1 Table_First Table_First|Table_ReportType 公司报告公司深度研究 Tabl e_First|Tabl e_Summar y 新 洁 能（ 605111） 电子 功率器件设计龙头，光伏储能带来新机遇 投资要点： 公司是国内功率器件设计类龙头企业之一， 是国内 MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司 ， IGBT产品已经量产并实现规模销售， 功率模组 /SiC/GaN等系列产品 进展明确 ，业绩持续释放。 电动汽车 /新能源发电蓬勃发展，功率器件迎来行业性机遇 在碳达峰碳中和的时代背景下，新能源汽车和新能源发电面临庞大的市场需求。中国新能源汽车销量 2021年达到 352万辆，同比增长 158%，根据 IDC预测， 2022年销量预计达到 523万辆。新能源发电建设投入 力度 始终位于高位， 2022年 全球 光伏 新增 装机量预计达到 200-220GW，同比增 长 30%左右 。作为电路的核心器件，功率 板块 将持续受益于新能源行业的快速发展。 产品持续迭代升级， IGBT及第三代半导体进展顺利 公司产品结构不断改善， 成熟产品沟槽型 MOS收入占比从 2020年 55.79%降至2021年 45.31%；屏蔽栅 MOS占比从 2020年 31.69%提升至 2021年 38.96%； IGBT占比从 2020年 1.34%提升至 2021年 5.39%，实现超 8000万收入，向光伏逆变器 和光伏储能 客户出货量大增。而功率模组和 SiC/GaN功率器件研发顺利推进， 1200V新能源汽车用 SiC MOSFET平台开发顺利，产品首次流片验证完成。 战略合作保障晶圆产能，自主封装能力不断提 升 公司与国内功率 半导体 晶圆代工龙头华虹宏力建立了长期战略合作关系，是国内唯一一家在 华虹 一、二、三、七厂均已实现投产 的 功率半导体公司 。在后端封装环节，子公司电基集成 2021年产能已达 1014kk，自主封装比例接近 40%， IGBT系列产品的多数封装外形已经实现稳定量产， 开发的 TOLL封装是输出功率等级最大的贴片封装外形并形成量产销售 。 盈利 预测、估值与评级 我们预计公司 2022-2024年收入分别为 20.91/28.15/36.73亿元，同比分别增长 39.55%/34.62%/30.48%；归母净利润分别为 5.28/6.69/8.22亿元，同比 分 别 增 长 28.56%/26.73%/22.89% ， 三 年 GACR 约 25% ； EPS 分 别 为2.64/3.34/4.11元，对应 PE为 38/30/25。 DCF估值法测得公司合理价值120.05元；综合 DCF和 PE估值法 ，参考 Fabless功率公司估值 ， 鉴于公司光伏 IGBT等产品快速放量， 我们 给予公司 22年 50倍 PE， 目标价 132元 ， 维持“买入”评级。 风险 提示： 宏观经济波动风险、供应商依赖 风险、新产品研发进度不及预期等风险。 Tabl e_First|Tabl e_Summar y|Table_Excel 1 财务数据和估值 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 营业收入（百万元） 955 1498 2091 2815 3673 增长率（ %） 23.62% 56.89% 39.55% 34.62% 30.48% EBITDA（百万元） 162 468 718 965 1210 净利润（百万元） 139 410 528 669 822 增长率（ %） 41.89% 194.55% 28.56% 26.73% 22.89% EPS（元 /股） 0.70 2.05 2.64 3.34 4.11 市盈率（ P/E） 145 49 38 30 25 市净率（ P/B） 17.5 13.2 5.9 5.0 4.2 EV/EBITDA 118.5 52.1 25.4 18.9 14.9 数据来源：公司公告 、 iFinD， 国联证券研究所 预测；股价为 2022 年 5 月 27 日收盘价 证券研究报告 Tabl e_First|Tabl e_R eportD ate 2022 年 05 月 29 日 Tabl e_First|Tabl e_Rati ng 投资 评级 ： 行 业： 电子 投资建议： 买入 （维持评级） 当前价格： 101.31 元 目标价格： 132 元 Tabl e_First|Tabl e_M ar ketInfo 基本数据 总股本 /流通股本（百万股） 200/142 流通 A 股市值（百万元） 14393 每股净资产（元） 12.37 资产负债率（ %） 16.58 一年内最高 /最低（元） 162.06/82.88 Tabl e_First|Tabl e_C hart 股价相对走势 Tabl e_First|Tabl e_Author 分析师：熊军 执业证书编号： S0590522040001 邮箱： 分析师：王晔 执业证书编号： S0590521070004 邮箱： Tabl e_First|Tabl e_Contacter Tabl e_First|Tabl e_Rel ateRepor t 相关报告 1、新 洁 能（ 605111） : 业绩持续增长，盈利能力稳中有升 业绩持续增长，盈利能力稳中有升 2022.04.19 2、新 洁 能（ 605111） : 新兴市场带来新增长， IGBT 稳定量产 新兴市场带来新增长，IGBT 稳定量产 2022.03.22 3、新 洁 能（ 605111） :定增推动创新升级，股权激励绑定核心骨干定增推动创新升级，股权激励绑定核心骨干 2021.11.15 请务必阅读 报告 末页的 重要 声明 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 2 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 投资聚焦 核心逻辑 功率半导体是半导体行业重要的细分板块， 在电路系统中起到控制导通、电压频率变换、直流交流转换等功能 ，是电路系统的核心部件，在消费电子、汽车、通信、工控、新能源发电 等 领域有着广泛应用。随着电动汽车渗透率不断提升，光伏、风电、储能等新能源发电产业持续建设，功率器件也将面临更广阔的市场空间。公司作为国内设计类功率龙头之一，依托 MOSFET、 IGBT等 器件积累的技术优势，正在逐步拓展第三代半导体功率器件等行业前沿，业绩不断释放，引领未来收入和利润的增长。 不同于市场的观点 市场在功率器件行业中更加看好采用 IDM模式的厂商。我们认为硅片等原材料价格上涨同样会给 IDM功率器件带来成本压力，并且随着 22-23年全球晶圆厂大幅增长的资本开支，晶圆制造环节的产能紧缺将逐步缓解。公司作为 Fabless类厂商，始终和晶圆厂保持战略合作关系，并积极寻求产能补充，可以有效管控成本端的压力。 核心假设 新能源汽车渗透率快速提升，根据 IDC预测 2021-2025年中国 市场销量复合增速达到 38%。 光伏发电、光伏储能建设符合预期，核心部件逆变器全球出货量 2020-2025年复合增速约为 20% 公司和核心晶圆供应商保持坚实的合作关系，能够保障未来产能供应充足。 公司第三代功率半导体产品、功率模组（含车规级）等新兴产品研发及验证进度符合预期。 盈利预测与估值 我们预计公司 2022-2024年收入分别为 20.91/28.15/36.73亿元，同比分别增长39.55%/34.62%/30.48%；归母净利润分别为 5.28/6.69/8.22亿元，同比分别增长28.56%/26.73%/22.89%,三年 CAGR约 25%； EPS分别为 2.64/3.34/4.11元，对应 PE为 40/32/26。 DCF估值法测得公司合理价 120.05元，综合 DCF和 PE估值方法， 参考斯达半导 /宏微科技 /东微半导等设计类功率半导体公司估值，同时考虑到公司产品结构中成熟类产品占比更高 , 鉴于公司光伏 IGBT等产品快速放量， 给予公司 22年 50倍 PE，目标价 132元 ， 维持“买入”评级。 投资看点 短期看产品结构、市场结构能否持续迭代升级，屏蔽栅 MOS占比超越沟槽 型 MOS，IGBT和 SJ-MOS占比继续提升。 中期看汽车 /新能源发电等行业发展是否符合预期，预计 2021-2025年国内新能源汽车销量 CAGR约 38%，光伏逆变器全球出货量 2020-2025年 CAGR约为 20%。 长期看公司研发能否紧跟行业前列，在 IGBT/SiC等前沿产品保持竞争力。 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 3 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 正文目录 投资聚焦 . 2 1. 国产功率器件设计龙头， MOSFET/IGBT 等产品型号丰富 . 5 1.1 自成立以来始终专注于功率器件研发 . 5 1.2 董事长工 程师出身，半导体产业经验丰富 . 5 1.3 专注功率器件业务，业绩持续向好 . 6 2. 功率半导体应用广泛，市场需求庞大 . 8 2.1 MOSFET 是最大品类，中高压产品面临新需求 . 8 2.2 IGBT 和第三代半导体引领功率新发展 . 12 3. 功率器件国内十强，下游新能源产业需求旺盛 . 16 3.1 产品结构持续优化，前后端产能有保障 . 16 3.2 汽车 电子和新能源发电带动新一轮增长 . 19 3.3 加大投入绑定核心研发人员， SiC MOS 等前沿产品研发顺利 . 22 3.4 盈利能力稳步提升，费用控制能力较好 . 25 4. 盈利预 测与投资建议 . 27 4.1 盈利预测 . 27 4.2 投资建议 . 28 5. 风险提示 . 30 图表目录 图表 1：公司发展历程 . 5 图表 2：公司股权结构（截至 2022 年 Q1） . 6 图表 3：公司主要产品平台发展历程 . 6 图表 4：公司营业收入（亿元） &同比 . 7 图表 5：公司各项业务毛利率 . 7 图表 6：可比公司销售毛利率对比 . 7 图表 7：可比公司销售净利率对比 . 7 图表 8：功率半导体产品种类示意图 . 8 图表 9：全球功率半导体市场规模（亿美元） . 8 图表 10：中国功 率半导体市场规模（亿美元） . 8 图表 11： 2019 年全球功率分立器件分类占比 . 9 图表 12： MOSFET 芯片结构示意图 . 9 图表 13： P 沟道和 N 沟道 MOSFET 电路图形 . 9 图表 14：全球 MOSFET 器件市场规模（亿美元） . 10 图表 15：中国 MOSFET 器件市场规模（亿美元） . 10 图表 16：全球 MOSFET 高压 /中低压占比 . 10 图表 17： MOSFET 晶圆月出货量（万片） . 10 图表 18： 2020 年全球 MOSFET 器件市占率排名 . 11 图表 19：硅基 MOSFET 下游市场分布（ 2020-2026 年） . 11 图表 20： 2020-2026 年硅基 MOSFET 各市场规模预测 . 12 图表 21： IGBT 内部结构示意图 . 12 图表 22： IGBT 等效电路 . 12 图表 23： Si MOSFET/IGBT/SiC MOSFET 主要参数及应用场景比较 . 13 图表 24：全球 IGBT 市场规模（亿美元） . 13 图表 25： 中国 IGBT 市场规模（亿美元） . 13 图表 26： 2020 年中国 IGBT 下游应用领域市场占比 . 14 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 4 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 27： 2020-2026 年 IGBT 各市场规模预测 . 14 图表 28： Si、 SiC、 GaN 性能范围示意图 . 15 图表 29： Si 和 SiC 性能参数对比 . 15 图表 30： 全球 SiC 器件市场规模（亿美元） . 15 图表 31： 2027 年 SiC 器件市场下游分布情况预计 . 15 图表 32： 2021-2027 年 SiC 器件各市场规模预测 . 15 图表 33：公司各生产环节核心竞争优势 . 16 图表 34： 公司主要产品类型 . 17 图表 35： 公司主要产品封装成品示意图 . 17 图表 36：国内 MOSFET 厂商产品型号数量（ 2021 年） . 17 图表 37： 公司主要业务收入结构 . 18 图表 38： 公司主要功率器件收入结构 . 18 图表 39： 公司功率器件销量及单价 . 18 图表 40： 公司功率芯片销量及单价（折合 8 英寸） . 18 图表 41： 公司芯片产量（折算成 8 英寸，万片） . 19 图表 42： 公 司自主封装产能（ kk） . 19 图表 43：公司下游主要应用领域 . 19 图表 44： 2020 年汽车各类芯片应用占比情况 . 20 图表 45： 全球汽车功率芯片市场规模（亿美元） . 20 图表 46：公司主要车规级产品及应用场景 . 20 图表 47：光伏组串式逆变器结构示意图 . 21 图表 48： 中国光伏电站成本结构占比 . 21 图表 49： 光伏逆变器成本结构占比 . 21 图表 50： 中国光伏新增装机容量（ GW） . 22 图表 51：全球 光伏逆变器出货量（ GW） . 22 图表 52： 全球电化学储能累计装机规模（ GW） . 22 图表 53：中国电化学储能累计装机规模（ GW） . 22 图表 54： 公司研发开支（亿元） . 23 图表 55：公司研发人员数 量及占比 . 23 图表 56：可比公司研发支出占收入比例对比 . 23 图表 57：公司 2021 年 11 月启动定增项目详情 . 25 图表 58：公司毛利率 &净利率 &ROE（摊薄） . 25 图表 59：公司三费费用率 . 26 图表 60：公司经营活动现金流量净额（亿元）、销售商品现金 /营业收入 . 26 图表 61：应收票据及账款相关财务数据 . 27 图表 62：合同负债（亿元）及同比增速 . 27 图表 63：公司营收测算汇总（亿元） . 28 图表 64： FCFF 估 值明细 . 28 图表 65：可比公司估值对比表 . 29 图表 66：财务预测摘要 . 31 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 5 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 1. 国产功率器件设计龙头， MOSFET/IGBT 等产品型号丰富 公司是国内功率器件设计类企业龙头之一， 长期专业 从事 MOSFET、 IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售。公司是国内最早在 12 英寸工艺平台实现沟槽型 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET 量产的企业， 也是 国内 8 寸和 12 寸功率器件累计出货量最大的设计公司 ，同时 是国内 MOSFET 品类最齐全且产品技术领先的公司。2021 年收入规模达到 14.98 亿元，归母净利润达到 4.10 亿元，并且保持快速增长的趋势 。 根据 IHS 统计数据， 2020 年公司在国内 MOSFET 出货量排名 本土厂商 第三，其中设计领域公司名列第一。 1.1 自成立以来始终专注于功率器件研发 公司成立于 2013 年，由实控人朱袁正、新潮集团、新洁能半导体三方共同出资设立。自成立以来 ， 公司始终专注于 MOSFET、 IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售， 2016 年至今每年均入选由中国半导体行业协会评选的“中国半导体功率器件十强” ，是 唯一的功率器件设计公司 。同时，公司通过设立子公司和对外股权投资的方式，加强自主封装能力，开展功率模块业务，并进行其他产业链环节的布局 。 图表 1： 公司发展历程 来源： 公司官网，公司公告， 国联证券研究所 1.2 董事长工程师出身，半导体产业经验丰富 朱袁正先生是公司第一大股东，同时也是公司实控人，直接持有 23.15%股份（ 2022 年 Q1）；根据 2021 年年报披露，截至 2021 年 Q4，朱袁正直接持股 23.34%，通过其他一致行动人间接持有 3.38%的股份，总计持股 26.72%。 截至 2022Q1， 前十大股东共计持股 43.44%。 领导者 技术背景出身， 海内外产业经验丰富 。朱袁正先生 1964 年出生，本科和本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 6 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 硕士分别毕业于吉林大学半导体化学专业和新加坡国立大学 计算机与电力工程 专业 。曾任中国华晶电子集团公司助理工程师 /刻蚀工艺主管 、 新加坡微电子研究院工程师 、德国西门子松下有限公司产品工程技术经理 、 无锡华润上华半导体有限公司研发副处长 、 苏州硅能半导体科技有限公司董事 /总经理 、 新洁能半导体董事长兼总经理 、 电芯联智控董事长兼总经理 ，具有丰富的产业经验，工程技术能力扎实，管理能力突出。现任公司董事长兼总经理 ， 新洁能香港董事 ， 电基集成执行董事兼总经理 。 图表 2： 公司股权结构（截至 2022 年 Q1） 来源： 公司公告， 国联证券研究所 1.3 专注功率器件业务，业绩持续向好 公司自成立之初即专注于功率半导体器件的研发设计，提供的产品包括 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件 ，第三代半导体功率器件产品及功率模组 已经形成样品，其中第三代半导体功率器件产品正在做进一步的测试，功率模组正在 构建 模块生产线 。公司 产品电压已经覆盖了 12V-1700V 的全系列产品 ，产品型号 达 1500 余种 ，重点应用领域包括汽车电子、光伏逆变和光伏储能、数据中心、 5G 通讯、工业电源、安防、机器人电机控制、变频家电、农用无人机、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。 图表 3： 公司主要产品平台发展历程 来源： 公司公告， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 7 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 收入逐年上涨，产品下游应用广泛 。 2021 年总体营业收入达到 14.98 亿元，同比增长 56.89%。收入快速增长的原因在于功率半导体下游应用广泛，电动汽车、新能源发电、 5G 通信等新兴领域对功率器件的需求与日俱增，公司产品面临供不应求的局面。随着供应链建设趋于成熟，公司在前端和晶圆厂建立战略合作关系，在后端加强自主封装能力，从而保障产能，促使下游需求转化为销售收入。 受益于行业景气度提升 ，同时 自身 产品结构、市场结构以及客户结构 改善， 公司毛利率自 2019年以来连续两年上涨， 2021年总体毛利率达到 38.87%，同比提升 13.50个百分点。从细分业务来看，公司功率器件毛利率、芯片毛利率和总体毛利率走势基本一致， 2021 年功率器件和芯片的毛利率分别为 38.71%和 41.43%。考虑到芯片收入占比逐年降低，预计未来总体毛利率和功率器件毛利率基本一致。 盈利能力 位居 行业上游，边际改善明显 。和 A 股主流功率器件厂商相比，公司的毛利率逐步提升至行业上游水平， 2021年毛利率创 2016年以来的新高，达到 38.87%，仅次于捷捷微电的 47.70%。公司的净利率同样处于优势地位，显著高于大部分可比公司， 2021 年达到 27.40%，仅次于捷捷微电的 27.78%。出色的盈利能力源自于良好的供应链管理能力和费用控制能力，公司在 Fabless 模式基础上向封测环节延伸，不断提升产品价值量。 图表 4： 公司营业收入（亿元） &同比 图表 5： 公司各项业务毛利率 来源： 公司公告， 国联证券研究所 来源： 公司公告， 国联证券研究所 图表 6： 可比公司销售毛利率对比 图表 7： 可比公司销售净利率对比 来源： 公司公告， 国联证券研究所 来源： 公司公告， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 8 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 2. 功率半导体应用广泛，市场需求庞大 功率半导体是半导体行业最重要的细分板块之一，作为电子装置中 电能转换与电路控制的核心 ，在电路系统中起到控制导通、电压频率变换、直流交流转换等功能。下游广泛应用在 汽车电子、工业电子、 消费电子、新能源发电、轨道交通、电力传输等行业，市场规模庞大，前景广阔。 2.1 MOSFET 是最大品类，中高压产品面临新需求 功率半导体可以分为功率器件和功率 IC 两大细分品类 。功率器件从最早的二极管、三极管、晶闸管，发展至后来的 MOSFET、 IGBT，体现出 大功率化、高频化、集成化 、低能耗等发展趋势。而在产品大类内部，同样存在持续的迭代升级， 功率器件厂商 不断创新设计和制造技术以满足下游的各类新需求。 图表 8： 功率半导体产品种类示意图 来源： 锐观咨询 ， 国联证券研究所 全球功率半导体市场规模在 2019 年约为 464 亿美元， 2024 年预计将达到 522 亿美元， 2019-2024 年复合增速约为 2.38%；中国功率半导体市场规模在 2019 年达到177 亿美元， 2024 年预计达到 206 亿美元， 2019-2024 年复合增速约为 3.08%。中国市场占全球的比例大约在 39%左右，是全球主要的功率半导体消费市场。 图表 9： 全球功率半导体市场规模（亿美元） 图表 10： 中国功率半导体市场规模（亿美元） 来源： Omdia， 国联证券研究所 来源： Omdia， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 9 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 MOSFET 器件是最大品类，形态以分立器件为主 。 2019 年全球功率 分立器件市场规模约为 160 亿美元，占功率半导体整体市场规模比例约为 34%。其中， MOSFET 器件是最大的品类，占比 52.51%；其次是整流器和 IGBT，占比分别为 26.98%、 9.99%。IGBT 由于在大多数场景下以模组形式存在，因而在功率半导体分立器件市场份额中占比不高。 图表 11： 2019 年全球功率分立器件分类占比 来源： Omdia， 国联证券研究所 MOSFET 全称 为“ 金属氧化物半导体场效应管 ” ，按照导电沟道类型可以分为 P 沟道和 N 沟道，其基本原理是通过调节栅极（ G）电压来控制源极（ S）和漏极（ D）之间的导通、关断。 MOSFET 具有导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好等优点，被广泛应用在电脑、手机、移动电源、电动交通工具、 UPS 电源等众多领域。 MOSFET 器件市场广阔，中国市场约占全球四成 。全球 MOSFET 器件市场规模在2019 年约为 84.20 亿美元， 2020 年受疫情影响出现下滑， 2024 年预计回升至 77.02亿美元。中国 MOSFET器件市场规模在 2019年约为 33.42亿美元，占全球市场的 39.69%，2020 年同样因为疫情出现下滑，后续市场规模预计保持平稳， 2024 年约为 29.70 亿图表 12： MOSFET 芯片结构示意图 图表 13： P 沟道和 N 沟道 MOSFET 电 路 图形 来源： cnblogs， 国联证券研究所 来源： 安世半导体， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 10 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 美元。 高电压、大电流下游领域发力，推动高压 MOSFET 渗透率不断提升 。 MOSFET 器件按照电压规模区分，可以分为高压 MOSFET 和中低压 MOSFET。以新能源汽车、 5G 基站、充电桩、新能源发电为代表的高电压、大电流领域未来几年发展速度较快，因此相比于中低压 MOSFET，高压 MOSFET 的市场增速将更快。 2020 年中低压和高压 MOSFET 市场份额占比分别为 71%和 29%， 2024 年比例 预计分别 为 64%和 36%，高压 MOSFET 份额显著提升。 高压超级结 MOSFET 作为高压 MOSFET 代表产品，其晶圆出货量预计从 2020年 23.8 万片 /月提升至 2025 年的 35.1 万片 /月，复合增速 8.1%，显著高于 MOSFET整体增速。 海外巨头位居行业前列，国产替代空间大 。根据 Omdia的数据， 2020年全球 MOSFET器件市场份额前三名分别为英飞凌、安森美、瑞萨，市占率分别为 29.7%、 11.2%、9.1%。前十名中仅有一家中国公司安世半导体（闻泰科技子公司），位居第 8 名。全球前十名 MOSFET 厂商市占率高达 81%，市场份额较为集中，且主要被欧美日半导体巨头占据，国产厂商仅通过收购安世集团占据一席之地，国产厂商的进步空间仍然较大，随着包括新洁能在内的国产功率厂商不断发力，国产替代的进程将持续推进。 根据 IHS 统计数据， 2020 年公司在国内 MOSFET 出货量排名本土厂商第三， 在 设计 类 公司名列第一。 图表 14： 全球 MOSFET 器件市场规模（亿美元） 图表 15： 中国 MOSFET 器件市场规模（亿美元） 来源： Omdia， 国联证券研究所 来源： Omdia， 国联证券研究所 图表 16： 全球 MOSFET 高压 /中低压占比 图表 17： MOSFET 晶圆月出货量（万片） 来源： Omdia， 国联证券研究所 来源： Omdia， Yole， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 11 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 18： 2020 年全球 MOSFET 器件 市占率排名 来源： 中商情报网， 国联证券研究所 汽车电子及配套产业带动 MOSFET 下游需求持续增长 。根据 Yole 的统计，消费级应用在 2020 年仍然是 MOSFET 市场下游最大的品类，规模约为 28 亿美元，占比约37%，而在 2026 年占比则将下降至 28%。与之相对，汽车电子及相关配套设施在 2020年市场规模约为 15 亿美元， 2026 年增迅速增长至 30 亿美元，复合增速 12.25%，占比则从 20%提升至 32%。 在汽车电子中，新能源相关汽车模块的硅基 MOSFET 市场规模将从 2020 年 1 亿美元增至 2026 年 7 亿美元，占比从 1.33%提升至 7.45%，复合增速高达 38.31%，是增速最快的细分市场。汽车电子产业将成为 MOSFET 市场增长的主要驱动力， 并在未来取代消费电子成为最大的下游应用领域。 图表 19： 硅基 MOSFET 下游市场分布（ 2020-2026 年） 来源： Yole， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 12 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 20： 2020-2026 年硅基 MOSFET 各市场规模预测 单位： 亿美元 2020 年 市场规模 2026 年 市场规模 CAGR 2020 年 占比 2026 年 占比 Consumer 28 26 -1.23% 37.33% 27.66% Automotive 14 23 8.63% 18.67% 24.47% EV/HEV 1 7 38.31% 1.33% 7.45% Industrial 10 15 6.99% 13.33% 15.96% Telecom 5 5 0.00% 6.67% 5.32% Others 15 16 1.08% 22.67% 19.15% 总计 75 94 3.84% 来源： Yole， 国联证券研究所 注：各行业之和与总计的差异源于取整误差 2.2 IGBT 和第三代半导体引领功率新发展 IGBT 全称绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双极结型晶体三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型 -电压驱动式 -功率半导体器件，既有 MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有 BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在中高电压、大电流、高频率的应用场景下具有很好的适应性，显著优于其他功率器件。因此，在对工作频率要求不高，却对功率、电流、电压有较高要求的场景下， IGBT 对 MOSFET 有较好的替代作用。 图表 21： IGBT 内部结构示意图 图表 22： IGBT 等效电路 来源： 电子发烧友， 国联证券研究所 来源： 电子发烧友， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 13 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 23： Si MOSFET/IGBT/SiC MOSFET 主要参数及应用场景比较 Si MOSFET IGBT SiC MOSFET 电压额定值 20-650V 650V 650V 开关频率 中高 (20kHz) 中高低 (5-20kHz) 高 (50kHz) Vgs/Vge 0-15V(20V) -10-15V(10-20V) -5-20V(25-30V) 功率等级 3kW 4kW 适用场景 中低压、高频 高压、低频、高电流 高压、高频、高电流、低功耗 典型应用 电源 -服务器、电信、工厂自动化、非车载 /车载充电器、光伏逆变器、串式逆变器 。 电机驱动器 (交流电机 )、 UPS、集中式和串式 太 阳 能 逆 变 器 、EV/HEV 牵引逆变器 。 PFC-电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的 DC/DC、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱动器、铁路 。 来源： 电子工程世界， 国联证券研究所 IGBT 市场规模持续扩大，新能源汽车与发电领域增量需求未来可期 。根据 Omdia的统计和预测，全球 IGBT 市场规模 2024 年预计达到 66.19 亿美元， 2020-2024 年复合增速约为 5.16%；中国 IGBT 市场规模 2024 年预计达到 25.76 亿美元， 2020-2024年复合增速约为 4.34%，中国市场占全球比例约为 40%左右。由于 2020 年以来，新能源汽车、光伏、储能、风电等领域的发展进度较快， IGBT 市场规模扩张速度或将超出原先的预期。 新能源汽车、工业控制、消费电子是 IGBT 下游三大最主要的应用市场 。三大下游市场分别占比 30%、 27%、 22%，合计占比近八成。以新能源汽车为例，电驱系统、车载空调、车载 OBC 等模块是 IGBT 的主要应用场景，随着汽车电气化渗透率的不断提升， IGBT 作为核心功率元件将面临更加广阔的市场空间。此外，光伏、风电、储能等新能源发电领域，逆变器、整流器等核心组件同样需要用到大量 IGBT，该领域占比有望快速提升。 图表 24： 全球 IGBT 市场规模（亿美元） 图表 25： 中国 IGBT 市场规模（亿美元） 来源： Omdia， 国联证券研究所 来源： Omdia， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 14 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 26： 2020 年中国 IGBT 下游应用领域市场占比 来源： 华经产业研究院， 国联证券研究所 根据 Yole的预测 ， 2020-2026年间 IGBT市场规模将从 54亿美元增至 84亿美元，复合增速达到 7.64%。新能源汽车和充电桩基础设施是增速最快的细分市场，其中新能源汽车的 IGBT 市场规模预计从 5.09 亿美元增至 17.00 亿美元，复合增速 22.26%；充电桩 IGBT 市场规模预计从 0.69 亿美元增至 2.33 亿美元。除新能源汽车之外，工控和家电领域的应用同样是 IGBT 市场规模增长的主要引擎，工控 IGBT 预计从 17 亿美元增至 23 亿美元，家电 IGBT 预计从 13 亿美元增至 20 亿美元。 图表 27： 2020-2026 年 IGBT 各 市场 规模预测 单位：亿美元 2020年市场规模 2026年市场规模 CAGR 2020年占比 2026年占比 Industrial motor drives 17.00 23.00 5.17% 31.48% 27.38% Home appliance 13.00 20.00 7.44% 24.07% 23.81% EV/HEV 5.09 17.00 22.26% 9.43% 20.24% DC charging infrastructure 0.69 2.33 22.49% 1.28% 2.77% Rail 3.03 3.17 0.76% 5.61% 3.77% PV 2.34 2.78 2.91% 4.33% 3.31% 其他 12.85 15.72 3.42% 23.80% 18.71% 总计 54.00 84.00 7.64% 来源： Yole， 国联证券研究所 电气性能优势显著， SiC 功率器件渗透率有望持续提升 。半导体材料目前发展到第三代，第一代材料以硅（ Si）、锗（ Ge）为代表，应用最为普遍；第二代材料以砷化镓（ GaAs）、碲化铟（ InSb）为代表；第三代材料以碳化硅（ SiC）、氮化镓（ GaN）为代表。 SiC 材料和传统的 Si 材料相比，可以同时达到高电压和高频率，并且具有更好的散热性能，因而在功率半导体领域具有得天独厚的优势。 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 15 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 新能源汽车需求驱动 SiC 市场快速扩张 。由于碳化硅耐高温、耐高压、高频工作等特征，可以很好地降低器件功耗、保障可靠性。根据 Yole 的预测，全球 SiC 器件的市场规模将从 2021 年的 10.90 亿美元增长至 2027 年的 62.97 亿美元，复合增速达到 33.95%。而推动市场规模扩大的主要驱动力来自于汽车行业，预计 2027 年SiC 器件市场 79.18%的收入将来自于汽车，其次是工业的 8.73%和能源的 7.27%。 图表 32： 2021-2027 年 SiC 器件各市场规模预测 单位：百万美元 2021年规模 2027年规模 CAGR 2021年占比 2027年占比 Automotive 685 4986 39.21% 62.84% 79.18% Energy 154 458 19.92% 14.13% 7.27% Industrial 126 550 27.84% 11.56% 8.73% Transportation 78 191 16.10% 7.16% 3.03% Telecom&Infrastructure 24 38 7.96% 2.20% 0.60% Consumer 8 9 1.98% 0.73% 0.14% Others 17 66 25.37% 1.56% 1.05% 总计 1090 6297 33.95% 来源： Yole， 国联证券研究所 注：各行业之和与总计的差异源于取整误差 图表 28： Si、 SiC、 GaN 性能范围示意图 图表 29： Si 和 SiC 性能参数对比 来源： 英飞凌， 国联证券研究所 来源： 英飞凌， 国联证券研究所 图表 30： 全球 SiC 器件市场规模（亿美元） 图表 31： 2027 年 SiC 器件市场下游分布 情况预计 来源： Yole， 国联证券研究所 来源： Yole， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 16 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 3. 功率器件国内十强，下游新能源产业需求旺盛 专注功率半导体设计，各环节优势逐渐凸显 。 公司是专注于 MOSFET、 IGBT 等功率半导体器件与模组的设计类公司， 江苏省级专精特新小巨人企业 ，连续多年位居“ 中国半导体功率器件十强企业