40%。 建议关注已实现车规 IGBT放量的斯达半导 、 时代电气 、BYD半导 （ 未上市 ） ， 拥有较多自主产能 ， 资金 、 研发实力雄厚的士兰微 、 闻泰科技 ， 以及在碳化硅衬底积极扩产的天岳先进 、 东尼电子 、 露笑科技等供应商 。 风险提示： 新能源车销量不及预期 、 国内芯片设计 、 制造端遭遇技术瓶颈 、 产能建设不及预期 、 竞争加剧的风险摘要目录一、拥抱新能源，动力“ CPU”迎风口二、 IGBT方兴未艾三、碳化硅势在必行四、附表：全球产能统计资料来源： Ev Volumes，英飞凌财报，台积电财报，中航证券研究所 电动车进入发展快车道，车载半导体景气度提升。据 Ev Volumes，全球 2021年新能源车销量 694万辆，同比增长 106%，尽管 2022年欧洲新能源车销量疲软，但 2022年 1-6月，国内新能源汽车销量 260万辆，同比均增长 1.1倍。由于国内新能源车持续高景气， Ev Volumes预计 2022年全球电动车销量 1070万辆，同比增长 54.3%。 随着电动车的繁荣发展，国际半导体龙头供应商的汽车业务营收创新高，其中功率半导体龙头英飞凌的汽车相关业务在 2021年实现约37%的同比增长，代工厂龙头台积电的汽车业务同比提升约 51%。汽车电动化汹涌澎湃，车载半导体如火如荼全球新能源车销量大幅增长台积电车用电子收入提升英飞凌汽车业务收入提升资料来源：英飞凌，蔚来，中航证券研究所 电动车半导体单车价值量激增，逆变器用功率半导体占比最高。据英飞凌，电动车的半导体单车价值量较燃油车增长约 950美元，其中约 900美元来自功率半导体的使用，而逆变器使用的功率半导体，占单车功率半导体总价值量 75%左右。 电机和逆变器是电动车新增核心需求，功率器件（ IGBT和碳化硅 MOS）是逆变器核心器件，也是车辆性能的主要保证方式之一。和计算机上处理数字信号的 CPU类似，功率器件是电动车在功率上的“ CPU” 。 CPU依靠软件实现信号流在 0和 1之间转换。功率器件依靠变频控制软件，处理功率流的开和关。电动车核心器件，价值占比高电动车单车半导体价值量 电动车动力系统结构 逆变器核心器件资料来源：英为财情，中航证券研究所 全球功率半导体持续供不应求。主要功率半导体供应商陆续宣布涨价，毛利率得到显著的提升。受供需关系影响，当前供应商进入主动补库存阶段，季度收入 /库存比例维持在正常水位。 2021年行业经历的缺货行情仍在延续，头部供应商明显感受到供不应求的产能紧张状况。据英飞凌，包括尚未确认的订单在内 ,2022年 1-3月英飞凌积压的订单金额从去年四季度的 310亿欧元增长了 19.4%至 370亿欧元，这些订单当中超过五成是汽车相关产品 ,75%的订单在未来 12个月内才能交货 ,积压订单显然远超出英飞凌的交付能力。动力“ CPU” 高景气持续全球主要功率半导体供应商季度毛利率 全球主要功率半导体供应商季度收入 /库存资料来源：意法半导体， NE时代，中航证券研究所 新能源电气系统垂直整合趋势愈发明显。新能源电气系统在整车安全与性能表现方面起到关键作用，主机厂掌控意愿较高，以规避潜在技术缺陷与产能短缺风险。同时，相关技术仍处于发展阶段，垂直整合带来的独家供应能够构建主机厂新的核心竞争力，且更高的产品价值与利润也成为重要诱因。 目前国内 OEM出于国产化替代，供应链稳定的考量愿意培养自主半导体产业，投资或成立合资公司共同探索车规级半导体技术和质量达标方案，或者自建模块产线，将品质掌控在自己手中。 OEM和 Tier供应商对功率模块的设计和制造进行完整的评价测试和长期管理培养后，将方便采用部分本土的功率芯片，从而在成本控制上找到合适的方案。供应链重塑，上下游合力推进国产化新能源车供应链中，主机厂将参与更多的半导体供应决策IGBT SiC EV5000 /SiC 3 ViperSiCMiraiSiCSiC主机厂、 tier供应商纷纷布局功率器件资料来源：车百智库，罗兰贝格，第一电动汽车网，中航证券研究所 越来越多的主机厂选择直接与 Tier-2供应商进行合作甚至并购，以实现技术研发的内化和产能保障。例如，大众跳过 Tier-1供应商，直接与 Cree（科锐）达成深度合作，将后者变成大众专属的 SiC供应商，以确保未来新能源汽车产品核心竞争力的构建。而雷诺 -日产 -三菱联盟也与 ST（意法半导体）达成类似合作，以生产车载充电机所用的高性能 SiC半导体。 在电机自供、合资占比增加的趋势下，功率器件厂作为二级供应商，和电机、主机厂的合作越来越重要。特斯拉和比亚迪均采取自供电机的模式，占据国内新能源电机市场约 30%的出货量。英飞凌、意法半导体等国际龙头企业为特斯拉供应商，比亚迪半导体对比亚迪电动车的供应占比较多。供应链重塑，上下游合力推进国产化逆变器价值链 2021国内新能源电机企业配套量占比目录一、拥抱新能源，动力“ CPU”迎风口二、 IGBT方兴未艾三、碳化硅势在必行四、附表：全球产能统计资料来源： 富士机电，功率半导体分立器件产业及标准化白皮书，中航证券研究所IGBT：取长补短的复合型功率器件 功率半导体器件（ Power Electronic Device）又称为电力电子器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等。 功率半导体大致可分为功率半导体分立器件（ Power Discrete） (包括功率模块 )和功率半导体集成电路（ Power IC）两大类。 按照器件结构，现有的功率半导体分立器件可分二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管（ BJT）、结型场效应晶体管（ JFET）、金属氧化物场效应晶体管（ MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（ IGBT）等。功率半导体功能 半导体产业结构关系资料来源： 英飞凌 ， 中航证券研究所 晶体管是能够提供电功率放大并具有三个或更多电极的一种半导体器件。根据主要工艺，可以把晶体管分为双极晶体管和场效应晶体管。双极晶体管属于流控器件，响应速度快，驱动能力强；场效应管属于压控器件，输入阻抗高，功率消耗相对较低。 IGBT是由 MOSFET和双极型晶体管复合而成的功率半导体分立器件，它的控制极为绝缘栅场效应晶体管，输出极为双极型功率晶体管，因而兼有两者速度和驱动能力的优点，克服了两者的缺点。IGBT：取长补短的复合型功率器件晶体管分类及特点 IGBT结构示意图资料来源： 国家海关总署， 中航证券研究所 我国在功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件大部分已实现国产化。 MOSFET、 IGBT、 SiC等高端分立器件产品较大程度依赖进口。 耗散功率大于 5瓦的晶体管一般为功率器件。我国耗散功率 1瓦晶体管的进出口规模逐年增长，且进口规模增速大于出口规模。 IGBT属于功率晶体管中技术壁垒较高的产品，我国起步较晚，还存在较广阔的进口替代空间。进口替代空间广阔我国耗散功率 1瓦的晶体管进出口规模（亿元）资料来源：比亚迪招股书，英飞凌，中航证券研究所 经过几十年的发展， IGBT头部供应商英飞凌不断改进芯片结构，将 IGBT技术做到了第七代， IGBT1和 IGBT2已经不被英飞凌建议使用，目前使用最广泛的是 IGBT4，国内部分供应商目前能在第四代进行量产。 IGBT的发展方向依然是提高耐压、增加电流、扩大功率、提升最高工作结温。技术迭代周期较长，国产替代追赶至成熟产品代数 结构特征 封装形式 推出年份 优点 应用3 沟槽栅，场截止 模块 1992 低导通压降， 125 工作结温（ 600V器件为 150 ），开关性能优化 中低压领域基本已经被 IGBT4取代，但在高压领域依然占主导地位，比如 3300V， 4500V， 6500V的主流产品仍然在使用 IGBT3技术。4 沟槽栅 +场截止 +薄晶圆 模块 1997 进一步降低了开关损耗，同时开关软度更高，漂移区 厚度更薄 使用最广泛，电压包含 600V， 1200V， 1700V，电流从 10A到3600A5 沟槽栅 +场截止 +表面覆盖铜（ FS） 模块 2001允许更高的工作结温及输出电流。厚度相对于 IGBT4进一步减薄，使得饱和压降更低，输出电流能力提升30%。针对高可靠性，长寿命应用6 沟槽栅 +场截止 单管（ 1200V） 2003 4代的优化版本，优化了背面 P+注入，从而得到了新的折衷曲线。 Rg可控， 3us短路 目前只在单管中有应用7 微沟槽栅 +场截止 模块 2018 沟道密度更高，实现 5kv/us下的最佳开关性能。Vce(sat)相比 IGBT4降低 20%。 针对可控性、灵活性应用。电动商用车主驱，光伏逆变器等英飞凌历代 IGBT资料来源：比亚迪招股书，华经产业研究院，中航证券研究所 IGBT具有导通电阻小、开关速度快、工作频率高等特点，可以在各种电路中提高功率转换、传送和控制的效率，实现节约能源、提高工业控制水平的目的，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。 电动车成为驱动 IGBT需求的主要动力。据比亚迪半导招股书，从 2020年 IGBT模块全球应用占比来看，工业控制占比33.5%，是目前 IGBT最大的应用领域，新能源汽车占比 14.2%。未来，汽车电动化、智能化推动车规级 IGBT成为增长最快的细分领域，远超行业平均增速。 受益于国内新能源车的高速发展，据华经产业研究院，新能源车 IGBT在 2020年已成为中国 IGBT第一大应用领域，占比约30%。工业控制、消费电子（家电）与新能源发电市场分别占比 27%、 22%、 11%，为中国新能源汽车外前三大应用领域。车载 IGBT模块主导市场IGBT应用领域电压 应用领域低压 600V以下 消费电子中压 600V-1200V 新能源车、工控、家用电器高压 1700V-6500V 轨交、新能源发电、智能电网国内 IGBT市场应用占比资料来源：车主之家，英飞凌， ifind，中国乘联会，中航证券研究所 从主机厂的角度来观察国内 IGBT市场规模，国内高端车型的主机厂主要包括特斯拉、理想、蔚来、小鹏等，电机功率在 180kw以上。特斯拉使用的碳化硅和 IGBT模块主要由意法半导体、英飞凌提供，国内技术上还有差距。比亚迪的驱动 IGBT大部分由比亚迪半导提供。保守测算，短期内国产替代的市场在 180kw以下，再除去比亚迪的市场， 2021年国内供应商主要面对的车载驱动 IGBT的市场规模约为 25亿元。高功率 IGBT价值凸显2021年国内车载驱动 IGBT市场空间测算(kw) 120 150 180 (kw) 120 150 180 国内 A00至 C级新能源车月度批发量占比 2022年国内新能源车呈现市场下沉的趋势， A级车型以下的销量占比有所提升，但 A级以上的车型需要使用更大功率的 IGBT。产品附加值高，技术壁垒高的大功率IGBT仍然是未来国产替代的主要方向。资料来源：车主之家，中航证券研究所 不同车型所需的逆变器功率不同，高功率逆变器对 IGBT的性能要求更高。据英飞凌IGBT价格，用于 250kw逆变器的车载 IGBT价格约是 50kw的 7倍。 2021年国内新能源乘用车销量 328万辆，同比增长约 180%，其中电机功率 80kw以下和 180kw以上的车型销量增速最大，分别增长 146%和 388%。 2021年国内大功率车型的高速增长，主要原因是特斯拉 model Y的上市，吸引了大批消费者购买，表明国内在高端车型的消费意愿强烈。 大功率新能源车所使用的 IGBT和碳化硅模块附加值高，国内设计生产的 IGBT目前在单电机功率 120kw以下的新能源车开始放量， 180kw以上的新能源车 IGBT具备高市场增速和广阔的替代空间。高功率 IGBT价值凸显国内不同电机功率的新能源车销量结构（辆）资料来源： 电动汽车 IGBT芯片技术综述和展望 ，汽车功率电子，中航证券研究所 目前，为满足电动汽车的功率需求，牵引逆变器中一般使用多芯片并联的功率模块。可通过提高芯片电流密度，和改进封装工艺，来实现模块功率密度以及模块电、热性能的综合提升。 在电动汽车应用领域， IGBT芯片性能优化的思路基本为：在沟槽精细化的基础上，采用薄片工艺并优化背面缓冲层设计，再结合优良的终端结构提高芯片耐压等级；将 IGBT芯片和反并联二极管整合于一体，形成 RC-IGBT结构，进一步提升芯片电流密度；芯片上集成温度 /电流传感器，门极驱动电阻以及 RC芯片，有利于提高芯片长期运行的可靠性。 在封装层面，为了实现高可靠性、高功率密度、成本优势，目前汽车厂商主流的几种模块应用解决方案，主要分为：分立器件 ； 1 in 1； 2 in 1 ； 6 in 1。虽然 6 in 1模块对汽车来说并不是最优设计，但由于其设计应用的方便性，在短期内还将占据主流，技术改进主要聚焦在散热技术和可靠性。技术持续迭代，芯片、封装具提升空间IGBT芯片优化方案IGBT芯片优化方案 技术特点沟槽栅精细化技术 改进深亚微米级的曝光技术、化学机械抛光、快速热退火处理等制造工艺，使最小台面宽度从目前 600nm向 20至 40nm的理论极限靠近高压 /高温优化技术 改进缓冲层掺杂方式、解决电压回跳的问题，使电压等级提升至 800V以上，提高耐温多种优化技术组合 沟槽栅、超级结、逆导技术、薄片工艺和终端结构技术的结合，平衡电流密度、开关损耗和短路耐量之间的复杂制约关系多功能集成技术 集成部分传感器、智能驱动功能，实现运行异常时的自我纠正方案名称 封装方案简介 经典案例 优点 缺点分立器件IGBT单管夹在散热水道两边，立体式设计节省空间；并且方便叠层母排布局，减小杂散电感特斯拉 Model X成本低，集成度高，通用产品设计复杂，热阻较大，散热效率不高1 in 1 单个小模块包含一个开关，内部两个SiC芯片并联，使用时多个小模块并联 特斯拉 Model 3散热效率高，设计布局灵活量产工艺要求很高2 in 1 一种是灌胶模块封装，第二种是塑封 丰田普锐斯 4代 PCU结构紧凑，散热效率高，塑封的可靠性高没有集成散热绝缘陶瓷，设计时跟散热器之前需要加隔离垫片6 in 1 目前应用最广泛的模块，尤其是国内汽 车厂商，设计相对简单 英飞凌 HP Drive设计简单，功率密度高，应用门槛低成本高IGBT器件封装优化方案资料来源：爱集微， NE时代，公司公告，中航证券研究所 国产车载 IGBT拐点已至，实现市占率的快速上升。据爱集微， 2022年一季度国内出货量前五的功率器件供应商中，已经有三家中国本土企业入列，分别为斯达半导、比亚迪半导体、时代电气，三家合计装机量占比约 40%。国内百舸争流，车载 IGBT加速替代新能源车主机厂客户 车载 IGBT交付量 碳化硅进度时代电气 合众、一汽、长安等 10余家客户 至 2021年累计交付 18万套， 2022年预计交付 70万套。 2022年会在车厂小批量应 用斯达半导 长城、长安、东风（据电机客 户配套的主机厂推测） 2021年交付 60万套已经获得总金额为 3.4亿元的车规级 SiC MOSFET模块订单BYD半导 比亚迪、小康、宇通、福田等 估计 2021年配套 60万辆 已实现 SiC模块在新能源汽车高端车型的规模化应用 比亚迪半导体具备产业下游的支持，随着比亚迪新能源车的销量增长，比亚迪半导体的 IGBT高速发展。斯达半导生产的应用于主电机控制器的车规级 IGBT模块持续放量， 2021年合计配套超过 60万辆新能源汽车，其中 A级及以上车型配套超过 15万辆。时代电气具备高压 IGBT的丰富经验，并且拥有中车集团的下游支持， 2022年新能源车 IGBT预计年内交付的在手订单 70万台。2022Q1国内车载 IGBT出货占比资料来源：公司公告， ifind，中航证券研究所 国内 IGBT供应商中，士兰微、华润微、扬杰科技等均以进入汽车供应链为目标，并且在工控、家电、光伏等领域取得进展，在 2021年实现放量或高速增长。国内百舸争流，车载 IGBT加速替代产业链环节研发进度(对标英飞凌 )下游应用设计制造封测单管模组汽车电驱 光伏 风电 工控 家电 轨交华润微 第四代 台基股份 起步 阶段 扬杰科技 第四代 时代电气 第五代 士兰微 第五代 华微电子 第六代 斯达半导 第七代 宏微科技 第五代 BYD半导 第五代 新洁能 第四代 2020 2021 2022Q1斯达半导 9.12 15.95 5.1BYD半导 4.6 13.5 -时代电气 6 9 3士兰微 13 -宏微科技 3.32 5.51 1.4华润微 1 1.57 -新洁能 - 0.8 -扬杰科技 - 少量出货 0.5国内 IGBT供应商百舸争流 国内主要供应商 IGBT业务收入情况（亿元）目录一、拥抱新能源，动力“ CPU”迎风口二、 IGBT方兴未艾三、碳化硅势在必行四、附表：全球产能统计资料来源：东芝半导， yole，中航证券研究所 与硅（ Si）相比，碳化硅（ SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，与硅器件相比，当用于半导体器件中时，碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。据东芝半导，通过更改 2kVA单相逆变器产品的开关元件（将 IGBT替换为 SiCMOSFET），额定运行期间每个器件的损耗降低了约 41%。这主要归功于 SiC MOSFET卓越的开关能力。 除了降低损耗外，采用 SiC MOSFET还具有诸多优点。 SiC MOSFET在高温环境下具有优异的工作特性，与 IGBT相比，可简化现有散热措施。此外，由于开关损耗非常低，系统可在比 IGBT开关可支持频率更高的频率下运行。如能提高开关频率，就可以降低外围器件（线圈和电容器）的使用，从而节省空间和成本，并使产品具有更大的竞争优势。车载碳化硅势在必行碳化硅较 IGBT损耗更低全球碳化硅市场规模（亿美元）导通损耗 开通损耗 关断损耗 总损耗IGBT现有型号 4.4W 3.1W 6.9W 14.4W采用碳化硅替代品 4.5W（增加约 2%） 2.5W（减少约 19%） 1.5W（减少约 78%） 8.5W（减少约 41%） 据 Yole于 2022年的预测，碳化硅器件的全球市场在 2021年为 10.9亿美元，至 2027年增长至 62.87亿美元，年复合增长率 34%，其中新能源车用碳化硅占市场主导地位，且市场占比将由 2021年 63%提升至 2027年 79%。资料来源： CASA，中航证券研究所 据意法半导体，使用 SiC器件能使电动车平均减重 150kg至 200kg，延长电池寿命，使电车续航里程平均超过 600公里。据中国半导体行业协会，采用碳化硅能使整车成本节省约 2000美元，包括节省 600美元电池成本、 600美元汽车空间成本，节省1000美元散热系统成本。 在新能源车的大量应用，推动了 SiC MOSFET价格下降，使 SiC更具市场竞争力。 2020年，新能源车已经成为我国 SiC器件的主要应用场景。车载碳化硅势在必行碳化硅价格持续 下降（元 /A） 2020年我国 SiC功率器件市场以新能源车为主资料来源：车主之家，中航证券研究所 随着越来越多新能源车型采用碳化硅器件，显示出碳化硅对传统车用硅基 IGBT的替代已经逐渐展开。特斯拉上海工厂和比亚迪在其电机控制器的逆变器中已经采用了 SiC MOSFET的芯片作为核心的功率器件。丰田、大众、本田、宝马、奥迪等汽车企业也都将 SiC功率器件作为未来新能源汽车电机驱动系统的首选解决方案。 国内 SiC供应商中，比亚迪半导体实现了 SiC三相全桥模块在新能源汽车电机驱动控制器中大批量装车。 2022年，国内造车新势力蔚来 ET7、小鹏 G9均采用了碳化硅器件。国内车厂的 SiC MOSFET渗透率有望加速提升，随着搭载高功率电机的新能源车销量增长，车载 SiC MOSFET需求将持续增长。本土车厂进入碳化硅元年国内搭载功率 180kw以上电机的新能源车销量（辆）资料来源 ：车主之家，英飞凌，中航证券研究所 测算 假设特斯拉品牌效应对销量的带动作用渐近瓶颈，国产品牌占比逐步提升，国内 本土品牌电车（电机功率高于 180kw）销量于2025年达到 2022年国内整体销量水平， 2022-2025年销量增速 分别为 52.9%、 40%、 30%、 20%； 国产多款主流高端车型于 2022年开始搭载碳化碳 MOSFET，碳化硅的渗透率有望加速，假设渗透率 分别为 20%、 30%、 40%、50%；单车电驱动 SiC价值量每年下降 5%。 据我们测算，至 2025年，本土主机厂对电驱 SiC需求空间约 98.84亿元， 2021-2025年复合增长率约 92%。国内电驱动 SiC MOSFET市场有望高速成长2020年 A 2021年 A 2022年 E 2023年 E 2024年 E 2025年 E国内电车销量（万辆，电机功率高于 180kw） 12.3 38.3 58.5 81.9 106.5 127.7YoY 210.7% 52.9% 40% 30% 20%SiC渗透率 5% 10% 20% 30% 40% 50%电驱动 SiC需求量（万件） 0.62 3.83 11.70 24.57 42.58 63.87单车电驱动 SiC价值量（元） 20000 19000 18050 17148 16290 15476国内电驱 SiC器件市场空间（亿元） 1.23 7.27 21.11 42.12 69.36 98.84YoY 490.4% 190.5% 99.5% 64.7% 42.5%用于国产品牌车的碳化硅器件市场空间测算资料来源：天岳先进招股书，前瞻产业研究院，中航证券研究所 以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（ CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。 SiC器件的制造成本中， SiC衬底成本占比 50%， SiC外延的成本占比 25%。 SiC衬底成本较高的原因在于，目前主流商用的 PVT法晶体存在生长速度慢、缺陷控制难度大，推高了 SiC的单片成本。碳化硅降本核心：提高衬底生产速率及良率SiC器件制造成本结构SiC产业链资料来源：天岳先进招股书，前瞻产业研究院，中航证券研究所 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：第一类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如 II-VI公司等。 国内碳化硅产业起步较晚。衬底方面，科锐和 II-IV公司已分别于 2009年和 2012年实现了 6英寸衬底的量产，国内公司如天岳先进于 2019年才实现了量产。此外，科锐于 2015年具备了更大的 8英寸衬底量产能力，国内公司目前尚未有公司在 8英寸实现突破。器件方面，意法半导体、英飞凌等设计、生产的 SiC MOSFET已经批量应用于特斯拉，国内斯达半导、比亚迪还处于小批量供应阶段。国际公司衬底 科锐 道康宁 罗姆 II-VI 昭和电工外延 科锐 道康宁 罗姆 Novasic 昭和电工设计 USCI Bruckewell CISSOID晶圆制造 SUNY POLY 离子束 X-Fab 汉磊IDM 科锐 安森美 英飞凌 意法半导体 罗姆 三菱电机衬底 天科合达 天岳先进 世纪金光 东尼电子 露笑科技外延 瀚天天成 东莞天域 世纪金光设计 斯达半导 比亚迪 宏微科技晶圆制造 三安集成 中芯国际IDM 泰科天润 时代电气 华润微 中电科国内公司国内起步较晚，全产业链奋力追赶目录一、拥抱新能源，动力“ CPU”迎风口二、 IGBT方兴未艾三、碳化硅势在必行四、附表：全球产能统计资料来源：公司官网，公司公告，中航证券研究所 英飞凌、意法半导体、安森美等国际头部功率半导体供应商的现有产能以 8英寸线为主，并逐渐向 12英寸线转移。日系供应商富士电机、东芝也在加速扩张。国内供应商起步较晚， 4至 6英寸的功率半导体产线居多，但有多条 8英寸、 12英寸以及碳化硅在建设、爬坡中。由于功率半导体的迭代速度较慢，国内供应商有更充足的时间追赶国际头部公司，逐渐实现功率半导体的国产化。功率半导体现有产能2021年国内外主要功率半导体供应商产能（万片 /月）4英寸 6英寸 8英寸 12英寸国内供应商华润微 22.7 13士兰微 21.5 6 3.6比亚迪半导体 1.6扬杰科技 90 6.6闻泰科技 10.5 3.5时代电气 1.2燕东微电子 6 5华微电子 21 6.5 3捷捷微电 41.7 0.5国际供应商英飞凌 29.4 5.2意法半导体 42 4.2安森美 8 10富士电机 1.7东芝 6三菱 4 20资料来源：公司官网，公司公告，中航证券研究所 国外供应商扩产项目以 12英寸功率半导体产线，以及 6英寸、 8英寸碳化硅产线为主。产能释放时间在 2023年之后，因此短期内，全球功率半导体仍将呈现供需紧张的局面。 国内功率半导体供应商中，华润微、士兰微、闻泰科技、燕东微电子均有 12英寸线的在建产能。华润微、士兰微、斯达半导、时代电气、燕东微电子正在建设、规划碳化硅 6至 8英寸的产线。比亚迪、上汽集团、蔚来、博格华纳等主机厂及零部件供应商，也在积极布局 IGBT和碳化硅模块、芯片产线。全球扩产统计国外供应商扩产项方向IC MOSFET IGBTH2 Tower R32024SiCIGBT 250IGBTSharp Fukuyama Semiconductor/MOSFET 6 870%资料来源：公司官网，公司公告，中航证券研究所国内碳化硅衬底产能公司 产线类别 产线 产线状态 年设计产能 2021年产能 生产项目 公司已知产能天岳先进 4英寸 SiC衬底 济南工厂（大功率碳化硅电力电子器件用 材料项目） 爬坡中 5.7 半绝缘型 4吋衬底 5.7万片 /年天岳先进 6英寸 SiC衬底 上海工厂（碳化硅半导体材料项目） 在建 30 0 导电型天科合达 24英寸 SiC衬底 新疆项目 满产 7 2.8(4吋 )4吋衬底 6.4万片 /年天科合达 46英寸 SiC衬底 江苏徐州项目 爬坡中 6 3.6(4吋 )天科合达 6英寸 SiC衬底 北京大兴区项目 在建 12 0 导电型 /半绝缘型天科合达 6英寸 SiC衬底 新疆项目 P2 在建 0天科合达 6英寸 SiC衬底 江苏徐州项目 P2 在建 0天科合达 6英寸 SiC衬底 北京大兴区项目 P2 规划待建 25 0天科合达 6英寸 SiC衬底 深圳项目 规划待建 0露笑科技 4/6英寸 SiC衬底 浙江工厂（新建碳化硅衬底片产业化项目） 在建 8.8 0 6吋导电型 /4吋半绝缘型6吋衬底 2.5万片 /年露笑科技 6英寸 SiC衬底 第三代碳化硅产业园 P1 爬坡中 24 导电型露笑科技 8英寸 SiC衬底 第三代碳化硅产业园 P2 规划待建 10 0露笑科技 8英寸 SiC衬底 第三代碳化硅产业园 P3 规划待建 15 0河北同光晶体 4/6英寸 SiC衬底 原 SiC产线 满产 6 导电型 /半绝缘型4/6吋 SiC衬底 8万片 /年河北同光晶体 4/6英寸 SiC衬底涞源工厂（年产 10万片碳化硅单晶衬底项目） 爬坡中 10 2河北同光晶体 涞源新厂（同光晶体高质量碳化硅单晶衬 底及外延产业化项目） 在建 60 0三安光电 6英寸 SiC晶圆 三安集成生产线 爬坡中？ SiC SBD6吋 SiC晶圆 6万片 /年三安光电 6英寸 SiC晶圆 /GaN 湖南三安项目 P1 爬坡中 合计 36SiC、 GaN分别 0.3、0.1WP/M 导电型 /SiC SBD三安光电 6英寸 SiC晶圆 湖南三安项目 P2 规划待建（ 4年内完成建设） 合计 36 0 导电型东尼电子 6英寸 SiC衬底 在建 12 导电型资料来源：公司官网，公司公告，中航证券研究所 新能源车销量不及预期 国内芯片设计、制造端遭遇技术瓶颈 产能建设不及预期 竞争加剧的风险风险提示分析师承诺负责本研究报告全部或部分内容的每一位证券分析师，在此申明，本报告清晰、准确地反映了分析师本人的研究观点。本人薪酬的任何部分过去不曾与、现在不与，未来也将不会与本报告中的具体推荐或观点直接或间接相关。风险提示：投资者自主作出投资决策并自行承担投资风险，任何形式的分享证券投资收益或者分担证券投资损失的书面或口头承诺均为无效。免责声明本报告并非针对意图送发或为任何就送发、发布、可得到或使用本报告而使中航证券有限公司及其关联公司违反当地的法律或法规或可致使中航证券受制于法律或法规的任何地区、国家或其它管辖区域的公民或居民。除非另有显示，否则此报告中的材料的版权属于中航证券。未经中航证券事先书面授权，不得更改或以任何方式发送、复印本报告的材料、内容或其复印本给予任何其他人。本报告所载的资料、工具及材料只提供给阁下作参考之用，并非作为或被视为出售或购买或认购证券或其他金融票据的邀请或向他人作出邀请。中航证券未有采取行动以确保于本报告中所指的证券适合个别的投资者。本报告的内容并不构成对任何人的投资建议，而中航证券不会因接受本报告而视他们为客户。本报告所载资料的来源及观点的出处皆被中航证券认为可靠，但中航证券并不能担保其准确性或完整性。中航证券不对因使用本报告的材料而引致的损失负任何责任，除非该等损失因明确的法律或法规而引致。投资者不能仅依靠本报告以取代行使独立判断。在不同时期，中航证券可发出其它与本报告所载资料不一致及有不同结论的报告。本报告及该等报告仅反映报告撰写日分析师个人的不同设想、见解及分析方法。为免生疑，本报告所载的观点并不代表中航证券及关联公司的立场。中航证券在法律许可的情况下可参与或投资本报告所提及的发行人的金融交易，向该等发行人提供服务或向他们要求给予生意，及或持有其证券或进行证券交易。中航证券于法律容许下可于发送材料前使用此报告中所载资料或意见或他们所依据的研究或分析。我 们设定的上市公司投资评级如下：买入 ：未来六个月的投资收益相对沪深 300指数涨幅 10%以上。持有 ：未来六个月的投资收益相对沪深 300指数涨幅 -10%-10%之间卖出 ：未来六个月的投资收益相对沪深 300指数跌幅 10%以上。我们设定的行业投资评级如下：增持 ：未来六个月行业增长水平高于同期沪深 300指数。中性 ：未来六个月行业增长水平与同期沪深 300指数相若。减持 ：未来六个月行业增长水平低于同期沪深 300指数。中航科技电子团队介绍 ：首席：赵晓琨十六年消费电子及通讯行业工作经验，曾在华为、阿里巴巴、摩托罗拉、富士康等多家国际级头部品牌终端企业，负责过研发、工程、供应链采购等多岗位工作。曾任职华为终端半导体芯片采购总监，阿里巴巴人工智能实验室供应链采购总监。长期专注于三大方向： 1、半导体及硬科技； 2、智慧汽车及机器人； 3、大势所趋的新能源。分析师：刘牧野约翰霍普金斯大学机械系硕士， 2022年 1月加入中航证券。拥有高端制造、硬科技领域的投研经验，从事科技、电子行业研究。