东方证券股份有限公司经相关主管机关核准具备证券投资咨询业务资格，据此开展发布证券研究报告业务。 东方证券股份有限公司及其关联机构在法律许可的范围内正在或将要与本研究报告所分析的企业发展业务关系。因此，投资者应当考虑到本公司可能存在对报告的客观性 产生影响的利益冲突，不应视本证券研究报告为作出投资决策的唯一因素。 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 深 度 报 告 【 行 业 证 券 研 究 报 告 】 电子行业 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时 代集成电路发展 事件： 国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议 5 月 14 日在北京召开。会议专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性 技术。 核心观点 后摩尔时代到来， 关注技术 重大 变革 。 摩尔定律预言，通过芯片工艺的演进， 每 18 个月芯片上可容纳的晶体管数量翻一番，达到提成芯片性能和降低成 本的目的。近些年，随着芯片工艺不断演进，硅的工艺发展趋近于其物理瓶 颈，晶体管再变小变得愈加困难。在摩尔定律放缓以及算力和存储需求爆发 的双重压力下，以硅为主体的经典晶体管很难维持集成电路产业的持续发 展，后摩尔时代到来。 后摩尔时代 颠覆创新将主要围绕新封装、新材料、新 架构进行，值得我们关注 。 新封装： 提高效率、降低成本，先进封装前景广阔 。 随着节点缩小，工艺变 得越来越复杂且昂贵，在经典平面缩放耗尽了现有技术资源、应用又要求集 成更加灵活和多样化的今天，若在芯片中还想“塞进更多元件”，就必须扩 展到立体三维，从异构集成 (HI)中找出路。 SiP 技术集成度高，研发周期短 ， 可实现 3D 堆叠，且 能解决异质集成问题 ，前景广阔 。 Chiplet 模式能满足 现今高效能运算处理器的需求 ，具备 设计弹性、成本节省、加速上市三大优 势 ， SiP 等先进封装技术是 Chiplet 模式的重要实现基础， Chiplet 模式的兴 起有望驱动先进封装市场快速发展。 新材料： 化合物半导体助力半导体器 件实现更高性能，迎来发展契机。 目前 9 成 半导体器件由硅制造，硅材料 具有集成度高、稳定性好、功耗低、成本 低等优点。但在后摩尔时代，除了更高集成度的发展方向之外，通过不同材 料在集成电路上实现更优质的性能是发展方向之一。同时随着 5G、新能源 汽车等产业的发展，对高频、高功率、高压的半导体需求，硅基半导体由于 材料特性难以完全满足，以 GaAs、 GaN、 SiC 为代表的第二代和第三代半 导体迎来发展契机。 新架构： 架构创新迎来黄金时代。 以 RISC-V 为代表的开放指令集将取代传 统芯片设计模式，更高效应对快速迭代、定制化与碎片化的 芯片需求。为应 对大数据、人工智能等高算力的应用要求， AI NPU 兴起。存内计算架构将 数据存储单元和计算单元融合为一体，能显著减少数据搬运，极大地提高计 算并行度和能效。长期来看，量子、光子、类脑计算也有望取得突破。 投资建议与投资标的 我们看好后摩尔时代 颠覆性技术相关产业 ： 新封装领域，建议关注环旭电子、立讯精密、长电科技、晶方科技、 华天科技、芯原股份。 新材料领域，建议关注三安光电、华润微。 新架构领域，建议关注兆易创新、晶晨股份、芯原股份、寒武纪、富 瀚微、澜起科技、国盾量子。 风险提示 A 股相关公司在 SiP 市场中竞争力减弱，失去份额 ； 化合物半导体市场需求 不及预期 ； 化合物半导体技术研发不及预期 、架构创新应用不及预期 。 Table_BaseInfo 行业评级 看好 中性 看淡 (维持 ) 国家 /地区 中国 行业 电子行业 报告发布日期 2021年 05 月 16 日 行业表现 资料来源： WIND、东方证券研究所 证券分析师 蒯剑 021-63325888*8514 执业证书编号： S0860514050005 香港证监会牌照： BPT856 证券分析师 马天翼 021-63325888*6115 执业证书编号： S0860518090001 联系人 唐权喜 021-63325888*6086 联系人 李庭旭 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 2 引言 国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议 5 月 14 日在北京召开。会 议要求，要高 质量做好“十四五”国家科技创新规划编制工作，聚焦“四个面向”，坚持问题导向，着力补齐短 板，注重夯实基础，做好战略布局，强化落实举措。 会议还 专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路 潜在颠覆性技术。 无独有偶， 美国早在 2016 年就部署了“后摩尔时代”创新支持、并在 2017 年 启动“后摩尔时代”电子复兴计划，欧盟在 2018 年也提出了“后摩尔时代半导体增值策略”。 图 1： 各国积极制定“后摩尔时代”半导体发展战略 数据来源： 爱集微、 东方证券研究所 新 封装 、新材料 、新架构 驱动后摩尔时代集成电路发 展 摩尔定律放缓，后摩尔时代到来。 摩尔定律预言，通过芯片工艺的演进，每 18 个月芯片上可容纳 的晶体管数量翻一番，达到提成芯片性能和降低成本的目的。近些年，随着芯片工艺不断演进，硅 的工艺发展趋近于其物理瓶颈，晶体管再变小变得愈加困难。 在摩尔定律放缓以及算力和存储需求 爆发的双重压力下，以硅为主体的经典晶体管很难维持集成电路产业的持续发展 ，后摩尔时代到来 。 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 3 图 2： 在 PC 领域摩尔定律逐步放缓 数据来源： Computer Architecture:A Quantitative Approach, by John L.Hennessy and David A.Patterson、 电子说、 东方证 券研究所 从演进路线来看， 未来集成电路的长期演进有三种主流的路线 ： More Moore（ 使用创新半导体制 造工艺缩小数字集成电路的特征尺寸 ）、 More than Moore（ 在系统集成方式上创新，系统性能提 升不再靠单纯的晶体管特征尺寸缩小，而是更多地靠电路设计以及系统算法优化 ）、 Beyond CMOS （ 使用 CMOS 以外的新器件提升集成电路性能 ） 。 图 3： 未来集成电路长期演进的技术路线 数据来源： ITRS、 东方证券研究所 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 4 从 后摩尔时代 创新的方式看，主要围绕新封装、新材料和新架构三方面展开 。 1. 新封装领域， 3D 封装、 SiP（ System In a Package，系统级封装）已实现规模商用，以 SiP 等先进封装为基础的 Chiplet 模式未来市场规模有望快速增长，目前台积电、 AMD、 Intel 等 厂商已纷纷推出基于 Chiplet 的解决方案。 2. 新材料领域， 随着 5G、新能源汽车等产业的发展， 硅难以满足 对高频、高功率、高压的需求 以 GaAs、 GaN、 SiC 为代表的第二代和第三代半导体迎来发展契机。 3. 新架构领域， 以 RISC-V 为代表的开放指令集将取代传统芯片设计模式，更高效应对快速迭 代、定制化与碎片化的芯片需求。为应对大数据、人工智能等高算力的应用要求 ， AI NPU 兴 起。 存内计算架构将数据存储单元和计算单元融合为一体，能显著减少数据搬运，极大地提 高计算并行度和能效。 长期来看，量子、光子、类脑计算也有望取得突破。 图 4： 后摩尔时代的颠覆性技术路线图 数据来源：东方证券研究所 整理 新封装 ： 提高效率、降低成本 ，先进封装前景广阔 随着节点缩小，工艺变得越来越复杂且昂贵，在经典平面缩放耗尽了现有技术资源、应用又要求集 成更加灵活和多样化的今天，若在芯片中还想“塞进更多元件”，就必须扩展到立体三维，从异构 集成 (HI)中找出路。 SiP 优势显著，是超越摩尔定律的必然选择路径。 受限于摩尔定律的极限， 单位面积可集成的元件 数量越来越接近物理极限 。而 SiP 封装技术能实现更高的集成度，组合的系统具有更优的性能，是 超越摩尔定律的必然选择路径 。 相比 SOC， （ 1） SiP 技术集成度更高，但研发周期反而更短。 SiP 技术能减少芯片的重复封装，降低布局与排线难度， 缩短 研发周期。采用芯片堆叠的 3D SiP 封装， 能降低 PCB 板的使用量，节省内部空间。 例如： iPhone7 PLUS 中采用了约 15 处不同类型的 SiP 工艺，为手机内部节省空间。 SiP 工艺 适用于更新周期短的通讯及消费级产品市场。 （ 2） SiP 能解 决异质（ Si， GaAs）集成问题。手机射频系统的不同零部件 往往采用 不同材料和工 艺，如： 硅， 硅锗 (SiGe)和砷化镓 (GaAs)以及其它无源元件。目前的技术 还不能 将这些不同工艺技术制造的零 部件制作在一块硅单晶芯片上。但是采用 SiP 工艺 却可以应用表面 贴 装技术 SMT 集成硅和砷化镓 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 5 裸芯片，还可以采用嵌入式无源元件，非常经济有效地制成高性能 RF 系统。 光电器件、 MEMS 等 特殊工艺器件的微小化也将大量应用 SiP 工艺。 图 5： 随着系统复杂度提升， SiP 成本及开发周期优势显著 图 6： SiP 能节省空间，为其他部件提供更多可用面积 数据来源： EEPW， 东方证券研究所 数据来源： Insight SiP、 SEMATECH 2009、 东方证券研究所 Chiplet 模式 有望兴起， 兼具设计弹性、成本节省、加速上市三大优势 。 Chiplet 模式采用 不同于 SoC 设计的方式，将大尺寸的多核心的设计，分散到较小的芯片， 再通过先进封装的形式以一种 类似搭积木的模式实现整合， 更能满足现今高效能运算处理器的需求；而弹性的设计方式不仅提升 灵活性，也能有更好的良率及节省成本优势，并减少芯片设计时程，加速芯片 Time to market（上 市）的时间。综合而言，相对于 SoC， Chiplet 将有设计弹性、成本节省、加速上市等三大优势 。 SiP 等先进封装技术是 Chiplet 模式的重要实现基础， Chiplet 模式的兴起有望驱动先进封装市场快 速发展。 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 6 图 7： Chiplet 实现异构集成 数据来源： Intel、 东方证券研究所 先进封装市场 有望 快速成长。 根据 Yole development 的预测，全球先进封装市场规模有望从 2020 年的约 260 亿美元提升至 2025 年的约 380 亿美元， CAGR 达 8%。 图 8： 先进封装市场规模有望快速增长 数据来源： Yole、 东方证券研究所 0 50 100 150 200 250 300 350 400 2019 2020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E 先进封装市场规模（亿美元） 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 7 新材料 ： 助力半导体器件实现更高性能， 迎来发展契机 目前市面上 9 成 以上半导体器件 都是以第一代元素半导体材料之一，硅 (Si)材料制作 ，具有集成度 高、稳定性好、功耗低 、成本低 等优点。但 在后摩尔时代 ，除了更高集成度的发展方向之外，通过 不同材料在 集成电路 上实现更优质的性能是发展方向之一。同时随着 5G、新能源汽车等产业的发 展，对高频、高功率、高压的半导体需求，硅基半导体由于材料特性难以完全满足，以 GaAs、 GaN、 SiC 为代表的第二代和第三代半导体迎来发展契机。 图 9： 三代半导体材料 发展现状及主要特性 发展历程 材料 发展现状及主要特性 第一代半导体材料 Si、 Ge 主要应用于大规模集成电路中，产业链成熟，成本 低； 目前 9 成 以上的半导体器件 由 Si 材料制作。 第二代半导体材料 GaAs、 InP 等 直接带隙、光电性能优越； 适合制作高频、高速、大功率及发光电子器件，广 泛应用于通讯、卫星等领域 第三代半导体材料 SiC、 GaN 等 宽禁带半导体材料，禁带宽度大于 2eV，具有可见 光至紫外光发光特性，抗高压、高温和高辐射性能优 越，可承受大功率 可用于电力电子器件、激光器、半导体照明等领域 数据来源： 满天星、 东方证券研究所 根据 Yole development 的预测， 全球 GaN 射频器件市场规模将从 2019 年的 7.4 亿美元达到 2025 年的 20 亿美元， CAGR 约 12%。全球 SiC 功率器件市场规模将从 2018 年的 3.7 亿美元增长至 2023 年的近 14 亿美元， CAGR 超过 30%。 图 10： GaN 射频器件市场规模预测 图 11： SiC 功率器件市场规模预测 数据来源： Yole、 东方证券研究所 数据来源： Yole、 东方证券研究所 0 500 1000 1500 2017 2018 2019E 2020E 2021E 2022E 2023E 电动汽车 充电桩 电机驱动 轨道交通 供电 光伏 UPS 风能 其他 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 8 新架构： 架构创新来到黄金时代 计算机架构创新诉求愈加 迫切 。 当前计算机的发展大多选择以数值计算见长的 冯 诺依曼架构，随 着摩尔定理逐渐失效， 冯 诺依曼架构带来的局限日益明显，存储墙、功耗墙、智能提升等问题， 让当前计算机发展面临重大挑战 ，迫切需要架构创新，架构创新迎来黄金时代。 架构创新主要包括： 1. “硅 -冯”范式 内的架构创新 ： “在串行体制”内进行并行的体系结构创新 。 2. 类硅模式 ： 基于现行架构开发电荷状态变换的新技术 ， 涉及 NC FET(负电容 )、 TFET(隧穿 )、 相变 FET、 SET(单电子 )等仍属电荷变换的非 CMOS 技术，由于能延续摩尔定律，受到了半 导体业界的重视 。 3. 类脑模式 ： 利用包括存储器在内的各种集成电路和 3D 封装模拟神经元特性，摸索存算一体 等计算，因其并行性、低功耗的特点，已经在人工智能领域引起了广泛注意，并已获得某些 工业应用 。 4. 新兴范式 ： 基于新形态变换的量子、形态计算 ， 涉及新的状态变换 (信息强相关电子态 /自旋取 向 )、新兴器件技术 (自旋器件 /量子 )和新兴架构 (量子计算 /神经形态计算 )， 商业化难度很大 。 图 12：按技术和架构分类的四大类“技术范式” 硅 CMOS 技术 新兴技术 冯诺依曼架构 ”硅 -冯”范式 用硅 CMOS 二进制编码表 征事物的特征与演变 类硅模式 基于现行架构开发电荷状态变 换的新技术 新兴架构 类脑模式 基于现行技术模拟 探索形态、存内计算 新兴范式 基于新形态变换的量子、形态 计算 数据来源： 爱集微、 东方证券研究所 RISC-V 推动指令集架构创新。 RISC-V 指令集完全开源，设计简单，易于移植 Unix 系统，模块化 设计，完整工具链，同时有大量的开源实现和流片案例，得到很多芯片公司的认可。 以 RISC-V 为 代表的开放指令集及其相应的开源 SoC 芯片设计、高级抽象硬件描述语言和基于 IP 的模板化芯片 设计方法，将取代传统芯片设计模式，更高效应对快速迭代、定制化与碎片化的芯片需求。 目前 RISC-V 在可穿戴产品上应用广泛，同时也适合 服务器 CPU，家用电器 CPU，工控 CPU 的应用。 图 13： 当前市场四大主流指令集 序号 架构 发明时间 特点 代表厂商 应用情况 1 X86 1978 年 性能高，速度快，兼容性好 英特尔， AMD PC 市场优势明显 2 MIPS 1981 年 简洁，优化方便，高拓展性 龙芯 网关、机顶盒市场应用广泛 3 ARM 1983 年 成本低，低功耗 苹果，谷歌， IBM，华为 移动端优势明显 4 RISC-V 2014 年 模块化，极简，可拓展 三星，英伟达，西部数据 智能穿戴产品上应用广泛 数据来源： CSDN、 东方证券研究所 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 9 投资建议 我们看好后摩尔时代颠覆性技术相关产业。 新封装领域 ： 建议关注 环旭电子 (601231，买入 )、立讯精密 (002475，未评级 )、长电科技 (600584， 未评级 )、晶方科技 (603005，未评级 )、华天科技 (002185，未评级 )、芯原股份 -U(688521，未评级 )； 新材料领域 ：建议关注 三安光电 (600703，买入 )、华润微 (688396，买入 )； 新架构领域 ：建议关注 晶晨股份 (688099，买入 )、兆易创新 (603986，增持 )、芯原股份 -U(688521， 未评级 )、寒武纪 -U(688256，未评级 )、富瀚微 (300613，未评级 )、澜起科技 (688008，增持 )、国 盾量子 (688027，未评级 )。 图 14： 后摩尔时代颠覆性技术的投资标的 技术 原理 用途 相关公司 SiP 多芯片封装 Apple Watch、 AirPods Pro、 5G毫米波 AiP 环旭电子、立讯精密、长电科技 3D堆叠 多芯片堆叠封装 英特尔部分 CPU、 CIS、存储 晶方科技、华天科技 Chiplet 组合各种单一功能芯片 各领域，生态有待成熟 芯原股份 GaAs 砷化镓 新材料 射频前端、 VCSEL 三安光电 InP 磷化铟 新材料 光通讯 三安光电 GaN 氮化镓 新材料 功率器件、基站 PA 三安光电、华润微 SiC碳化硅 新材料 功率器件 三安光电、华润微 Bi半金属铋 新材料 台积电研发中，实现 1nm 工艺 - RISC-V架构 替代英特尔 X86或 ARM MCU等各领域 兆易创新、芯原股份等 AI NPU 迎合深度学习算法需求 专门做 AI运算 晶晨股份、寒武纪、富瀚微等 存内计算 内存与处理器合并 解决内存与处理器大数据交换问题 澜起科技有潜在技术优势 量子计算 并行计算 大数分解等特定运算 国盾量子 光子计算 光子运动快、功耗低 特定用途 - 类脑计算 模拟人脑 AI运算 - 数据来源： 各公司公告、 东方证券研究所 整理 风险提示 A 股相关公司在 SiP 市场中竞争力减弱，失去份额。 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 10 化合物半导体市场需求不及预期：化合物半导体的需求受 5G 建设、新能源车等影响，如果疫情 持续发酵，下游需求不及预期，可能会使整个行业发展放缓； 化合物半导体技术研发不及预期： GaN/SiC 技术仍不成熟、成本仍然较高，如果核心技术得不到 快速发展，将会影响 GaN/SiC 渗透率。 架构创新应用不及预期：架构创新应用带动产业链投资机会，若进展不及预期，将对相关标的业绩 产生一定负面影响。 依 据 发 布 证 券 研 究 报 告 暂 行 规 定 以 下 条 款 ： 发 布 对 具 体 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 11 信息披露 依据发布证券研究报告暂行规定以下条款： 发布对具体股票作出明确估值和投资评级的证券研究报告时，公司持有该股票达到相关上市公司 已发行股份 1%以上的，应当在证券研究报告中向客户披露本公司持有该股票的情况， 就本证券研究报告中涉及符合上述条件的股票，向客户披露本公司持有该股票的情况如下： 截止本报告发布之日，东证资管仍持有 立讯精密 股票达到相关上市公司已发行股份 1%以上。 提请客户在阅读和使用本研究报告时充分考虑以上披露信息。 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 新封装、新材料、新架构驱动后摩尔时代集成电路发展 12 Table_Disclaimer 分析师 申明 每位负责撰写本研究报告全部或部分内容的研究分析师在此作以下声明： 分析师在本报告中对所提及的证券或发行人发表的任何建议和观点均准确地反映了其个人对该证 券或发行人的看法和判断；分析师薪酬的任何组成部分无论是在过去、现在及将来，均与其在本研 究报告中所表述的具体建议或观点无任何直接或间接的关系。 投资评级和相关定义 报告发布日后的 12 个月内的公司的涨跌幅相对同期的上证指数 /深证成指的涨跌幅为基准； 公司投资评级的量化标准 买入：相对强于市场基准指数收益率 15%以上； 增持：相对强于市场基准指数收益率 5% 15%； 中性：相对于市场基准指数收益率在 -5% +5%之间波动； 减持：相对弱于市场基准指数收益率在 -5%以下。 未评级 由于在报告发出之时该股票不在本公司研究覆盖范围内，分析师基于当时对该 股票的研究状况，未给予投资评级相关信息。 暂停评级 根据监管制度及本公司相关规定，研究报告发布之时该投资对象可能与本公 司存在潜在的利益冲突情形；亦或是研究报告发布当时该股票的价值和价格分析存在重大不 确定性，缺乏足够的研究依据支持分析师给出明确投资评级；分析师在上述情况下暂停对该股 票给予投资评级等信息，投资者需要注意在此报告发布之前曾给予该股票的投资评级、盈利预 测及目标价格等信息不再有效。 行业投资评级的量化标准 ： 看好：相对强于市场基准指数收益率 5%以上； 中性：相对于市场基准指数收益率在 -5% +5%之间波动； 看淡：相对于市场基准指数收益率在 -5%以下。 未评级：由于在报告发出之时该行业不在本公司研究覆盖范围内，分析师基于当时对该行业的 研究状况，未给予投资评级等相关信息。 暂停评级：由于研究报告发布当时该行业的投资价值分析存在重大不确定性，缺乏足够的研究 依据支持分析师给出明确行业投资评级；分析师在上述情况下暂停对该行业给予投资评级信 息，投资者需要注意在此报告发布之前曾给予该行业的投资评级信息不再有效。 HeadertTable_Disclaimer 免责声明 本证券研究报告（以下简称“本报告”）由东方证券股份有限公司（以下简称“本公司”）制作及发布。 本报告仅供本公司的客户使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为本公司的当然客户。本报告的全体接 收人应当采取必要措施防止本报告被转发给他人。 本报告是基于本公司认为可靠的且目前已公开的信息撰写，本公司力求但不保证该信息的准确性和完整性，客 户也不应该认为该信息是准确和完整的。同时，本公司不保证文中观点或陈述不会发生任何变更，在不同时 期，本公司可发出与 本报告所载资料、意见及推测不一致的证券研究报告。本公司会适时更新我们的研究，但 可能会因某些规定而无法做到。除了一些定期出版的证券研究报告之外，绝大多数证券研究报告是在分析师认 为适当的时候不定期地发布。 在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议，也没有考虑到个别客户特殊的 投资目标、财务状况或需求。客户应考虑本报告中的任何意见或建议是否符合其特定状况，若有必要应寻求专 家意见。本报告所载的资料、工具、意见及推测只提供给客户作参考之用，并非作为或被视为出售或购买证券 或其他投资标的的邀请 或向人作出邀请。 本报告中提及的投资价格和价值以及这些投资带来的收入可能会波动。过去的表现并不代表未来的表现，未来 的回报也无法保证，投资者可能会损失本金。外汇汇率波动有可能对某些投资的价值或价格或来自这一投资的 收入产生不良影响。那些涉及期货、期权及其它衍生工具的交易，因其包括重大的市场风险，因此并不适合所 有投资者。 在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任，投资者自主作出 投资决策并自行承担投资风险，任何形式的分享证券投资收益或者分担证券投资损失的书面或口头承诺均为 无效。 本报告主要以电子版形式分发，间或也会辅以印刷品形式分发，所有报告版权均归本公司所有。未经本公司事 先书面协议授权，任何机构或个人不得以任何形式复制、转发或公开传播本报告的全部或部分内容。不得将报 告内容作为诉讼、仲裁、传媒所引用之证明或依据，不得用于营利或用于未经允许的其它用途。 经本公司事先书面协议授权刊载或转发的，被授权机构承担相关刊载或者转发责任。不得对本报告进行任何有 悖原意的引用、删节和修改。 提示客户及公众投资者慎重使用未经授权刊载或者转发的本公司证券研究报告，慎重使用公众媒体刊载的证 券研究报告。 HeadertTable_Address 东方证券研究所 地址： 上海市中山南路 318 号东方国际金融广场 26 楼 电话： 021-63325888 传真： 021-63326786 网址 ：