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国产湿法清洗龙头盛美回归:国产半导体设备进口替代突破口之清洗设备.pdf

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国产湿法清洗龙头盛美回归:国产半导体设备进口替代突破口之清洗设备.pdf

请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 Table_Title 国产半导体设备 进口替代突破口之清洗设备 Table_Title2 国产 湿法清洗 龙头 盛美 回归 Table_Summary 清洗贯穿全流程,随着制程难度 增加、清洗步骤随之 大增 ,对清洗设备需求 也将提升 。 1) 硅片的加工过程对洁净度要求非常高,几乎每一步加工都需要清除沾污 ,而且随着未来制程不断先进、所需清洗步骤不断增多,清洗设备需求量将成倍增长 。 2) 目前晶圆清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约为 6%, 清洗方式有湿法和干法两种 ,目前生产工艺中以湿法清洗为主 、结合部分干法工艺, 其中湿法 设备主要有单片晶圆清洗设备、槽式晶圆清洗设备、洗刷机等 。 市场格局 :日系占据主导地位 ,国产企业奋起直追 。 1) 假设清洗设备晶占 晶 圆制造设备的比重稳定, 我们 粗略计算出全球半导体清洗设备 2019-2021 年的市场规模分别约为28.68、 29.18、 32.06 亿美元。 2) 未来半导体清洗设备行业增长的驱动力包括三部分:一方面是随着工艺的不断升级、制造流程增多,清洗频率也将有所增加,清洗设备的需求量将不断提升;二是集成电路制造工艺升级,芯片结构越发复杂、清洗难度升级,如 3D 结构 等 需要在对芯片无伤情况下对内部结构进行清洗;三是集成电路新型材料的出现,也对清洗工艺提出了新的需求。 3) 从清洗设备的配备数量来看,通常 4 万片产能的产线上, 8 英寸线需要配备 50 台左右、 12 英寸线需 要 70 台左右,国外部分厂商可以达到 120 台的配备,包括槽式晶圆清洗设备和单片晶圆清洗设备。价格方面, 6-8 个腔体的单片晶圆清洗设备价格在 300-400 万美元 /台,槽式价格大概在 100-200 万美元 /台。4) 全球清洗设备市场中,日系企业占据绝对的主导地位,迪恩士( DNS)市场份额大约为 60%、东京电子( Tokyo Electron)大约为 30%,其他企业 还有 美国 Lam Research、韩国 SEMES 和KCTECH 等,后二者主要供给韩国市场。 投资建议: 国产 企业奋起直追,龙头盛美回归在即 。 目前中国市场和国际市场范围内,主要的湿法设备厂商 仍以日本和欧美为主,国内企业正奋起直追但占比仍较低, 国内市场中 预计合计 占比 不超过 10%, 未来湿法工艺设备的挑战和机会都很大 , 目前 国内 湿法清洗设备供应商包括 盛美半导体、北方华创、至纯科技、芯源微 等, 均将有所受益 ,尤其是龙头盛美 兆声波单片清洗设备获得全球众多客户认可,子公司 科创板 IPO 申请 已 正式获上交所受理。 风险提示 : 海外疫情超预期;国产化进度不及预期;相关企业市场订单获取低于预期 评级及分析师信息 Table_IndustryRank 行业评级: 推荐 Table_Pic 行业走势图 Table_Author 分析师:刘菁 邮箱: liujing2hx168 SAC NO: S1120519110001 分析师:俞能飞 邮箱: yunfhx168 SAC NO: S1120519120002 联系人:田仁秀 邮箱: tianrxhx168 联系人:李思扬 邮箱: lisy3hx168 -2%4%9%15%21%27%2019/06 2019/09 2019/12 2020/03专用设备 沪深 300证券研究报告 |行业 深度 研究报告 仅供机构投资者使用 Table_Date 2020 年 06 月 16 日 【温馨提示】请勿将华西证券研究报告转发给他人 p1证券研究报告 |行业 深度 研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 2 19626187/21/20190228 16:59 正文 目录 1. 清洗是前道制程中的重要环节 . 3 1.1. 清洗应用在制程多环节 . 3 1.2. 清洗方法:干法与湿法、单片与槽式 . 4 1.3. 清洗步骤需要不 断重复去除沾污 . 7 2. 全球清洗设备日系占据主导地位,国产设备奋起直追 . 7 2.1. 2021 年全球半导体清洗设备市场规模约为 32 亿美元 . 8 2.2. 全球市场格局 日系占据主导地位 . 9 2.3. 大基金二期已起 航, “ 卡脖子 ” 设备环节有望获得重点投资 . 9 3. 国内重点公司 . 11 3.1. 盛美股份 国内清洗设备领先企业,子公司将回归科创板 . 11 3.2. 北方华创 综合实力强劲的半导体设备供应商 . 13 3.3. 至纯科技 高纯工艺龙头,半导体清洗设备后起之秀 . 15 3.4. 沈阳芯源微 涂胶显影领先企业向清洗设备进军 . 17 4. 风险提示 . 18 图 目录 图 1 清洗步骤贯穿 . 3 图 2 槽式清洗设备原理 . 6 图 3 单片清洗设备原理 . 6 图 4 半导体干法针对不同的沾污有不同的清洗方式 . 7 图 5 盛美半导体收 入规模 . 12 图 6 盛美半导体净利润规模 . 12 图 7 北方华创清洗设备相关产品系列 . 15 图 8 北方华创收入规模 . 14 图 9 北方华创净利润规模 . 14 图 10 至纯科技收入规模 . 16 图 11 至纯科技归母净利润规模 . 16 图 12 (楷体五号字 ) . 18 图 13 芯源微收入规模 . 18 图 14 芯源微净利润规模 . 18 表 目录 表 1 硅片在加工过程中会产生诸多沾污,如不清洗会影响后续加工工艺 . 4 表 2 不同的药液适用于不同的物质种类 . 4 表 3 主要清洗方法对比,目前仍以湿法为主 . 5 表 4 各种清洗设备清洗方法和适用场合 . 5 表 5 通常半导体制程中的清洗步骤及目的:贯穿多环节、需清洗多种沾污 . 7 表 6 2019 年全球半导体设备支出略微下降(亿美元) . 8 表 7 盛美半导体近年部分中标情况 . 13 表 8 至纯科技近年部分湿法清洗设备中标情况 . 17 【温馨提示】请勿将华西证券研究报告转发给他人 p2证券研究报告 |行业 深度 研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 3 19626187/21/20190228 16:59 1.清洗 是前道制程中的重要环节 、应用于多环节 1.1.清洗应用在制程多环节 硅片的加工过程对洁净度要求非常高, 所有与硅片接触的媒介都可能对硅片造成污染 ,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响 ,因此几乎 每一步加工都需要清除沾污, 具体来看包括 : 1)硅片制造环节的材料清洗、抛光后清洗; 2)晶圆制造 环节的扩散前清洗、刻蚀后清洗、离子注入后清洗、去胶清洗、成膜前后清洗、机械抛光后清洗等; 2)芯片封装 TSV 清洗、 UBM/RDL 清洗、键合清洗等。 图 1 清洗步骤贯穿 资料来源: 盛美 ,华西证券研究所 具体的 沾污包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层等等 ,这些沾污包括从环境、其他制造工艺、刻蚀副产物、研磨液等等,这些沾污如不及时清理均可能造成后续制造工艺 的失败 ,造成器件的电性失效。 【温馨提示】请勿将华西证券研究报告转发给他人 p3证券研究报告 |行业 深度 研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 4 19626187/21/20190228 16:59 表 1 硅片在加工过程中会产生诸多沾污 ,如不清洗会影响后续加工工艺 物质种类 来源 主要危害 颗粒 环境,其他工艺过程中产生 影响后续光刻、干法刻蚀工艺,造成器件短路 自然氧化层 环境 影响后续氧化、沉积工艺,造成器件电性失效 金属污染 环境,其他工艺过程中产生 影响后续氧化工艺,造成器件电性失效 有机物 干法刻蚀副产物,环境 影响后续沉积工艺,造成器件电性失效 牺牲层 氧化 /沉积工艺 影响后续特定工艺,造成器件电性失效 抛光残留物 研磨液 影响后续特定工艺,造成器件电性失效 资料来源: 集成电路产业全书,华西证券研究所 现阶段关键技术节点已小于 28nm,对于晶圆表面污染物控制的指标越来越高,因此 清洗过程贯穿芯片制造的全程 , 包括硅片 制造、光刻、刻蚀、沉积等各个关键工艺环节中 , 目前清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约 4.8%。 表 2 不同的药液适用于不同的物质种类 资料来源: 集成电路产业全书,华西证券研究所 1.2.清洗方法 : 干法与湿法 、单片 与 槽式 从清洗的 半导体清洗方式有湿法和干法两种 : 1) 湿法清洗 采用特定的化学药液和去离子水对晶圆表面进行无损伤清洗,是 目前 主流 的 清洗方式、占整个清洗制程的 90%以上, 主要包括 RCA 清洗法、 超声清洗等,湿法清洗具有效率高、成本较低等优势,但同时由于化学试剂使用多,会造成化学污染、交叉污染、晶片损伤等。 2) 干法清洗 包括气相清洗法、紫外 -臭氧清洗法等, 优点在于 化学用量少、清洗环境友好、低磨损等等,不断受到市场更多关注,但同时缺点同样明显,如部分沾污不易清洗、成本较高、控制要求高等,目前无法大量应用于半导体生产中 ,但在半导体产线上的少量特定步骤会采用干洗清洗方法,共同构建清洗方案。 清洗作用 化学药液物质种类SPM SC1 SC2 DHF BHF DIO3 H3PO4 HF+HNO3 TMAH 溶剂类颗粒 适合 适合 - - - 适合 - - - -自然氧化层 - - - 适合 适合 - - - - -金属污染 - - 适合 适合 适合 - - - - -有机物 适合 适合 - - - 适合 - - 适合 适合牺牲层 - - - 适合 适合 - 适合 适合 适合 -抛光残留物 适合 适合 - 适合 适合 - - - - -【温馨提示】请勿将华西证券研究报告转发给他人 p4证券研究报告 |行业 深度 研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 5 19626187/21/20190228 16:59 表 3 主要清洗方法 对比 ,目前仍以湿法为主 清洗方法 描述 优点 缺点 湿法清洗 RCA 清洗法 使用双氧水与酸 /碱溶液的混合物进行两步氧化。 在清除晶片表面的有机物、粒子和金属等污染物时十分有效。 去除晶片表面污染物薄膜而不能去除颗粒;需在高温环境下进行;耗用化学品大,会加大硅片的粗糙度;排放量大污染环境。 超声清洗方法 晶片浸没在清洗液中 ,利用超高频率的声波能量将晶片正面和背面的颗粒有效去除。 清洗的速度快 ;清洗的效果比较好 ;能够清洗各种复杂形状的硅片表面 ;易于实现遥控和自动化。 颗粒尺寸较小时 ,清洗效果不佳 ;在空穴泡爆破的时候 ,巨大的能量会对硅片造成一定的损伤。 干法清洗 气相清洗法 先让片子低速旋转 ,再加大速度使片子干燥 ,这时 ,HF 蒸汽可以很好的去除氧化膜玷污及金属污染物。 对那些结构较深的部分 ,比如沟槽 ,能够进行有效的清洗;对硅片表面粒子的清洗效果也比较好 ,并且不会产生二次污染。 虽然 HF 蒸汽可除去自然氧化物 ,但不能有效除去金属污染。 紫外 -臭氧清洗法 将晶片放置在氧气氛围中用汞灯产生的短波长紫外光进行照射。 特别适合氧化去除有机物,另外还有某些特殊用途 ,如 GaAs 的清洗。 无法清洗一般的无机物沾污。 资料来源: 中国产业信息网,华西证券研究所 针对不同的污染物特性,需要选择不同的化学药液进行清洗、配合物理方式辅助:1) SPM 主要用于清洗有机物,是硫酸、过氧化氢和去离子水的混合物; 2) SC1 主要用于清洗颗粒,是氨水、过氧化氢和去离子水的混合物,; 3) SC2 主要用于清洗金属污染物,是盐酸、过氧化氢和去离子水的混合物等等。 1.2.1.湿法清洗占据主流,设备主要包括槽式和单片清洗设备 目前 晶圆 清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约为 6%, 重要的 清洗设备主要有单片晶圆清洗设备、槽式晶圆清洗设备、洗刷机等 。 表 4 各种清洗设备清洗方法和适用场合 设备 清洗方法 适用场合 单晶圆清洗设备 旋转喷淋 全生产流程中,比如扩散前清洗、栅极氧化前清洗、外延前清洗、 CVD 前清洗、氧化前清洗、光刻胶清除、多晶硅清除和刻蚀环节等 槽式清洗设备 溶液浸泡 全生产流程中 洗刷 设备 旋转喷淋 锯晶圆、晶圆磨薄、晶圆抛光、研磨、 CVD 超音波清洗设备 超声清洗 半导体前道各阶段 晶圆盒清洗设备 机械擦拭 晶圆盒清洗 等离子体清洗设备 等离子体清洗 光刻胶去除 资料来源: 中国产业信息网,华西证券研究所 槽式晶圆清洗设备 是在一个处理仓中,同时清洗多盒晶圆,可以做到晶圆干进干出,主要包括传输模块、晶圆装载 /卸载传输模块、排风进气模块、化学药液槽体模块和控制模块构成。 槽式晶圆清洗设备的优点在于可以进行批量清洗、效率高,成本较低,但同时缺点同样明显,如槽体内部化学药液多样、与晶圆接触点过多等,容易造成二次污染 。45nm 制程到来后 ,先进制程工艺的湿法清洗对晶圆 表面小颗粒的数量及刻蚀的均匀性要求越来越高,同时必须达到图形无损干燥,槽式清洗越来越达不到工艺需求,因而逐渐被单片清洗设备代替。 【温馨提示】请勿将华西证券研究报告转发给他人 p5证券研究报告 |行业 深度 研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 6 19626187/21/20190228 16:59 槽式清洗设备 价格约为 200-300 万美元,主要企业有日本的迪恩士、东京电子和JET 等,三者合计约占 75%以上的市场份额,这些企业的设备价格相对也会更高。韩国的 SEMES 和 KCTECH 主要供给韩国市场。 图 2 槽式清洗设备原理 图 3 单片清洗设备原理 资料来源: 盛美 ,华西证券研究所 资料来源: 盛美 ,华西证券研究所 单片清洗 设备 是基于传统的 RCA 清洗方法设计的,已经广泛应用于集成电路制造前道( FEOL)和后道( BEOL)工艺过程,包括成膜前后的清洗、等离子体刻蚀后的清洗、离子注入后的清洗、化学机械抛光后的清洗和金属沉积后清洗等,可以说除了高温磷酸工艺外,单片清洗设备已经基本上可以兼容所有的清洗工艺。 单片清洗设备市场同样集中度非常高, DNS、 TEL、 LAM 和 SEMES 四家公司合计市场占有率超过 90%,其中 DNS 市占率在 40%以上,是行业绝对的龙头。 目前随着清洗工艺的提升, 除了传统的旋转喷淋法外,还有纳米喷射清洗和兆声波清洗等两种常见的方法 : 1)纳米喷射是在二流体雾化喷嘴的两端分别通入液体介质和高纯氮气,使用高压气体为动力,辅助液体微雾化成极微小的液体粒子,并喷射至晶圆表面,达到去除颗粒的效果; 2)兆声波由发生器 产生,传递到清洗液体中,然后对晶圆进行清洗,能够降低化学药液的用量、减少对晶圆的损伤。兆声波清洗能够非常有效地去除颗粒,尤其是小尺寸颗粒,另外在高深宽比的图形表面清洗同样具有优势、特别是在 TSV 结构的清洗中。 因此 为 了 更好的去除晶圆表面的 沾污 , 除槽式和单片单片晶圆清洗设备外, 还有 晶圆 刷洗设备 、 超声 /兆声清洗设备、晶圆盒清洗设备 等。 1.2.2.干法清洗受到关注,可与湿法清洗配合使用 干法清洗采用的是气相化学法去除晶圆表面的沾污,主要有热氧化法和等离子 清洗法等。干法清洗过程通常是将热化学气体或者等离子态反应气体导入反应室, 反应气体与 晶圆 表面发生化学反应生成易挥发性反应产物被真空抽去 ,针对不同的沾污种类有不同的干洗方法,如颗粒物可以用低温气雾剂、激光等,有机物可以用臭氧、紫外线 /臭氧、细微等离子等。 【温馨提示】请勿将华西证券研究报告转发给他人 p6证券研究报告 |行业 深度 研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 7 19626187/21/20190228 16:59 图 4 半导体干法针对不同的沾污有不同的清洗方式 资料来源: 中国产业信息网,华西证券研究所 等离子清洗采用激光、微波、热电离等措施将无机气体激发到等离子态活性离子,活性粒子与表面分子反应生成产物分子,产物分子进一步解析形成气相残余物脱离表面。 干法清洗的优点在于清洗后无药液残留,同时可以进行选择性的局部清洗;缺点在于无法有选择性的仅与表面金属污染物反应,会不可避免的与硅片表面发生反应,所以在一定温度、时间等条件下,不能将所有金属沾污 完全去除,因而目前干法清洗尚无法完全取代湿法清洗。实验表明干法清洗可按要求的标准减少的金属化沾污有铁、铜、铝、锌、镍等,实际制造工艺中通常采用湿法、干法清洗相结合的清洗方法。 1.3.清洗步骤 需要不断重复去除沾污 通常在晶圆制造工艺中需要五个环节的清洗步骤,即晶圆颗粒去除清洗、刻蚀后清洗、预扩散清洗、金属离子去除清洗、薄膜去除清洗等,需要说明的是,由于 前道制程很多步骤需要重复多次,清洗过程同样 需要不断重复去除沾污 , 同时随着先进制程的复杂程度越来越高,清洗难度和次数也不断提高。 表 5 通常半导体制程中的清洗步骤及目的:贯穿多环节、需清洗多种沾污 清洗步骤 目的 颗粒去除清洗 使用化学药剂或使用超声波、兆声波清洗去除晶圆表面颗粒 刻蚀后清洗 去除晶圆刻蚀过程后留下的光刻胶和聚合物 预扩散清洗 为创建一个没有金属、微粒和有机污染物的晶圆表面,需要去除自然氧化或化学氧化物 金属离子去除清洗 消除可能对器件操作产生不利影响的金属离子 薄膜去除清洗 氧化硅蚀刻 /剥离、氧化物蚀刻 /剥离、硅蚀刻和金属蚀刻 /剥离 资料来源: 中国产业信息网,华西证券研究所 2.全球 清洗设备 日系占据主导地位,国产设备奋起直追 颗粒 有机物 金属 原生氧化物/化学氧化物低温气雾剂Ar/N 2 O2 退火 CI基化学法退火 Ar 喷溅激光 臭氧 NO/HCI/N2退火 H2 退火CO2 雪 紫外线/臭氧紫外线/O2紫外线/CI 2紫外线/SiCI 4紫外线/HCI细微等离子H 2细微等离子O 2 细微等离子NF 2/H2AHF/H2OAHF/酒精溶液UV/F2/H2【温馨提示】请勿将华西证券研究报告转发给他人 p7证券研究报告 |行业 深度 研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 8 19626187/21/20190228 16:59 2.1.2021 年全球半导体清洗设备市场规模约为 32 亿美元 在半导体设备市场中,晶圆制造设备采购大约占整体的 80%,测试设备大约占 9%,封装设备大约占 7%,其他设备大约占 4%;同时 清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约 为 6%,因此可以计算清洗设备约占半导体设备投资的 4.8%。 2020 年 4 月, 国际半导体产业协会 SEMI 报告指出 , 2019 年全球半导体制造设备销售额达到 598 亿美元,比 2018 年的 645 亿美元的历史高点下降了 7 ,其中中国台湾是去年半导体设备最大的市场,同比增长 68%达到 171.2 亿美元;中国大陆 同比略增 3%至 134.5 亿美元,来到全球第二;第三至第五位分别为韩国、北美、日本,市场规模分别为 99.7、 81.5、 62.7 亿美元。 表 6 2019 年全球半导体设备支出略微下降(亿美元) 国家 /地区 2019 2018 变化 幅度 中国台湾 171.2 101.7 68% 中国大陆 134.5 131.1 3% 韩国 99.7 177.1 -44% 北美 81.5 58.3 40% 日本 62.7 94.7 -34% 其他 25.2 40.4 -38% 欧洲 22.7 42.2 -46% 合计 597.5 645.3 -7% 资料来源: SEMI,华西证券研究所 此前 SEMI 预计 2020 年全球半导体设备销售额将达到 608 亿美元 , 其中 中国台湾将维持全球第一大设备市场的位置,销售金额将达 154 亿美元,中国大陆以 149 亿美元居次,韩国则以 103 亿美元排名第三 。而在 2021 年全球半导体设备销售额 将 创下668 亿美元的历史新高 , 展望 2021 年,中国大陆将以 160 亿美元的销售额跃升至全球第一大设备市场。 假设 清洗设备晶 占 圆制造设备的比重稳定,即为 4.8%,则根据以上数据粗略计算出全球半导体清洗设备 2019-2021 年的市场规模分别 约为 28.68、 29.18、 32.06亿美元。 未来半导体清洗设备行业增长的驱动力包括 三 部分 : 一方面是随着工艺的不断升级、制造流程增多,清洗频率也将有所增加,清洗设备的需求量将不断提升; 二是集成电路制造工艺升级 ,芯片结构越发复杂、清洗难度升级,如 3D 结构(例如 FinFET 晶体管)通常比旧的传统 2D 结构更脆弱 ,需要在对芯片无伤情况下对内部结构进行清洗; 三是集成电路新型材料的出现,也对清洗工艺提出了新的需求。 从清洗设备的配备 数量来看,通常 4 万片产能的产线上, 8 英寸线需要配备 50台 左右、 12 英寸线需要 70 台左右,国外部分厂商可以达到 120 台的配备,包括槽式晶圆清洗设备和单片晶圆清洗设备。价格方面, 6-8 个腔体的单片晶圆清洗设备价格在 300-400 万美元 /台,槽式价格要低不少,大概在 100-200 万美元 /台。 【温馨提示】请勿将华西证券研究报告转发给他人 p8证券研究报告 |行业 深度 研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 9 19626187/21/20190228 16:59 2.2.全球 市场格局 日系占据主导地位 全球清洗设备市场中,日系企业 占据绝对的主导地位,迪恩士( DNS, SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd.) 市场份额大约为 60%、东京电子( Tokyo Electron) 大约为 30%,其他企业如 美国 Lam Research、韩国 SEMES 和 KCTECH 等,后二者主要供给韩国市场。 目前国内市场格局与全球市场格局相近,主要为国内企业占据,国内企业主要从事半导体清洗设备的公司主要有盛美半导体、北方华创、 至纯科技、芯源微等 ,整体来看,国内企业 规模和产品竞争力与国际知名企业仍然存在较大差距, 如 国外单片 晶圆 清洗设备已发展到 12 个、 16 个腔体 、 对应的附属设备的介质供应也越多,可满足智能化、软件控制、压力均等和清洗后的存放等需求 , 而国产湿法清洗设备从种类和功能上目前 能 实现 的部分较为有限。但我们认为 进口替代之势正在加速, 未来国内清洗设备企业 有望 快速成长。 2.3.大基金二期已起航,“卡脖子”设备环节有望获得重点投资 2014 年 6 月国务院 颁布 集成电路产业发展推进纲要 ,根据 此文,我国集成电路产业 2020 年要达到与国际先进水平的差距逐步缩小、企业可持续发展能力大幅增强的发展目标 , 到 2030 年,我国集成电路产业链主要环节达到国际先进水平,一批企业进入国际第一梯队。 同年 9 月国家集成电路产业基金 成立, 总规模 1387 亿元,至 2018 年 5 月 已经投资完毕,公开投资公司为 23 家,未公开投资公司为 29 家,累计有效投资项目达到70 个左右 , 引导带动社会融资 新增达到 5000 亿元左右 。 表 9 国家大基金一期投资领域分布情况 : 设备占比较小 领域 金额(亿元) 占比 设计 205.9 19.70% 制造 500.14 47.80% 封测 115.52 11% 设备 12.85 1.20% 材料 14.15 1.40% 产业生态 198.58 19% 资料来源: 投资界, 华西证券研究所 【温馨提示】请勿将华西证券研究报告转发给他人 p9证券研究报告 |行业 深度 研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 10 19626187/21/20190228 16:59 表 10 大基金在 半导体设备领域 投资 主要 集中 在部分龙头企业 行业 公司 时间 出资金额(估算,亿元) 持股比例 设备 中微公司 2014.12 4.8 7.14% 设备 长川科技 2015.7 0.4 8% 设备 沈阳荆拓 2015.12 1.7 / 设备 北方华创 201.5.12 6 7.50% 设备 盛美半导体 / 0.1 / 设备 万业企业 2018.7 6.8

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